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本发明创造提供了一种继电保护装置NVRAM数据存储状态预测方法，包括：S1、搭建继电保护装置NVRAM的数据存储状态原始数据采集平台，获取n组原始超级电容剩余电压数据；S2、将步骤S1中得到的多组原始超级电容剩余电压数据进行分解，得到趋势项...
该专利属于天津凯发电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津凯发电气股份有限公司授权不得商用。

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