【技术实现步骤摘要】
一种继电保护装置NVRAM数据存储状态预测方法
本专利技术创造属于继电保护领域，尤其是涉及一种继电保护装置NVRAM数据存储状态预测方法。
技术介绍
在电气化铁路牵引变电站综合自动化系统中，继电保护装置的技术条件要求：故障报告、故障录波、事件报告、定值等，在失去直流电源的情况下不应丢失；在电源恢复正常后，应能重新正确显示并输出。由于故障报告、故障录波、事件报告、定值等数据存储在继电保护装置的NVRAM中，当继电保护装置失去直流电源后，NVRAM的数据存储状态是由为其供电的超级电容剩余电压决定的，而超级电容的剩余电压容易受到自身和外界条件的影响，如环境温度、湿度、电极劣化、电解液分解、老化、外部应力、充电电压不均衡及厂商生产因素等导致超级电容剩余电压变化呈非线性、非平稳下降趋势。因此研究一种继电保护装置NVRAM数据存储状态预测方法，可在NVRAM数据存储状态发生改变之前提前预测出状态改变趋势，以提醒维护人员及时对该装置进行处理，避免继电保护装置在失去直流电源后丢失故障报告、故障录波、事件报告、定值等数据的情况。
【技术保护点】
1.一种继电保护装置NVRAM数据存储状态预测方法，其特征在于，包括：/nS1、搭建继电保护装置NVRAM的数据存储状态原始数据采集平台，获取n组原始超级电容剩余电压数据；/nS2、将步骤S1中得到的多组原始超级电容剩余电压数据进行分解，得到趋势项和随机项，滤除随机项，对趋势项进行二次重构；/nS3、根据步骤S2中重构后的超级电容剩余电压数据趋势项，建立继电保护装置NVRAM数据存储状态预测模型，并优化模型参数；/nS4、利用优化后的预测模型，实现对继电保护装置NVRAM数据存储状态的预测。/n
【技术特征摘要】
1.一种继电保护装置NVRAM数据存储状态预测方法，其特征在于，包括：
S1、搭建继电保护装置NVRAM的数据存储状态原始数据采集平台，获取n组原始超级电容剩余电压数据；
S2、将步骤S1中得到的多组原始超级电容剩余电压数据进行分解，得到趋势项和随机项，滤除随机项，对趋势项进行二次重构；
S3、根据步骤S2中重构后的超级电容剩余电压数据趋势项，建立继电保护装置NVRAM数据存储状态预测模型，并优化模型参数；
S4、利用优化后的预测模型，实现对继电保护装置NVRAM数据存储状态的预测。
2.根据权利要求1所述的一种继电保护装置NVRAM数据存储状态预测方法，其特征在于，所述步骤S1中继电保护装置NVRAM的配置方案为：
在继电保护装置的CPU主板上设置超级电容，所述超级电容与SRAM搭配使用构成一种NVRAM；
当装置电源正常供电时，装置电源通过具有防反充功能的充电模块给超级电容充电，装置电源同时给也给SRAM供电；
当装置电源掉电时，电源切换模块检测到掉电信号后，切换到超级电容给SRAM供电，保证装置电源掉电后，SRAM上的数据不丢失。
3.根据权利要求1所述的一种继电保护装置NVRAM数据存储状态预测方法，其特征在于，所述步骤S1中，获取n组原始超级电容剩余电压数据的具体步骤如下：
S10、测试前准备；首先准备待测的CPU主板N块，保证CPU主板的功能全部正常，然后设置继电保护装置NVRAM数据存储状态原始数据采集平台处于等待状态；
S11、在超级终端软件中设置COM端口x和波特率B，给数据采集平台上电；
S12、当超级终端软件界面出现打印信息，且出现停止autoboot延时后，输入停止密钥，进入uboot调试交互状态；
S13、输入擦除flash指令，完成对数据flash和程序flash的擦除，同时保留ubootflash的程序；
S14、在uboot调试交互状态继续输入写NVRAM指令，在1MB的NVRAM上写满0x55，写完后再读出数据比较写入的正确性，完成后进入下一步，错误则重新进行写NVRAM指令输入；
S15、给超级电容充电，时间为t0；分别给N块CPU主板上的超级电容充电，并用电压表测试超级电容的电压，当电压U0′大于U0时，停止充电，并记录t0和U0′，
S16、将充电完成后的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈东阳，王传启，宋金川，董文宽，闫兆辉，陈磊，卢洪堃，郭和山，赵双石，闫雪松，
申请(专利权)人：天津凯发电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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