半导体装置制造方法及图纸

目的在于提供能够抑制多相转换器中的浪涌电压的影响的技术。半导体装置具备：寄生电感(L1、L2)，它们分别与功率晶体管(Q1、Q2)连接；以及驱动电路(DR)，其与连接点(S1、S2)连接，该连接点(S1、S2)分别将功率晶体管(Q1、Q2)和寄生电感(L1、L2)连接，该驱动电路(DR)对功率晶体管(Q1、Q2)进行驱动。驱动电路(DR)使功率晶体管(Q1、Q2)的连接点(S1、S2)处的基准电位相互绝缘。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置、特别是多相转换器。
技术介绍
以往，关于半导体装置提出有各种技术。例如在专利文献1中提出有能够抑制浪涌电压的逆变器。专利文献1：日本特开2016－092988号公报但是，在现有技术中，在多相转换器中不能抑制对一相的栅极施加其他相的浪涌电压这一情况，因此，担心产生误动作。
技术实现思路
因此，本专利技术是鉴于上述的问题而提出的，目的在于提供能够抑制多相转换器中的浪涌电压的影响的技术。本专利技术涉及的半导体装置具备：多个半导体开关元件，它们构成多相转换器，分别与各相对应；多个寄生电感，它们分别与所述多个半导体开关元件连接；以及驱动电路，其与多个连接点连接，该多个连接点分别将所述多个半导体开关元件和所述多个寄生电感连接，该驱动电路对所述多个半导体开关元件进行驱动，所述驱动电路使所述多个连接点处的所述多个半导体开关元件的基准电位相互绝缘。专利技术的效果根据本专利技术，驱动电路使多个连接点处的多个半导体开关元件的基准电位相互绝缘，因此，能够抑制多相转换器中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具备：/n多个半导体开关元件，它们构成多相转换器，分别与各相对应；/n多个寄生电感，它们分别与所述多个半导体开关元件连接；以及/n驱动电路，其分别与多个连接点连接，该多个连接点分别将所述多个半导体开关元件和所述多个寄生电感连接，该驱动电路对所述多个半导体开关元件进行驱动，/n所述驱动电路使所述多个半导体开关元件的所述多个连接点处的基准电位相互绝缘。/n

【技术特征摘要】
20180914 JP 2018-1720381.一种半导体装置，其具备：
多个半导体开关元件，它们构成多相转换器，分别与各相对应；
多个寄生电感，它们分别与所述多个半导体开关元件连接；以及
驱动电路，其分别与多个连接点连接，该多个连接点分别将所述多个半导体开关元件和所述多个寄生电感连接，该驱动电路对所述多个半导体开关元件进行驱动，
所述驱动电路使所述多个半导体开关元件的所述多个连接点处的基准电位相互绝缘。


2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：椿谷贵史，酒井伸次，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP