桥式碳化硅场效应管驱动电路制造技术

本申请实施例公开了一种桥式碳化硅场效应管驱动电路，该电路包括第一碳化硅场效应管电路、第二碳化硅场效应管电路、第一驱动模块、第二驱动模块、驱动芯片和弱电平控制模块；所述第一碳化硅场效应管电路分别与所述第一驱动模块、所述驱动芯片和所述第二碳化硅场效应管电路电性连接，所述第二碳化硅场效应管电路分别与所述第二驱动模块和所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片与所述弱电平控制模块电性连接。采用本申请实施例无需复杂的负压驱动电路即可实现碳化硅场效应管的快速关断，从而减少了电路的复杂性、提高了电路的适用性。

Driving circuit of bridge type silicon carbide FET

【技术实现步骤摘要】
桥式碳化硅场效应管驱动电路
本技术涉及电源、电力电子
，尤其涉及一种桥式碳化硅场效应管驱动电路。
技术介绍
随着开关电源技术不断发展，市场上对开关电源的要求也变得越来越高，不仅要安全可靠，高效，还要体积最小。体积小型化，就要求电源密度更高，开关管作为开关电源的核心部件，势必要求损耗最小，耐压更高，性能更优良。碳化硅MOS管，相比于传统硅MOS管，以更高耐压，更低的导通电阻，极小的结电容，受到了越来越多电源厂家的青睐，尤其是在大功率电源中，为了兼顾体积，往往开关频率都比较高，传统的硅MOS管结电容较大，关断比较慢，在高开关频率工作状态下，MOS管关断损耗很大，此时碳化硅成了最佳选择。但是由于碳化硅MOS管的导通门槛电压低，所以关断时，需要给-4V到-2V左右的GS负压才能确保可靠关断。特别是桥式上下管中用的碳化硅，驱动电路往往很复杂，不仅要额外增加负压电路，还存在上下管不共地的问题。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种桥式碳化硅场效应管驱动电路，旨在解决现有技术中碳化硅场效应管驱动电路需要额外增加负压电路关断碳化硅场效应管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种桥式碳化硅场效应管驱动电路，其特征在于，包括第一碳化硅场效应管电路、第二碳化硅场效应管电路、第一驱动模块、第二驱动模块、驱动芯片和弱电平控制模块；/n所述第一碳化硅场效应管电路分别与所述第一驱动模块、所述驱动芯片和所述第二碳化硅场效应管电路电性连接，所述第二碳化硅场效应管电路分别与所述第二驱动模块和所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片与所述弱电平控制模块电性连接；/n所述弱电平控制模块用于控制所述驱动芯片；/n所述驱动芯片用于将所述第一驱动模块输出的第一驱动信号输入所述第一碳化硅场效应管电路以控制所述第一碳化硅场效应管的导通和关断，以及用于将所述第二驱动模块输出的第二驱动信号输入所述第二...

【技术特征摘要】
1.一种桥式碳化硅场效应管驱动电路，其特征在于，包括第一碳化硅场效应管电路、第二碳化硅场效应管电路、第一驱动模块、第二驱动模块、驱动芯片和弱电平控制模块；
所述第一碳化硅场效应管电路分别与所述第一驱动模块、所述驱动芯片和所述第二碳化硅场效应管电路电性连接，所述第二碳化硅场效应管电路分别与所述第二驱动模块和所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片与所述弱电平控制模块电性连接；
所述弱电平控制模块用于控制所述驱动芯片；
所述驱动芯片用于将所述第一驱动模块输出的第一驱动信号输入所述第一碳化硅场效应管电路以控制所述第一碳化硅场效应管的导通和关断，以及用于将所述第二驱动模块输出的第二驱动信号输入所述第二碳化硅场效应管电路以控制所述第二碳化硅场效应管的导通和关断，其中，所述第一驱动信号包括第一正压驱动信号和第一负压驱动信号，所述第一正压驱动信号用于驱动所述第一碳化硅场效应管导通，所述第一负压驱动信号用于关断所述第一碳化硅场效应管，所述第二驱动信号包括第二正压驱动信号和第二负压驱动信号，所述第二正压驱动信号用于驱动所述第二碳化硅场效应管导通，所述第二负压驱动信号用于关断所述第二碳化硅场效应管。


2.根据权利要求1所述的桥式碳化硅场效应管驱动电路，其特征在于，
所述第一碳化硅场效应管电路包括第一碳化硅场效应管Q1、电阻R11、电阻R12、电阻R13和二极管D1；
所述第二碳化硅场效应管电路包括第二碳化硅场效应管Q2、电阻R21、电阻R22、电阻R23和二极管D2；
其中，所述第一碳化硅场效应管Q1的漏极连接电源接线VBUS，用于为所述第一碳化硅场效应管Q1提供预设电压信号；所述电阻R11的一端与所述第一碳化硅场效应管Q1的栅极连接，所述电阻R11的另一端与所述二极管D1的正极端连接；所述二极管D1的负极端与所述驱动芯片连接；所述电阻R12的一端与所述电阻R11的一端连接，所述电阻R12的另一端与所述二极管D1的负极端连接；所述电阻R13的一端与所述电阻R12的一端连接，所述电阻R13的另一端与所述第一驱动模块连接；所述第二碳化硅场效应管Q2的漏极与所述第一碳化硅场效应管Q1的源极连接，所述第二碳化硅场效应管Q2的源极接地，所述电阻R21的一端与所述第二碳化硅场效应管Q2的栅极连接，所述电阻R21的另一端与所述二极管D2的正极端连接，所述二极管D2的负极端与所述驱动芯片连接，所述电阻R22的一端与所述电阻R21的一端连接，电阻R22的另一端与所述二极管D2的负极端连接，所述电阻R23的一端与所述电阻R22的一端连接，所述电阻R23的另一端与所述第二驱动模块连接。


3.根据权利要求1或2所述的桥式碳化硅场效应管驱动电路，其特征在于，
所述第一驱动模块包括依次连接的第一输入端、第一正激变换器和第一驱动输出电路，其中，所述第一输入端用于将第一信号输入所述第一正激变换器，所述第一正激变换器用于将所述第一信号升压后传递给所述第一驱动输出电路以输出所述第一驱动信号。


4.根据权利要求3所述的桥式碳化硅场效应管驱动电路，其特征在于，所述第一正激变换器包括磁复位模块、双抽头升压变压器、第三场效应管和脉冲驱动信号输入端，其中，所述磁复位模块的一端与所述双抽头升压变压器的原边的一端电性连接，所述磁复位模块的另一端与所述双抽头升压变压器的原边的另一端电性连接，所述双抽头升压变压器的原边的另一端与所述第三场效应管的漏极电性连接，所述第三场效应管的源极接地，所述脉冲驱动信号输...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢飞，赵德琦，吴壬华，
申请(专利权)人：深圳欣锐科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44