图像传感器制造技术

提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一基底；第一结构，位于第一基底的前表面上，第一结构包括围绕第一导电层的第一层间绝缘层；第二基底；第二结构，位于第二基底的面对第一基底的前表面的前表面上，第二结构包括第二层间绝缘层，第二层间绝缘层结合到第一层间绝缘层；有机光电层，位于第二基底的后表面上；以及通路电极结构，穿过第二基底和第二结构与第一导电层接触，通路电极结构包括位于通路电极结构中的气隙。

image sensor

【技术实现步骤摘要】
图像传感器本申请要求于2018年10月2日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0117873号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
专利技术构思涉及一种图像传感器，更具体地，涉及一种包括后通路堆叠(backviastack)的图像传感器。
技术介绍
拍摄图像并且将图像转换成电信号的图像传感器不仅用在诸如数码相机、安装在移动电话上的相机和便携式摄像机的消费电子装置中，而且用在安装在汽车、安全装置和机器人中的相机中。由于图像传感器在需要高分辨率的同时在尺寸上日益减小，因此正在研究包括有机光电层的图像传感器以减小像素尺寸。在传统的包括有机光电层的图像传感器中，诸如负性光致抗蚀剂的具有相对好的台阶覆盖性(stepcoverage)的材料可用于填充通路电极结构的通路电极孔的内部区域。然而，因为负性光致抗蚀剂易受高温影响，所以填充通路电极孔的内部区域的材料在执行随后的高温工艺时会被污染，这会降低传统的图像传感器的生产率和可靠性。
技术实现思路
专利技术构思涉及一种包括有机光电层的图像传感器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：/n第一基底；/n第一结构，位于第一基底的前表面上，第一结构包括包含第一导电层的第一层间绝缘层；/n第二基底；/n第二结构，位于第二基底的面对第一基底的前表面的前表面上，第二结构包括第二层间绝缘层，第二层间绝缘层结合到第一层间绝缘层；/n有机光电层，位于第二基底的后表面上；以及/n通路电极结构，穿过第二基底和第二结构与第一导电层接触，通路电极结构包括位于通路电极结构中的气隙。/n

【技术特征摘要】
20181002 KR 10-2018-01178731.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
第一基底；
第一结构，位于第一基底的前表面上，第一结构包括包含第一导电层的第一层间绝缘层；
第二基底；
第二结构，位于第二基底的面对第一基底的前表面的前表面上，第二结构包括第二层间绝缘层，第二层间绝缘层结合到第一层间绝缘层；
有机光电层，位于第二基底的后表面上；以及
通路电极结构，穿过第二基底和第二结构与第一导电层接触，通路电极结构包括位于通路电极结构中的气隙。


2.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述通路电极结构包括：
电极导电层，位于穿透第二基底和第二结构的通路电极孔的内壁上；以及
电极填充层，位于电极导电层上，电极填充层填充通路电极孔的一部分，并且包括气隙。


3.如权利要求2所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：
滤色器层，位于有机光电层下方；以及
第一覆盖绝缘层，位于滤色器层上，
其中，电极填充层和第一覆盖绝缘层包括同一材料并且位于同一水平上。


4.如权利要求3所述的图像传感器，其中，电极填充层的顶表面的水平与有机光电层的底表面的水平位于同一水平或低于有机光电层的底表面的水平。


5.如权利要求2所述的图像传感器，所述图像传感器还包括位于电极导电层与电极填充层之间的电极衬里。


6.如权利要求2所述的图像传感器，其中，气隙的最上表面的水平高于电极导电层的最上表面的水平。


7.如权利要求1所述的图像传感器，其中，气隙从第二基底延伸到第二层间绝缘层。


8.如权利要求1所述的图像传感器，其中，气隙从第二基底延伸到第一层间绝缘层。


9.如权利要求1所述的图像传感器，其中，第二基底上的第二结构还包括第二导电层，其中，通路电极结构与第二导电层接触。


10.如权利要求9所述的图像传感器，其中，第一导电层包括至少两个顺序堆叠的导电层，通路电极结构与所述至少两个顺序堆叠的导电层接触。


11.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
第一基底，包括第一层间绝缘层；
第二基底，包括第二层间绝缘层；
滤色器层，位于第二基底上；
有机光电层，位于滤色器层上；
通路电极孔，穿透第二基底和第二层间绝缘层，通路电极孔与第一层间绝缘层接触；以及

【专利技术属性】
技术研发人员：金宽植，金昶和，金润庆，朴商秀，李范硕，赵万根，崔珉准，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR