【技术实现步骤摘要】
操作极紫外光产生装置的方法及极紫外辐射产生装置
本揭露的一实施方式有关于产生极紫外(EUV)辐射的装置,以及操作以产生EUV辐射的方法。
技术介绍
极紫外(Extremeultraviolet;EUV)微影正在用以制造具有小于22nm的特征尺寸的半导体元件,以满足集成电路中增大的元件密度的一直存在的需求。一种产生EUV微影的EUV辐射的方法为通过使用激光产生的电浆(laserproducedplasma;LPP),其中使用激光加热熔融金属(诸如锡)的液滴以产生发射EUV辐射的电浆。因为EUV辐射为电离辐射,故EUV辐射源通常保持在真空下。换言之,将熔融金属液滴引入真空腔室中,在真空腔室中加热熔融金属液滴以产生EUV辐射。由电浆产生的EUV辐射由收集器镜来收集并聚焦在其他光学元件上,EUV辐射从此光学元件被引导至微影工具。
技术实现思路
本揭露的一实施方式有关于一种操作极紫外(EUV)光产生装置的方法。其中EUV光产生装置包括容器,容器具有进气口、待连接至扫描器的界面口、设置在界面口处的闸阀以及排气 ...
【技术保护点】
1.一种操作一极紫外光产生装置的方法,其特征在于,该极紫外光产生装置包括一容器,该容器具有一进气口、待连接至一扫描器的一界面口、设置在该界面口处的一闸阀、及一排气口,该方法包括:/n产生极紫外光,同时从该进气口供应一气体并从该排气口排出该气体;/n停止该极紫外光产生;/n在停止该极紫外光产生之后,增大从该排气口排出的该排气的一流速;以及/n在增大该流速之后,关闭该闸阀。/n
【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,977;20190925 US 16/582,0121.一种操作一极紫外光产生装置的方法,其特征在于,该极紫外光产生装置包括一容器,该容器具有一进气口、待连接至一扫描器的一界面口、设置在该界面口处的一闸阀、及一排气口,该方法包括:
产生极紫外光,同时从该进气口供应一气体并从该排气口排出该气体;
停止该极紫外光产生;
在停止该极紫外光产生之后,增大从该排气口排出的该排气的一流速;以及
在增大该流速之后,关闭该闸阀。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
在停止极紫外光产生之后,监测一压力紊流以抑制从该闸阀朝向该极紫外光产生装置的一收集器镜的气流。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
基于在位于该容器内的一压力感测器处量测的一内压力值,来控制该排气的该流速。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
基于由位于该容器内的一压力感测器量测的一内压力及位于该容器外部的一压力感测器量测的一外压力,来控制该排气的该流速。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
基于由邻近于一扫描器闸阀的一压力感测器量测的一局部压力,来控制该排气的该流速。
...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈思妤,许哲彰,杨基,简上傑,陈立锐,郑博中,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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