【技术实现步骤摘要】
共晶组件的低温烧结方法
本专利技术涉及电子产品制造工艺
，具体地，涉及一种共晶组件的低温烧结方法。
技术介绍
在微波放大器模块加工中，功放芯片的选用最为核心；然而功放芯片在使用过程中对散热要求很高，使用导电胶粘接工艺往往不能满足其快速散热。共晶组件烧结是通过焊锡融化后将共晶后的功放芯片直接与壳体烧结，与地直接接触，接触面积大，散热效果好、不易损坏；因此共晶组件烧结是目前接地散热的最佳工艺。在原有工艺中，共晶组件与壳体的烧结是使用低温焊膏为烧结焊料，在烧结过程中会出现以下几个问题：1、使用低温焊膏，焊膏是一种均质混合物，焊膏里面含有大量的助焊剂，一般占锡膏质量的8％-12％。助焊剂在生产过程中，焊后残留物高，残留物中含有卤素离子，若清洗不彻底，会逐步引起电气绝缘性能下降和短路问题。2、使用低温焊膏烧结的流程是，壳体一次预热、焊膏预覆锡、清洗、共晶组件预覆锡、壳体二次预热、共晶组件烧结；此过程，工序多、时间久、效率低。3、低温焊膏在加热台上的操作时间控制极限15秒，焊膏量不可控制，时间过久，...
【技术保护点】
1.一种共晶组件的低温烧结方法，其特征在于，包括：/n步骤一、低温焊片的切割；/n步骤二、免清洗助焊剂的使用；/n步骤三、壳体的预覆锡；/n步骤四、共晶组件的烧结；/n步骤五、验证结果。/n
【技术特征摘要】
1.一种共晶组件的低温烧结方法，其特征在于，包括：
步骤一、低温焊片的切割；
步骤二、免清洗助焊剂的使用；
步骤三、壳体的预覆锡；
步骤四、共晶组件的烧结；
步骤五、验证结果。
2.根据权利要求1所述的共晶组件的低温烧结方法，其特征在于，步骤一包括：观察微带板上预留待烧结的共晶组件的孔位置的尺寸，若孔是尺寸大于3×3mm，采用将低温焊片使用单面刀片切割成若干个2×8mm的细长条放置于载物盒备用；若孔的尺寸是小于3×3mm，则根据孔的大小，使用手术刀切割低温焊片，焊片大小是孔尺寸的一半，根据待烧结组件的数量，切割成若干小片矩形焊片放置于载物盒中备用。
3.根据权利要求1所述的共晶组件的低温烧结方法，其特征在于，步骤二包括：准备一只2.5ml针管注射器，从瓶装的免清洗助焊剂里抽取适量的助焊剂备用；先将待进行共晶组件烧结的壳体置于显微镜下，在待烧结的位置处，使用针管注射器注射少量的免清洗助焊剂；然后在...
【专利技术属性】
技术研发人员：奚凤鸣，周宗明，李明，汪宁，丁涛涛，张丽，
申请(专利权)人：安徽华东光电技术研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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