阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。该阵列基板包括衬底、覆盖衬底的缓冲层。其中，缓冲层包括第一区域及环绕第一区域的第二区域，位于第二区域的缓冲层的氢离子浓度大于位于第一区域的缓冲层的氢离子浓度。该阵列基板，可以通过氢离子与驱动结构中的悬挂键的结合，降低位于第二区域的悬挂键对驱动结构的载流子迁移率产生的影响。由此使用该阵列基板制备显示面板时，可以提升位于缓冲层第二区域的显示子面板的亮度，使该阵列基板制成的不同OLED显示子面板的亮度均一性提高。

Array substrate and its preparation method, display panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，特别是涉及阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
OLED(OrganicLightEmittingDisplay，有机发光二极管)显示器是一种利用有机半导体材料制成的，且使用直流电压驱动的薄膜发光器件。TFT(Thin-filmtransistor，薄膜晶体管)是场效应晶体管的种类之一。传统技术中，通常使用TFT和电容构成OLED显示面板的驱动结构。专利技术人在实现传统技术的过程中发现：同时制作的显示面板之间的亮度均一性较差。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统技术中存在的不同显示面板在低灰阶时亮度均一性较差的问题，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。一种阵列基板，包括：衬底；缓冲层，覆盖于所述衬底，所述缓冲层包括第一区域及环绕所述第一区域的第二区域，位于所述第二区域的所述缓冲层的氢离子浓度大于位于所述第一区域的所述缓冲层的氢离子浓度。在其中一个实施例中，位于所述第二区域的所述缓冲层的厚度大于位于所述第一区域的所述缓冲层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底(110)；/n缓冲层(120)，覆盖于所述衬底(110)，所述缓冲层(120)包括第一区域(122)及环绕所述第一区域(122)的第二区域(124)，位于所述第二区域(124)的所述缓冲层(120)的氢离子浓度大于位于所述第一区域(122)的所述缓冲层(120)的氢离子浓度。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底(110)；
缓冲层(120)，覆盖于所述衬底(110)，所述缓冲层(120)包括第一区域(122)及环绕所述第一区域(122)的第二区域(124)，位于所述第二区域(124)的所述缓冲层(120)的氢离子浓度大于位于所述第一区域(122)的所述缓冲层(120)的氢离子浓度。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述第二区域(124)的所述缓冲层(120)的厚度大于位于所述第一区域(122)的所述缓冲层(120)的厚度。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括驱动结构(130)，覆盖所述缓冲层(120)远离所述衬底(110)的表面，且所述驱动结构(130)同时覆盖所述第一区域(122)和所述第二区域(124)；
所述驱动结构(130)包括：层间绝缘层(136)，位于所述缓冲层(120)远离所述衬底(110)的一侧，所述层间绝缘层(136)包括第三区域(1362)和环绕所述第三区域(1362)的第四区域(1364)，沿所述阵列基板(10)的层叠方向，所述第三区域(1362)在所述缓冲层(120)上的正投影在所述第一区域(122)的范围内，所述位于第四区域(1364)的所述层间绝缘层(136)的氢离子浓度大于位于所述第三区域(1362)的所述层间绝缘层(136)的氢离子浓度。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动结构(130)还包括：
第一极板(1382)，位于所述层间绝缘层(136)靠近所述缓冲层(120)的一侧；
第二极板(1384)，位于所述层间绝缘层(136)远离所述缓冲层(120)的一侧，且所述第二极板(1384)与所述第一极板(1382)构成储能电容(138)；
所述储能电容(138)包括第一电容(137)和第二电容(139)，沿所述阵列基板(10)的层叠方向，所述第一电容在(137)所述缓冲层(120)上的正投影位于所述第一区域(122)内，所述第二电容(139)在所述缓冲层(120)上的正投影位于所述第二区域(124)内，所述第二电容(139)的电容值小于所述第一电容(137)。


5.根据权利要求3或4所述的阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：胥真奇，杨依辉，党晓强，杨丰，顾津席，张志江，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32