显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及显示技术领域，公开了一种显示面板和显示装置。本发明专利技术中，在显示面板的平坦化层和多晶硅有源层之间设置一层非晶硅钝化层，由于非晶硅的禁带宽度与多晶硅的禁带宽度近似，通过设置非晶硅钝化层对面板显示自发光和经过反射的外界光进行有效吸收，减少了进入多晶硅有源层内光量，从而防止多晶硅有源层产生光生电子‑空穴对导致的漏电问题，提高画面显示效果稳定性，如在灰阶显示时有利于显示正常。

Display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
显示面板和显示装置
本专利技术实施例涉及显示
，特别涉及一种显示面板和显示装置。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管(Active-MatrixOrganicLight-EmittingDiode，简称AMOLED)显示装置主要包括薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)阵列基板和发光单元。其中，对于TFT阵列基板，根据有源层的材料的不同，阵列基板可分为非晶硅(amorphous-Silicon)、低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，简称LTPS)、高温多晶硅(HighTemperaturePoly-Silicon，简称HTPS)、氧化物等多种类型。其中，相对于其它类型的阵列基板，LTPS阵列基板具有电子迁移速率更快、薄膜电路面积更小等优点，是目前领域内研究的热点。但LTPS受到光照射时阈值电压容易漂移，导致灰阶显示异常，画面显示效果劣化的问题。
技术实现思路
本专利技术实施方式的目的在于提供一种显示面板和显示装置，使得多晶硅有源层受光的影响降低，提高画面显示效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：/n多晶硅有源层以及位于所述多晶硅有源层上方的平坦化层；/n非晶硅钝化层，所述非晶硅钝化层位于所述多晶硅有源层和所述平坦化层之间，所述多晶硅有源层在所述平坦化层上的正投影位于所述非晶硅钝化层在所述平坦化层上的正投影内。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
多晶硅有源层以及位于所述多晶硅有源层上方的平坦化层；
非晶硅钝化层，所述非晶硅钝化层位于所述多晶硅有源层和所述平坦化层之间，所述多晶硅有源层在所述平坦化层上的正投影位于所述非晶硅钝化层在所述平坦化层上的正投影内。


2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，位于所述多晶硅有源层正上方的所述非晶硅钝化层与所述多晶硅有源层的厚度之差的绝对值与所述多晶硅有源层的厚度的比值小于或等于30％。


3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，位于所述多晶硅有源层正上方的所述非晶硅钝化层与所述多晶硅有源层的厚度相同。


4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多晶硅有源层包括沟道区以及位于所述沟道区相对两侧的掺杂区；所述显示面板还包括：位于所述多晶硅有源层以及所述平坦化层之间的功能层，且所述功能层内具有贯穿所述功能层且与所述掺杂区电连接的第一导电过孔，且所述功能层暴露出所述第一导电过孔远离所述多晶硅有源层的表面，所述非晶硅钝化层位于所述第一导电过孔远离所述多晶硅有源层一侧。


5.根据权利要求1或4所述的显示面板，所述非晶硅钝化层在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李阳，于锋，李勃，李素华，孙剑秋，
申请(专利权)人：合肥维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34