蒸镀装置、蒸镀方法以及有机EL显示装置的制造方法制造方法及图纸

由实施方式公开的蒸镀装置具有：真空腔室(8)；掩膜保持件(15)，其对真空腔室(8)内部所配置的蒸镀掩膜1进行保持；基板保持件(29)，其以与所保持的蒸镀掩膜(1)相接的方式对被蒸镀基板(2)进行保持；电磁铁(3)，其配置于被蒸镀基板(2)的与蒸镀掩膜1相反面的上方；蒸镀源5，其使蒸镀材料气化或升华；以及热管(7)，其至少吸热部(71)与电磁铁(3)接触，散热部(72)被导出至真空腔室(8)的外部。其热管(7)与电磁铁(3)的接触部以线圈(32)的内周的截面积以上的面积紧贴。可抑制电磁铁的温度上升，获得精度良好的蒸镀图案。

Evaporation device, evaporation method and manufacturing method of organic EL display device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蒸镀装置、蒸镀方法以及有机EL显示装置的制造方法
本专利技术涉及一种例如蒸镀有机EL显示装置的有机层的蒸镀装置、蒸镀方法以及有机EL显示装置的制造方法。
技术介绍
例如，在制造有机EL显示装置的情况下，在支承基板上形成TFT等驱动元件，有机层与每个像素对应地层叠在其电极之上。该有机层不耐水分而无法进行蚀刻。因此，通过如下方式进行有机层的层叠：将支承基板(被蒸镀基板)与蒸镀掩膜重叠配置，通过该蒸镀掩膜的开口进行有机材料的蒸镀。并且，仅在所需的像素的电极上层叠所需的有机材料。当该被蒸镀基板与蒸镀掩膜尽量不接近时，仅在像素的准确区域未形成有机层。当仅在准确的像素的区域未沉积有机材料时，显示图像易于变得不鲜明。因此，使用如下的磁性卡盘，其在蒸镀掩膜中使用磁性体，在永磁铁或电磁铁与蒸镀掩膜之间夹装被蒸镀基板，从而使被蒸镀基板与蒸镀掩膜接近(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-024956号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题作为蒸镀掩膜，以往使用金属掩膜，但近年来，存在为了形成更精细的开口而使用混合型蒸镀掩膜的倾向，该混合型蒸镀掩膜由树脂膜形成，并通过金属支承层支承除了该树脂膜的开口的周缘的部分。如混合掩膜那样，磁性体少的蒸镀掩膜若不是更强的磁场(magneticfield)则无法进行充分的吸附。如上所述，当吸附不充分时，被蒸镀基板与蒸镀掩膜的接近性下降。对于将被蒸镀基板充分地吸引到蒸镀掩膜上而言，需要较强的磁场。作为磁性卡盘的磁铁，当使用永磁铁时，在其磁场较强的情况下，被蒸镀基板与蒸镀掩膜的对位变困难。另一方面，当使用电磁铁时，通过将对电磁铁的线圈施加的电流断开，将磁场设为几乎为0，通过施加电流，从而可产生磁场而进行吸附。因此，能够在对位时不施加磁场，在对位后施加磁场，因此被蒸镀基板与蒸镀掩膜的对位变容易。然而，对于使用电磁铁而产生较大的磁场而言，需要增大电流。电磁铁的磁场强度和电磁铁的线圈匝数与该线圈中流通的电流之积成正比。因此，当希望增大磁场时，需要增大电流或增多匝数。通过任意方法均会使发热量变大。本来在电磁铁的线圈中流通有大电流，因此在电磁铁的线圈中使用电阻较小的电线，但会由于电流的电阻损耗而造成电磁铁发热。而且，若在电磁铁中使用芯材(铁芯)时则能够使所产生的磁场增大，但会产生由于涡电流产生的发热。因此，为了增大产生的磁场而进一步使电流变大时，发热更进一步成为问题。另一方面，当产生发热时，被蒸镀基板以及蒸镀掩膜传播该热而造成温度上升。被蒸镀基板与蒸镀掩膜的材料不同，因此其线膨胀率也不同。例如当被蒸镀基板与蒸镀掩膜的线膨胀率之差为3ppm/℃时，在1m长度的面板中，在端与端之间每1℃会产生3μm的偏差。例如当一个像素的大小的一边为60μm时，在5.6k的分辨率中，仅容许15％程度以内的偏差。若如此，则偏差的极限为9μm。在所述的示例中，1℃的温度上升会产生3μm的偏差，因此3℃的温度上升成为极限。即，需要将由电磁铁的温度上升引起的被蒸镀基板以及蒸镀掩膜的温度上升抑制为3℃以下。另一方面，电磁铁被配置在真空腔室内，因此不易通过送风、对流进行散热。还考虑到卷绕金属管而在其中流动冷却水来进行水冷，但对于经由冷却水的散热耗费时间，无法在短时间内对产生的大量的热充分地进行散热，并且存在如下的危险性：当接头部破裂时大量的水会溢出到真空腔室内，从而造成真空腔室破损。本专利技术是为了解决此种问题而完成的，其目的在于提供一种立刻且可靠地对电磁铁中产生的热进行冷却、或在抑制所产生的热的同时简单地进行被蒸镀基板的拆装以及蒸镀掩膜的对位的蒸镀装置以及蒸镀方法。本专利技术的另外目的在于提供一种使用所述蒸镀方法而制造显示品质优异的有机EL显示装置的方法。解决问题的方案本专利技术的第一实施方式的蒸镀装置具有：真空腔室；掩膜保持件，其对配置于所述真空腔室内部的蒸镀掩膜进行保持；基板保持件，其以与所述掩膜保持件所保持的蒸镀掩膜相接的方式对被蒸镀基板进行保持；电磁铁，其配置于所述基板保持件所保持的被蒸镀基板的与所述蒸镀掩膜相反面的上方；蒸镀源，其与所述蒸镀掩膜对置地设置，并使蒸镀材料气化或升华；以及热管，其至少第一端部即吸热部与所述电磁铁接触地设置，与所述第一端部相反的第二端部即散热部被导出至所述真空腔室的外部，所述热管与所述电磁铁的接触部以所述电磁铁的线圈的内周的截面积以上的面积紧贴地接合。本专利技术的第二实施方式的蒸镀方法包含如下工序：使电磁铁、被蒸镀基板、具有磁性体的蒸镀掩膜重合，且通过向所述电磁铁通电而使所述蒸镀掩膜吸附于所述被蒸镀基板上的工序；以及通过来自与所述蒸镀掩膜分离地配置的蒸镀源的蒸镀材料的飞溅，在所述被蒸镀基板上沉积所述蒸镀材料的工序，通过以比所述电磁铁的线圈的内周的截面积大的面积紧贴于所述电磁铁的热管，对所述电磁铁进行冷却的同时，进行所述蒸镀材料的沉积的工序。本专利技术的第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法，包含如下工序：在支承基板上至少形成TFT以及第一电极，通过使用所述蒸镀方法将有机材料蒸镀至所述支承基板上而形成有机层的层叠膜，在所述层叠膜上形成第二电极的工序。专利技术效果根据本专利技术的第一以及第二实施方式的蒸镀装置以及蒸镀方法，可抑制由电磁铁的发热引起的被蒸镀基板以及蒸镀掩膜的温度上升。并且，可抑制由热膨胀引起的蒸镀掩膜与被蒸镀基板的位置偏差。其结果，有机层的蒸镀精度得以提高，能够以准确的图案进行蒸镀。如果在有机EL显示装置的制造中使用，则能够通过精细的像素获得高清晰的显示面板。附图说明图1为表示本专利技术的一实施方式的蒸镀装置的示意图的图。图2A为对图1的热管的结构例进行说明的图。图2B为对图1的热管的变形例进行说明的图。图3为表示电磁铁与热管的接合的其他实施方式的图。图4为表示电磁铁与热管的接合的另一其他实施方式的图。图5A为表示电磁铁与热管的接合的另一其他实施方式的图。图5B为图5A的VB-VB剖视图。图6A为表示电磁铁与热管的接合的另一其他实施方式的热管的俯视图。图6B为图6A的VIB-VIB剖视图。图6C为将图6A的热管卷起来的立体图。图6D为表示将图6C的热管埋入在芯材的内部的状态的图。图7A为用于对电磁铁与热管的接合的另一其他实施方式进行说明的热管的说明图。图7B为图7A的吸热部的俯视图。图7C为图7B的毛细芯构造体的说明图。图7D为表示将图7A的热管组装于蒸镀装置的状态的示意图。图8为表示将热管连接至真空腔室的构造例的图。图9为蒸镀掩膜的一个示例的放大图。图10为表示本专利技术的有机EL显示装置的制造方法的蒸镀工序的图。图11为表示通过本专利技术的有机EL显示装置的制造方法层叠有有机层的状态的图。具体实施方式接着，参照附图对本专利技术的第一以及第二实施方式的蒸镀装置以及蒸镀方法进行说明。如图1所示，本实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸镀装置，其特征在于，具有：/n真空腔室；/n掩膜保持件，其对配置于所述真空腔室内部的蒸镀掩膜进行保持；/n基板保持件，其以与所述掩膜保持件所保持的蒸镀掩膜相接的方式对被蒸镀基板进行保持；/n电磁铁，其配置于所述基板保持件所保持的被蒸镀基板的与所述蒸镀掩膜相反面的上方；/n蒸镀源，其与所述蒸镀掩膜对置地设置，并使蒸镀材料气化或升华；以及/n热管，其至少第一端部即吸热部与所述电磁铁接触地设置，与所述第一端部相反的第二端部即散热部被导出至所述真空腔室的外部，/n所述热管与所述电磁铁的接触部以所述电磁铁的线圈的内周的截面积以上的面积紧贴地接合。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蒸镀装置，其特征在于，具有：
真空腔室；
掩膜保持件，其对配置于所述真空腔室内部的蒸镀掩膜进行保持；
基板保持件，其以与所述掩膜保持件所保持的蒸镀掩膜相接的方式对被蒸镀基板进行保持；
电磁铁，其配置于所述基板保持件所保持的被蒸镀基板的与所述蒸镀掩膜相反面的上方；
蒸镀源，其与所述蒸镀掩膜对置地设置，并使蒸镀材料气化或升华；以及
热管，其至少第一端部即吸热部与所述电磁铁接触地设置，与所述第一端部相反的第二端部即散热部被导出至所述真空腔室的外部，
所述热管与所述电磁铁的接触部以所述电磁铁的线圈的内周的截面积以上的面积紧贴地接合。


2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，
所述电磁铁和所述热管彼此接触，使得由所述电磁铁引起的所述蒸镀掩模的温度上升变为10℃以下。


3.根据权利要求1或2所述的蒸镀装置，其特征在于，
所述电磁铁具有柱状的芯材，通过在所述芯材的一端部安装磁轭，从而包含所述芯材的截面形状形成为E型的磁轭，所述热管紧贴于所述E型磁轭。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，
所述电磁铁具有使柱状的芯材与在所述芯材的周围卷绕电线而形成的线圈进行一体化的覆盖物，所述热管的所述吸热部以应与所述覆盖物紧贴的方式形成。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，
所述电磁铁具有柱状的芯材，所述热管的所述吸热部在所述芯材的内部埋入至所述芯材的长度的1/2以上的深度。


6.根据权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于，
所述热管形成为扁平状，且将所述热管卷为环状而形成为筒状体，所述筒状体的吸热部埋入在所述芯材的内部。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，
所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：崎尾进，岸本克彦，
申请(专利权)人：堺显示器制品株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP