【技术实现步骤摘要】
PbS量子点Si-APD红外探测器
本技术属于光电探测器
，具体涉及一种PbS量子点Si-APD红外探测器，其涉及光电探测器结构和半导体纳米材料的硅基雪崩光电探测器技术。
技术介绍
雪崩光电二极管(APD)是一种具有内部增益的光电探测器，工作在能使器件发生雪崩倍增效应的高反向偏压下，雪崩倍增效应造成了内部电流增益，使得APD器件比其他器件具有更高的响应度。因其具有灵敏度高、体积小、增益大灯一系列优点，实现对微弱信号的高校探测，被广泛的应用于光纤通讯、激光测距、激光引信、光谱测量、遥感测量、医学影像诊断、环境监测和军事侦察等方面。光电探测器作为光纤通讯系统、红外成像系统、激光告警系统和激光测距系统等的重要组成部分，在民用和军用方面均得到了广泛的应用。目前商用的红外探测器主要包括HgCdTe材料APD和InGaAs-InPAPD。HgCdTe材料根据Cd在HgCdTe材料中所占的比重调节材料禁带宽度(0eV-1.6eV)，但是HgCdTe材料APD需要工作低温条件下，InGaAs单晶半导体材料存在价格昂贵、热机械性...
【技术保护点】
1.一种PbS量子点Si-APD红外探测器，其包括本征Si基底(1)、反射区(4)、N+掺杂区(3)、P掺杂区(2)、P+掺杂区(6)、PbS量子点层(7)、上电极(5)和下电极(8)，其特征在于，反射区(4)位于本征Si基底(1)正上方，N+掺杂区(3)位于反射区(4)下方，P掺杂区(2)位于N+掺杂区(3)下方，P+掺杂区(6)位于本征Si基底(1)下方，PbS量子点层(7)位于P+掺杂区(6)下方，上电极(5)位于反射区(4)上表面，以及下电极(8)位于PbS量子点层(7)下表面。/n
【技术特征摘要】
1.一种PbS量子点Si-APD红外探测器，其包括本征Si基底(1)、反射区(4)、N+掺杂区(3)、P掺杂区(2)、P+掺杂区(6)、PbS量子点层(7)、上电极(5)和下电极(8)，其特征在于，反射区(4)位于本征Si基底(1)正上方，N+掺杂区(3)位于反射区(4)下方，P掺杂区(2)位于N+掺杂区(3)下方，P+掺杂区(6)位于本征Si基底(1)下方，PbS量子点层(7)位于P+掺杂区(6)下方，上电极(5)位于反射区(4)上表面，以及下电极(8)位于PbS量子点层(7)下表面。
2.根据权利要求1所述的PbS量子点Si-APD红外探测器，其特征在于，在本征Si基底(1)上形成所述N+掺杂区(3)、P掺杂区(2)、P+掺杂区(6)。
3.根据权利要求1或2之任一所述的PbS量子点Si-APD红外探测器，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆文强，张昆，付勰，康帅，冯双龙，
申请(专利权)人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院，
类型：新型
国别省市：重庆;50
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。