一种并联IGBT的动态均流控制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种并联IGBT的动态均流控制电路，具体结构包括；用于增加容量的并联IGBT模块和均流电感模块；所述并联IGBT模块包括n组IGBT半桥电路，其中n≥2，所述每个IGBT半桥电路中两个IGBT的连接点为输出端，IGBT半桥电路包括上桥臂开关管和下桥臂开关管，IGBT半桥电路的上桥臂开关管S

A dynamic current sharing control circuit of parallel IGBT

【技术实现步骤摘要】
一种并联IGBT的动态均流控制电路
本专利技术涉及电力电子
，尤其涉及一种并联IGBT的动态均流控制电路。
技术介绍
绝缘栅双极性晶体管(IGBT)由于结合了电力场效应管(MOSFET)和电力晶体管的优势，具有输入阻抗高，驱动功率小，开关特性好等优点，是一种理想的全控型器件，在电力电子设备中得到了广泛的应用。但是，对于高压大功率的电力电子设备，单个IGBT的容量仍然不能满足要求，多个IGBT并联起来成为提高容量的有效途径。并联之间静态与动态性能的差异会影响均流，严重时会使IGBT器件失效甚至损坏主电路，因此，IGBT并联应用的关键是确保在各个IGBT在开关动态时的电流均衡。造成IGBT并联不均流的原因主要包括(1)并联IGBT的直流母线侧连接点的电阻分量和杂散电感L的差异；(2)IGBT模块的开通门槛电压Vgeth的差异，Vgeth越高，IGBT开通时刻越晚，不同模块会有差异；(3)IGBT芯片的Vce(sat)和二极管芯片的VF的差异；(4)IGBT模块所处的温度差异；(5)IGBT模块所处的磁场差异；(6)栅极电压Vge的差异本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种并联IGBT的动态均流控制电路，其特征在于包括：用于增加容量的并联IGBT模块(1)和均流电感模块(2)；/n所述并联IGBT模块(1)包括n组IGBT半桥电路(11)，其中n≥2，所述每个IGBT半桥电路(11)中两个IGBT的连接点为输出端，IGBT半桥电路(11)包括上桥臂开关管和下桥臂开关管，IGBT半桥电路(11)的上桥臂开关管S

【技术特征摘要】
1.一种并联IGBT的动态均流控制电路，其特征在于包括：用于增加容量的并联IGBT模块(1)和均流电感模块(2)；
所述并联IGBT模块(1)包括n组IGBT半桥电路(11)，其中n≥2，所述每个IGBT半桥电路(11)中两个IGBT的连接点为输出端，IGBT半桥电路(11)包括上桥臂开关管和下桥臂开关管，IGBT半桥电路(11)的上桥臂开关管S1、S3、S5、S7、…S2n-1的PWM均相同，驱动下桥臂开关管S2、S4...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘彦呈，庄绪州，张勤进，郭昊昊，刘厶源，孙凡金，王川，魏一，
申请(专利权)人：大连海事大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21