一种可抑制桥臂串扰的SiC功率器件驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可抑制桥臂串扰的SiC功率器件驱动电路。本实用新型专利技术的驱动电路包括G极驱动电路、S极驱动电路以及设在G极驱动电路与S极驱动电路之间的电容，所述的G极驱动电路包括正压电源、两个控制G极电压状态的第一G极开关管、第二G极开关管和开通、关断电阻，所述的正压电源、第一G极开关管、开通电阻、关断电阻

A kind of SiC power device driver circuit which can restrain the crosstalk of bridge arm

【技术实现步骤摘要】
一种可抑制桥臂串扰的SiC功率器件驱动电路
本技术属于电力电子
，涉及SiC功率器件，具体地说是一种可抑制桥臂串扰的SiC功率器件驱动电路。
技术介绍
SiC功率器件工作电压高、开关速度快、工作温度高，有利于提升电力电子变换器的效率及功率密度，应用前景广阔。但是SiC功率器件的高开关速度势必会造成高的电压/电流变化率，从而使得寄生参数对SiC功率器件开关特性的影响变得明显，产生的桥臂串扰问题严重影响SiC功率器件的可靠性，限制了SiC功率器件高开关速度的优势。因此为实现SiC功率器件高速可靠的应用，首先必须要解决串扰问题。桥式电路是电力电子变换器中常用结构，称处于关断状态的MOSFET为被动管，处于开关状态的MOSFET为主动管。随着器件开关速度的提高，桥式电路中主动管开通和关断过程中，处于关断状态的被动管栅源极电压发生变化，部分栅源极结电容的位移电流流过栅源极结电容，使被动管栅源极电压发生变化，出现正向尖峰或负向尖峰，称此为串扰问题。栅源极电压正向尖峰可能引起不完全导通，增加开关损耗，严重时造成桥臂短路；栅源极电压负向尖峰可能造本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可抑制桥臂串扰的SiC功率器件驱动电路，包括G极驱动电路、S极驱动电路以及设在G极驱动电路与S极驱动电路之间的电容，其特征在于，/n所述的G极驱动电路包括正压电源V

【技术特征摘要】
1.一种可抑制桥臂串扰的SiC功率器件驱动电路，包括G极驱动电路、S极驱动电路以及设在G极驱动电路与S极驱动电路之间的电容，其特征在于，
所述的G极驱动电路包括正压电源VGS、两个控制G极电压状态的第一G极开关管S1、第二G极开关管S2和开通、关断电阻Rgon、Rgoff，所述的正压电源VGS、第一G极开关管S1、开通电阻Rgon、关断电阻Rgoff、第二G极开关管S2按顺序依次串联；
所述的S极驱动电路包括负压电源VSS和两个控制S极电压状态的第一S极开关管Sa1、第二S极开关管Sa2；所述的负压电源VSS、第一S极开关管Sa1和第二S极开关管Sa2按顺序依次串联；
所述电容的一端连接在开通电阻Rgon与关断电阻Rgoff之间的G极驱动电路上，另一端连接在第一S极开关管Sa1与第二S极开关管Sa2之间的S极驱动电路上。


2.根据权利要求1所述的一种可抑制桥臂串扰的SiC功率器件驱动电路，其特征在于，所述的桥臂包括上管Q1和下管Q2，上管Q1连接Q1驱动电路，下管Q2连接Q2驱动电路；
所述的Q1驱动电路包括上管G极驱动电路、上管S极驱动电路以及设在上管G极驱动电路与上管S极驱动电路之间的上电容CH；
所述的Q2驱动电路包括下管G极驱动电路、下管S极驱动电路以及设在下管G极驱动电路与下管S极驱动电路之间的下电容CL。


3.根据权利要求2所述的一种可抑制桥臂串扰的SiC功率器件驱动电路，其特征在于，所述的上管G极驱动电路包括上管正压电源VGS_H、两个控制G极电压状态的第一上管G极开关管S1_H、第二上管G极开关管S2_H和上管开通、关断电阻Rgon_H、Rgoff_H，所述的上管正压电源VGS_H、第一上管G极开关管S1_H、上管开通电阻Rgon_H、上管关断电阻Rgoff_H、第二上管G极开关管S2_H按顺序依次串联。


4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈骞，周竞，陆翌，裘鹏，王异凡，柯人观，宣佳卓，许烽，倪晓军，丁超，王朝亮，郑眉，
申请(专利权)人：国网浙江省电力有限公司电力科学研究院，
类型：新型
国别省市：浙江;33