沟槽顶部圆角化的方法技术

本发明专利技术提供一种沟槽顶部圆角化的方法，在衬底上形成一硬掩膜层并用光刻工艺定义出沟槽区域图形；按沟槽区域图形刻蚀硬掩膜层，衬底上表面为刻蚀停止层；沿硬掩膜层的侧壁湿法刻蚀衬底，形成衬底的浅区域沟槽；采用干法刻蚀工艺沿硬掩膜层的侧壁继续刻蚀衬底，形成与衬底的浅区域沟槽贯通的深区域沟槽；去除硬掩膜层，并对沟槽顶部进行圆角化工艺；对沟槽进行牺牲氧化，将沟槽顶部进一步圆角化。本发明专利技术在硬掩膜层打开之后，先进行一步湿法刻蚀，然后再进行沟槽的刻蚀，沟槽刻蚀后利用湿法刻蚀去除硬掩膜层，再利用圆角化工艺对沟槽进行圆角化，可以达到沟槽顶部圆角化的效果，简化了工艺，降低了生产成本。

The method of fillet on the top of groove

【技术实现步骤摘要】
沟槽顶部圆角化的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种沟槽顶部圆角化的方法。
技术介绍
现有技术中的沟槽顶部圆角化工艺有两种，一种是在沟槽刻蚀形成之后，使用湿法刻蚀将硬掩膜层TEOS(正硅酸乙酯)向后推一定距离(pllback)，然后使用圆角化技术(rounding)将沟槽顶部圆角化，然后再去除硬掩膜，达到沟槽顶部圆角化的效果；另一种是在沟槽形成之后，使用湿法刻蚀硬掩膜层TEOS(正硅酸乙酯)向后推一定距离(pllback)，然后使用950℃的H2退火，然后再去除硬掩膜层，达到沟槽顶部圆角化的效果。参考J.Kim,T.M.Roh,S.-G.Kim,D.W.Lee,J.G.Koo,andK.-I.Cho,"ANovelProcessTechniqueforFabricatingHighReliableTrenchDMOSFETsusingSelf-AlignTechniqueandHydrogenAnnealing”,ProceedingsoftheISPSD2001pp.139-142,2001，以及S.-G.Kim本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽顶部圆角化的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、提供一衬底，在该衬底上形成一硬掩膜层并用光刻工艺定义出沟槽区域图形；/n步骤二、按照定义出的沟槽区域图形刻蚀所述硬掩膜层，所述衬底上表面为刻蚀停止层；/n步骤三、沿所述硬掩膜层的侧壁湿法刻蚀所述衬底，形成所述衬底的浅区域沟槽；/n步骤四、采用干法刻蚀工艺沿所述硬掩膜层的侧壁继续刻蚀所述衬底，形成与所述衬底的浅区域沟槽贯通的深区域沟槽；/n步骤五、去除所述硬掩膜层，并对所述沟槽顶部进行圆角化工艺；/n步骤六、对所述沟槽进行牺牲氧化，将所述沟槽顶部进一步圆角化。/n

【技术特征摘要】
1.一种沟槽顶部圆角化的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供一衬底，在该衬底上形成一硬掩膜层并用光刻工艺定义出沟槽区域图形；
步骤二、按照定义出的沟槽区域图形刻蚀所述硬掩膜层，所述衬底上表面为刻蚀停止层；
步骤三、沿所述硬掩膜层的侧壁湿法刻蚀所述衬底，形成所述衬底的浅区域沟槽；
步骤四、采用干法刻蚀工艺沿所述硬掩膜层的侧壁继续刻蚀所述衬底，形成与所述衬底的浅区域沟槽贯通的深区域沟槽；
步骤五、去除所述硬掩膜层，并对所述沟槽顶部进行圆角化工艺；
步骤六、对所述沟槽进行牺牲氧化，将所述沟槽顶部进一步圆角化。


2.根据权利要求1所述的沟槽顶部圆角化的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为N型外延层硅片。


3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴楼成，蒋章，赵振，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31