一种半导体晶圆芯片的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶圆芯片的加工方法，包括步骤：步骤1、在基板的安装工位上滴入一定量的水性胶；步骤2、将半导体晶圆芯片的粘接面贴合在安装工位上并与水性胶充分接触；步骤3、将半导体晶圆芯片粘接过程中溢出的水性胶吸除；步骤4、将粘接有半导体晶圆芯片的基板放入压合器内，对半导体晶圆芯片加热并将其按压在基板上；步骤5、加温压合结束后将基板取出、自然冷却；步骤6、冷却后将基板放置在研磨机台上，对半导体晶圆芯片研磨加工；步骤7、研磨加工结束后用热水将基板上的水性胶去除，获得研磨后的半导体晶圆芯片。采用水性胶来替换原有蜡在半导体晶圆芯片加工过程中的粘结作用，粘结效果好，可水溶解，减少了废水污染。

A processing method of semiconductor wafer chip

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆芯片的加工方法
本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种半导体晶圆芯片的加工方法。
技术介绍
半导体晶圆芯片(简称芯片)在进行研磨时需要将其固定在蓝宝石基板上，目前粘接的方式是采用蜡。当研磨结束后将芯片从蓝宝石基板上剥离，存在如下问题：需要用到去蜡液进行将固定芯片的蜡去除。由于去蜡液中含有正丙酮，松香等物质，去蜡过程中会产生有害废水，存在污染。
技术实现思路
为克服上述缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体晶圆芯片的加工方法，用水性胶替代蜡对芯片进行固定，从而减少废水污染。为了达到以上目的，本专利技术采用的技术方案是：一种半导体晶圆芯片研磨水性胶，包括步骤：步骤1、在基板的安装工位上滴入一定量的水性胶；步骤2、将半导体晶圆芯片的粘接面贴合在安装工位上并与水性胶充分接触；步骤3、将半导体晶圆芯片粘接过程中溢出的水性胶吸除；步骤4、将粘接有半导体晶圆芯片的基板放入压合器内，对半导体晶圆芯片加热并将其按压在基板上；步骤5、加温压合结束后将基板取出、自然冷却；步骤6、冷却后将基板放置在研磨机台上，对半导体晶圆芯片研磨加工；步骤7、研磨加工结束后用热水将基板上的水性胶去除，获得研磨后的半导体晶圆芯片。水性胶(水性胶黏剂)是以天然高分子或合成高分子为黏料，以水为溶剂或分散剂，取代对环境有污染的有毒有机溶剂，而制备成的一种环境友好型胶黏剂。进一步来说，步骤4中的压合器内具有热压接装置，所述热压接装置具有用于形成包含加热器工作台在内的密闭环境的密闭罩部件，所述基板放置在加热器工作台上。进一步来说，所述水性胶为水溶性热胶，按重量份数比，所述水性胶包括下列组分：改性PU树脂64％、水性助剂6％、热熔粉24％、水4％、固化剂1％、消泡剂0.5％、阻燃剂0.5％。进一步来说，所述水性助剂为聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷烔或者聚醚改性聚氨酯化合物其中一种。进一步来说，所述热压接装置内设有向下的压模，所述压模由大理石制成。与现有技术相比，本专利技术采用水性胶来替换原有蜡在半导体晶圆芯片加工过程中的粘结作用，粘结效果好，可水溶解，减少了废水污染；采用水性胶滴在基板上实现同蜡一样的固定作用，可在研磨完成后用热水去除，避免了使用去蜡液(含有正丙酮，松香等)此类有污染液体；减少了研磨工艺中去蜡过程中会产生有害废水的工艺，减少相应的设备投入及提高生产效率。附图说明图1为本专利技术实施例的流程示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。实施例参见附图1所示，本实施例中的一种半导体晶圆芯片研磨水性胶，包括步骤：S1、在基板的安装工位上滴入一定量的水性胶；S2、将半导体晶圆芯片的粘接面贴合在安装工位上并与水性胶充分接触；S3、将半导体晶圆芯片粘接过程中溢出的水性胶吸除；S4、将粘接有半导体晶圆芯片的基板放入压合器内，对半导体晶圆芯片加热并将其按压在基板上；S5、加温压合结束后将基板取出、自然冷却；S6、冷却后将基板放置在研磨机台上，对半导体晶圆芯片研磨加工；S7、研磨加工结束后用热水将基板上的水性胶去除，获得研磨后的半导体晶圆芯片。本实施例中的水性胶为水性胶黏剂，是以天然高分子或合成高分子为黏料，以水为溶剂或分散剂，取代对环境有污染的有毒有机溶剂，而制备成的一种环境友好型胶黏剂。本实施例中步骤4中的压合器内具有热压接装置，所述热压接装置具有用于形成包含加热器工作台在内的密闭环境的密闭罩部件，所述基板放置在加热器工作台上。上述热压接装置内设有向下的压模，所述压模由大理石制成。采用大理石的压模，其不易受温度而发生形变，压合面稳定，压合效果佳。本实施例中的水性胶为水溶性热胶，按重量份数比，所述水性胶包括下列组分：改性PU树脂64％、水性助剂6％、热熔粉24％、水4％、固化剂1％、消泡剂0.5％、阻燃剂0.5％。所述水性助剂为聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷烔或者聚醚改性聚氨酯化合物其中一种。除了采用上述聚乙烯醇类水性胶黏剂类的水性胶外，也可以采用乙烯乙酸酯类水性胶黏剂、丙烯酸类水性胶黏剂、聚氨酯类水性胶黏剂、环氧水性胶黏剂、酚醛水性胶黏剂、有机硅类水性胶黏剂、橡胶类水性胶黏剂。本专利技术采用水性胶来替换原有蜡在半导体晶圆芯片加工过程中的粘结作用，粘结效果好，可水溶解，减少了废水污染；采用水性胶滴在基板上实现同蜡一样的固定作用，可在研磨完成后用热水去除，避免了使用去蜡液(含有正丙酮，松香等)此类有污染液体；减少了研磨工艺中去蜡过程中会产生有害废水的工艺，减少相应的设备投入及提高生产效率。以上实施方式只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本专利技术的内容并加以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围，凡根据本专利技术精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶圆芯片的加工方法，其特征在于：包括步骤：/n步骤1、在基板的安装工位上滴入一定量的水性胶；/n步骤2、将半导体晶圆芯片的粘接面贴合在安装工位上并与水性胶充分接触；/n步骤3、将半导体晶圆芯片粘接过程中溢出的水性胶吸除；/n步骤4、将粘接有半导体晶圆芯片的基板放入压合器内，对半导体晶圆芯片加热并将其按压在基板上；/n步骤5、加温压合结束后将基板取出、自然冷却；/n步骤6、冷却后将基板放置在研磨机台上，对半导体晶圆芯片研磨加工；/n步骤7、研磨加工结束后用热水将基板上的水性胶去除，获得研磨后的半导体晶圆芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆芯片的加工方法，其特征在于：包括步骤：
步骤1、在基板的安装工位上滴入一定量的水性胶；
步骤2、将半导体晶圆芯片的粘接面贴合在安装工位上并与水性胶充分接触；
步骤3、将半导体晶圆芯片粘接过程中溢出的水性胶吸除；
步骤4、将粘接有半导体晶圆芯片的基板放入压合器内，对半导体晶圆芯片加热并将其按压在基板上；
步骤5、加温压合结束后将基板取出、自然冷却；
步骤6、冷却后将基板放置在研磨机台上，对半导体晶圆芯片研磨加工；
步骤7、研磨加工结束后用热水将基板上的水性胶去除，获得研磨后的半导体晶圆芯片。


2.根据权利要求1所述的水性胶，其特征在于：步骤4中的压合器内具有热压接装置，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宗兵，
申请(专利权)人：三芯威电子科技江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32