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本实用新型提出一种PbS量子点Si‑APD红外探测器，所述探测器包括本征Si基底(1)、反射区(4)、N+掺杂区(3)、P掺杂区(2)、P+掺杂区(6)、PbS量子点层(7)、上电极(5)和下电极(8)，反射区(4)位于本征Si基底(1)正...该专利属于中国科学院重庆绿色智能技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院重庆绿色智能技术研究院授权不得商用。
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本实用新型提出一种PbS量子点Si‑APD红外探测器，所述探测器包括本征Si基底(1)、反射区(4)、N+掺杂区(3)、P掺杂区(2)、P+掺杂区(6)、PbS量子点层(7)、上电极(5)和下电极(8)，反射区(4)位于本征Si基底(1)正...