一种基于准分子激光退火的Mura的量化方法技术

本发明专利技术公开了一种基于准分子激光退火的Mura的量化方法，包括如下步骤：S1.在不同光强度下，分别采集准分子激光退火后同一基板相同区域的Mura图像；S2.对所述Mura图像进行图像处理，确定Mura区域面积；S3.绘制光强度与Mura区域面积的线性关系曲线；S4.重复步骤S1‑S3，在同一坐标系中绘制的各线性关系曲线均经过G点；S5.在某一光强度下，获取待测基板的选定区域的Mura图像，经图像处理后获得其Mura区域面积；根据所述光强度和Mura区域面积在上述坐标系中绘制A点；S6.连接所述G点和A点，获得直线，计算所述直线的斜率；S7.采用所述斜率或斜率的倒数来进行所述选定区域Mura量化。本发明专利技术中，可量化评判准分子激光退火工艺后多晶硅的质量，弥补了人眼主观感受评价缺陷。

A quantitative method of mura based on excimer laser annealing

【技术实现步骤摘要】
一种基于准分子激光退火的Mura的量化方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种基于准分子激光退火的Mura的量化方法。
技术介绍
低温多晶硅(LowTemperaturePolySilicon，简称LTPS)薄膜由于其原子排列规则，载流子迁移率高（10-300cm2/Vs），应用于等电子元器件时，可使TFT具有更高的驱动电流，因此，在TFT的制作工艺中广泛采用LTPS薄膜作为TFT的核心结构之一的有源层的材料。目前，在现代TFT制造工艺中，多采用准分子激光退火(Excimerlaserannealing，ELA)的方法形成多晶硅有源层。其中，ELA法主要通过一定能量的准分子激光对非晶硅薄膜进行激光照射，利用激光光束的能量使非晶硅在高温下转变成LTPS。ELA形成的多晶硅TFT具有迁移率很高的优点。但由于所用激光能量的不稳定性和光束不同位置能量的不均匀性，会导致得到的多晶硅结晶率、晶粒大小和内部缺陷密度不同。这些差异又与TFT的临界电压（Vth）和迁移率紧密相关，反应到OLED显示器中就会出现发光亮度不均匀（Mura）。当前，基于准本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于准分子激光退火的Mura的量化方法，其特征在于，包括如下步骤：/n S1. 在不同光强度下，分别采集准分子激光退火后同一基板相同区域的Mura图像；/nS2.对所述Mura图像进行图像处理，确定Mura区域面积；/nS3. 绘制光强度与Mura区域面积的线性关系曲线；/nS4.重复步骤S1-S3，在同一坐标系中绘制的各线性关系曲线均经过G点；/nS5.在某一光强度下，获取待测基板的选定区域的Mura图像，经图像处理后获得其Mura区域面积；根据所述光强度和Mura区域面积在上述坐标系中绘制A点；/nS6.连接所述G点和A点，获得直线，计算所述直线的斜率；/nS7.采用所述斜率或斜率...

【技术特征摘要】
1.一种基于准分子激光退火的Mura的量化方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.在不同光强度下，分别采集准分子激光退火后同一基板相同区域的Mura图像；
S2.对所述Mura图像进行图像处理，确定Mura区域面积；
S3.绘制光强度与Mura区域面积的线性关系曲线；
S4.重复步骤S1-S3，在同一坐标系中绘制的各线性关系曲线均经过G点；
S5.在某一光强度下，获取待测基板的选定区域的Mura图像，经图像处理后获得其Mura区域面积；根据所述光强度和Mura区域面积在上述坐标系中绘制A点；
S6.连接所述G点和A点，获得直线，计算所述直线的斜率；
S7.采用所述斜率或斜率的倒数来进行所述选定区域Mura量化。


2.如权利要求1所述的基于准分子激光退火的Mura的量化方法，其特征在于，步骤S2中，通过图片处理软件对所述Mura图像进行图像处理，得到各像素的灰阶强度，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨曲，周波，马春华，林锦辉，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51