一种便于检测的多个MOSFET管并联电路制造技术

本发明专利技术公开了一种便于检测的多个MOSFET管并联电路。该电路特征是：在每个MOSFET管栅极驱动电阻和驱动信号预留端口之间增设驱动二极管，每个驱动二极管的阳极接公共驱动信号预留端口，从驱动电阻与各自连接的MOSFET管栅极之间引出检测点。当需要对该电路中的MOSEFET管检测时、外部检测电路将驱动源Vg接到待检测MOSFET管对应的检测点。本发明专利技术提供的方案通过对多个MOSFET管并联电路的少量改动、在不影响其正常工作的前提下，实现了在对多个MOSFET管并联电路中单一MOSFET管检测时对其它MOSFET管的驱动隔离。电路改动少，结构简洁、使用方便。

A parallel circuit of multiple MOSFET's easy to detect

【技术实现步骤摘要】
一种便于检测的多个MOSFET管并联电路
本专利技术提供一种便于检测的多个MOSEFET管并联电路。涉及开关电源、电机控制器等大功率低压设备中，用于实现功率扩容的多个MOSFET管并联电路的检测领域。
技术介绍
开关电源、电机控制器等大功率低压设备中，通常会使用多个MOSFET管并联的方式来实现功率的扩容。在MOSFET管的常规并联应用中，并联的多个MOSFET管的栅极并联到同一控制信号端。当驱动信号控制时，所有并联的MOSFET管会同时开通或关断，这就导致无法从外部电气特性来判断某一个MOSFET管的状态。同样的、当其中某一个MOSFET管发生故障时，并联后的MOSFET管呈现的电气特性为该故障MOSFET管的特性，同样导致无法判断是哪一个MOSFET管真正发生故障，极大影响了故障检测和排查的效率。现有的排查方案中，通常依靠在每个并联的MOSFET管的源极或漏极接入采样电阻。当施加外部驱动信号时，通过检测每个MOSFET对应的采样电阻上电压的变化来确定多个MOSFET管并联电路中哪些MOSFET是正常的。如图1所示、外部驱动信号Vg分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种便于检测的多个MOSFET管并联电路，该电路包括多个并联的MOSFET管和多个驱动二极管；其特征是：每个MOSFET管栅极和公共驱动信号预留端口之间增设有驱动二极管，每个驱动二极管的阳极接所述公共驱动信号预留端口；在每个驱动二极管的阴极和其对应的MSFET管的栅极之间设置检测点、用于接入外部驱动信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种便于检测的多个MOSFET管并联电路，该电路包括多个并联的MOSFET管和多个驱动二极管；其特征是：每个MOSFET管栅极和公共驱动信号预留端口之间增设有驱动二极管，每个驱动二极管的阳极接所述公共驱动信号预留端口；在每个驱动二极管的阴极和其对应的MSFET管的栅极之间设置检测点、用于接入外部驱动信号。


2.如权利要求1所述的多个MOSFET管并联电路，该电路中每个MOSFET管的栅极驱动电路中还包括一个或多个驱动电阻。


3.如权利要求1或2所述的多个MOSFET管并联电路，外部驱动信号源Vg通过驱动二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：李飞，姚欣，
申请(专利权)人：郑州嘉晨电器有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41