【技术实现步骤摘要】
多厚度栅极电介质
本专利技术大体上涉及半导体装置，且特定来说(但非排他性地)，涉及图像传感器。
技术介绍
图像传感器已变得无处不在。它们广泛应用于数码相机、蜂窝电话、安全摄像机，以及医疗、汽车及其它应用中。用于制造图像传感器的技术持续以迅猛的速度进步。举例来说，对更高分辨率及更低功耗的需求已促进这些装置的进一步微型化及集成化。典型图像传感器如下操作。来自外部场景的图像光入射在图像传感器上。图像传感器包含多个光敏元件，使得每一光敏元件吸收入射图像光的一部分。包含在图像传感器中的光敏元件(例如光电二极管)各自在吸收图像光时产生图像电荷。所产生的图像电荷量与图像光的强度成比例。所产生的图像电荷可用于产生表示外部场景的图像。
技术实现思路
在一个方面中，提供一种图像传感器。所述图像传感器包括：一或多个光电二极管，其安置在半导体材料中以接收图像光并产生图像电荷；浮动扩散，其用以从所述一或多个光电二极管接收所述图像电荷；一或多个转移晶体管，其经耦合以将所述一或多个光电二极管中的图像电荷转移到所述浮动扩散；及源...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，其包括：/n一或多个光电二极管，其安置在半导体材料中以接收图像光并产生图像电荷；/n浮动扩散，其用以从所述一或多个光电二极管接收所述图像电荷；/n一或多个转移晶体管，其经耦合以将所述一或多个光电二极管中的图像电荷转移到所述浮动扩散；及/n源极跟随器晶体管，其经耦合以放大所述浮动扩散中的所述图像电荷，所述源极跟随器晶体管包含：/n栅电极，其耦合到所述浮动扩散；/n源电极及漏电极；/n作用区，其在所述源电极与所述漏电极之间安置在所述半导体材料中；及/n介电材料，其安置在所述栅电极与所述作用区之间，所述介电材料具有第一厚度及第二厚度，其中所述第二厚度大于所述第...
【技术特征摘要】
20181002 US 16/149,5441.一种图像传感器，其包括：
一或多个光电二极管，其安置在半导体材料中以接收图像光并产生图像电荷；
浮动扩散，其用以从所述一或多个光电二极管接收所述图像电荷；
一或多个转移晶体管，其经耦合以将所述一或多个光电二极管中的图像电荷转移到所述浮动扩散；及
源极跟随器晶体管，其经耦合以放大所述浮动扩散中的所述图像电荷，所述源极跟随器晶体管包含：
栅电极，其耦合到所述浮动扩散；
源电极及漏电极；
作用区，其在所述源电极与所述漏电极之间安置在所述半导体材料中；及
介电材料，其安置在所述栅电极与所述作用区之间，所述介电材料具有第一厚度及第二厚度，其中所述第二厚度大于所述第一厚度，且其中所述第二厚度比所述第一厚度更靠近所述漏电极安置。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一厚度为或更少。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第二厚度大于或等于在所述源极跟随器晶体管以饱和状态操作时防止击穿所需的厚度。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述第二厚度是所述第一厚度的至少两倍厚。
5.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述介电材料从所述第一厚度逐渐过渡到所述第二厚度。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：复位晶体管，其耦合到所述浮动扩散，以响应于重设信号被施加到所述复位晶体管的第二栅极端子而复位所述浮动扩散中的电荷。
7.根据权利要求4所述的图像传感器，其进一步包括：行选择晶体管，其耦合在所述源极跟随器晶体管的输出与位线输出之间。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述介电材料包含氧化铪、氧化硅、氮化硅或氧化铝中的至少一者。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括控制电路，所述控制电路经耦合以控制所述一或多个光电二极管的操作；及
读出电路，其耦合到所述位线以从所述一或多个光电二极管读出图像数据。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其进一步包括功能逻辑，所述功能逻辑耦合到所述读出电路以操纵所述图像数据。
11.一种图像传感器制造...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚，郑源伟，王勤，杨存宇，陈冠男，毛杜立，戴森·戴，林赛·格朗，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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