【技术实现步骤摘要】
一种改善驱动性能的SiCMOSFET主动驱动电路
本专利技术涉及电力电子
，更具体地说，涉及一种改善驱动性能的SiCMOSFET主动驱动电路。
技术介绍
SiCMOSFET作为极具发展前景的宽禁带半导体器件，所具有的高开关速度、低导通电阻、高热导率等优点，能够大幅减小电感、电容和散热器等元件的体积，可大幅减小电力电子装置的体积、重量和成本，大幅提高系统的性能。尽管SiCMOSFET具有多项优势，但其高开关速度也带来了诸多问题。SiCMOSFET极快的开关速度对因封装、布线及应用电路引起的寄生参数和器件自身的结电容等非常敏感，在高压和高开关速度的应用场合，环路内出现很高的dv/dt和di/dt，因寄生参数的存在极易产生开关振荡、过电压过电流以及驱动失效等问题，进而明显降低了SiCMOSFET应用电路的输出能力、电磁兼容性能和可靠性。此外，过电压和过电流的问题的存在必定会带来成本增加和器件容量浪费的问题。由高开关速度和寄生参数所带来的过冲、振荡和电磁干扰问题已成为影响碳化硅器件广泛应用的主要障碍之一。传统驱动电路无...
【技术保护点】
1.一种改善驱动性能的SiC MOSFET主动驱动电路，其特征在于，包括dI
【技术特征摘要】
1.一种改善驱动性能的SiCMOSFET主动驱动电路，其特征在于，包括dID/dt检测电路、dVDS/dt检测电路、开通过程检测判断电路、关断过程检测判断电路、驱动电流注入控制电路和驱动电流分流控制电路；所述dID/dt检测电路的输入端和输出端分别连接SiCMOSFET的主源极S和开通过程检测判断电路，dVDS/dt检测电路的输入端和输出端分别连接SiCMOSFET的漏极D和关断过程检测判断电路，主驱动电路的PWM驱动电压Vpwm连接到所述开通过程检测判断电路和关断过程检测判断电路的输入端，开通过程检测判断电路和关断过程检测判断电路的输出端都连接到驱动电流注入控制电路和驱动电流分流控制电路的输入端，主驱动电路的输出端、驱动电流注入控制电路和驱动电流分流控制电路的输出端连接到SiCMOSFET的栅极G。
2.根据权利要求1所述的主动驱动电路，其特征在于，所述dID/dt检测电路的输出量为辅助源极s和主源极S之间的寄生电感LsS上的感应电压VsS，所述dVDS/dt检测电路的输出量为由分压电阻R7和R8、电容C1、电阻R9和高速运放OP1组成的微分电路的输出电压Vdv，输出电压Vdv的电压值为-(R7/R8)*(C1*R9)*(dVds/dt)，其中Vds为SiCMOSFET的漏源极电压。
3.根据权利要求2所述的主动驱动电路，其特征在于，所述开通过程检测判断电路包括限流电阻R1和R2、四个限幅二极管D1～D4构成的双限幅电路、与逻辑门U1和反相器U2，逻辑高电平定义为0V，逻辑低电平定义为负驱动电压Vee，所述开通过程检测判断电路的输入信号为Vpwm和VsS，Vpwm和VsS两者分别经过限流电阻R1和R2、四个限幅二极管D1～D4构成的双限幅电路后连接到与逻辑门U1的输入端，与逻辑门U1的输出端输出控制信号Y1，与逻辑门U1的输出端与反相器U2连接后输出另外一个输出控制信号Y2。
4.根据权利要求3所述的主动驱动电路，其特征在于，所述关断过程检测判断电路包括限流电阻R3和R4、四个限幅二极管D5～...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘平，李海鹏，黄守道，陈梓健，陈常乐，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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