【技术实现步骤摘要】
一种具有电流放大作用的硅光电探测器
本专利技术涉及光电探测领域，具体而言，涉及一种具有电流放大作用的硅光电探测器。
技术介绍
近年来，随着物联网的迅猛发展，光纤通信系统作为物联网的重要依托，其发展受到更多的重视。在长途骨干网领域，随着光传输技术的成熟和发展，世界范围内出现了干线传输网络的建设热潮，传输带宽、传输容量快速发展。随着光纤通信系统的发展，光器件的发展也同样面临着机遇和挑战，如何开发出性能优良、价格低廉的光器件已经成为人们所面临的首要问题。硅基光电子器件具有易于集成、工艺成本低等优点，近些年来引起研究人员的广泛关注。硅(Si)材料作为微电子领域的传统材料，在加工工艺和制作成本上有着其他材料无可比拟的优势，硅基光电子集成技术应运而生。作为硅基光电集成技术中的重要的代表元件之一的光电探测器，它的作用就是把入射的光信号转化为电信号，以便后续的信号处理电路进行分析。但目前的光电探测器在入射的光信号比较弱的时候，其对应转化的电信号也比较小，容易影响检测的精度。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施...
【技术保护点】
1.一种具有电流放大作用的硅光电探测器，其特征在于，包括：/n硅光波导区；/n第一N型重掺杂硅区和第二N型重掺杂硅区；其中，所述第一N型重掺杂硅区和第二N型重掺杂硅区分别位于所述硅光波导区两侧，并与所述硅光波导区连接；/nP型重掺杂硅区及第三N型重掺杂硅区；其中，所述P型重掺杂硅区设置于所述第一N型重掺杂硅区与所述第三N型重掺杂硅区之间，并与所述第一N型重掺杂硅区及所述第三N型重掺杂硅区连接；/n第一金属电极，电连接至所述P型重掺杂硅区；/n第二金属电极，电连接至第二N型重掺杂硅区；/n第三金属电极，电连接至第三N型重掺杂硅区。/n
【技术特征摘要】
1.一种具有电流放大作用的硅光电探测器，其特征在于，包括：
硅光波导区；
第一N型重掺杂硅区和第二N型重掺杂硅区；其中，所述第一N型重掺杂硅区和第二N型重掺杂硅区分别位于所述硅光波导区两侧，并与所述硅光波导区连接；
P型重掺杂硅区及第三N型重掺杂硅区；其中，所述P型重掺杂硅区设置于所述第一N型重掺杂硅区与所述第三N型重掺杂硅区之间，并与所述第一N型重掺杂硅区及所述第三N型重掺杂硅区连接；
第一金属电极，电连接至所述P型重掺杂硅区；
第二金属电极，电连接至第二N型重掺杂硅区；
第三金属电极，电连接至第三N型重掺杂硅区。
2.根据权利要求1所述的具有电流放大作用的硅光电探测器，其特征在于，所述硅光...
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