【技术实现步骤摘要】
用于半导体器件的电子束检测设备、和电子束检测组件
本公开涉及半导体检测
，尤其涉及一种用于半导体器件的电子束检测设备、和一种电子束检测组件。
技术介绍
在半导体器件例如半导体硅片的制造过程中，电子束检测装置例如扫描电镜被用来检测半导体器件在生产过程中出现的缺陷(例如执行硅片图形检测)，所述缺陷包括但不限于硅片光刻工艺缺陷、曝光工艺缺陷等。所述电子束检测装置的主要工作原理是利用高能电子束轰击检测物体的表面，被轰击区域会产生二次电子、背散射电子等，通过采集这些二次电子、背散射电子来生成电信号，由此体现了被检测物体的各种物理、化学信息，诸如检测物体表面的形貌、成分等。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面，本专利技术提供了用于半导体器件的电子束检测设备、和电子束检测组件。为实现上述目的，所述技术方案如下：根据本公开的第一方面，提供了一种用于半导体器件的电子束检测设备，包括：工作台，以顶面承载所述半导体器件且能够沿正交的两方向平移；瞄准装置，配置成通过采集所述半...
【技术保护点】
1.一种用于半导体器件的电子束检测设备，包括：/n工作台，以顶面承载所述半导体器件且能够沿正交的两方向平移；/n瞄准装置，配置成通过采集所述半导体器件的图像来确定所述半导体器件在所述电子束检测设备的坐标系中的位置，且具备第一视场和第一光轴；和/n电子束检测装置，配置成通过向所述半导体器件投射电子束和检测从所述半导体器件出射的电子束，且具备第二视场和与所述第一光轴不叠合的第二光轴；/n其中，/n所述电子束检测设备还包括反射装置，配置成将所述半导体器件的待测区域反射成像到所述瞄准装置内；且/n所述第一视场利用所述反射装置的反射而投影到所述顶面上的第一可视区域，所述第二视场沿着所...
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体器件的电子束检测设备，包括：
工作台，以顶面承载所述半导体器件且能够沿正交的两方向平移；
瞄准装置，配置成通过采集所述半导体器件的图像来确定所述半导体器件在所述电子束检测设备的坐标系中的位置，且具备第一视场和第一光轴；和
电子束检测装置，配置成通过向所述半导体器件投射电子束和检测从所述半导体器件出射的电子束，且具备第二视场和与所述第一光轴不叠合的第二光轴；
其中，
所述电子束检测设备还包括反射装置，配置成将所述半导体器件的待测区域反射成像到所述瞄准装置内；且
所述第一视场利用所述反射装置的反射而投影到所述顶面上的第一可视区域，所述第二视场沿着所述电子束的光路投影到所述顶面上的第二可视区域。
2.根据权利要求1所述的电子束检测设备，其中，所述第一光轴与所述第二光轴成非零角度，且所述第一可视区域与所述第二可视区域各自中心间隔开布置或同心布置。
3.根据权利要求2所述的电子束检测设备，其中，在所述第一可视区域与所述第二可视区域同心布置的情况下，所述反射装置能够在第一位置与第二位置之间切换，所述待测区域被位于所述第一位置处的所述反射装置反射成像到所述瞄准装置的第一视场内，且所述第二位置偏离所述电子束的光路。
4.根据权利要求3所述的电子束检测设备，其中，所述反射装置能够在第一位置与第二位置之间移动。
5.根据权利要求3或4所述的电子束检测设备，其中，所述反射装置能够在第一位置与第二位置之间转动。
6.根据权利要求3所述的电子束检测设备，其中，所述反射装置在所述第一位置处时，所述电子束检测装置关闭，且所述待测区域位于所述第一可视区域；或
所述反射装置在所述第二位置处时，所述电子束检测装置开启，且所述待测区域位于所述第二可视区域。
7.根据权利要求3所述的电子束检测设备，其中，所述第一位置处于所述电子束的光路中。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子束检测设备，其中，
所述第一光轴与所述第二光轴以非零角度相交。
9.根据权利要求8所述的电子束检测设备，其中，
所述第一光轴与所述第二光轴正交地相交。
10.根据权利要求9所述的电子束检测设备，其中，所述第一光轴与所述顶面平行，所述第二光轴与所述顶面垂直。...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋磊，赵焱，
申请(专利权)人：中科晶源微电子技术北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。