【技术实现步骤摘要】
曝光装置及曝光方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种曝光装置及曝光方法。
技术介绍
半导体工业一直被“提升分辨率”所驱动，所谓提升分辨率是指制作更小特征尺寸和更小芯片的能力，分辨率的提升改善芯片的性能，为芯片制造商带来利润。传统投影光刻曝光系统分辨率是由瑞利公式计算得到，对于当前最先进的曝光系统，可以达到曝光分辨率为36nm，仍然不是很理想，需要进一步提高分辨率，为了进一步提高分辨率，需要引入复杂的双曝光，多曝光技术，或者开发波长更短的曝光系统，但是采用上述方法使用的技术和工艺十分复杂，且成本昂贵。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种曝光装置及曝光方法,以解决现有工艺中为提高曝光系统分辨率采用的技术和工艺复杂且成本昂贵的问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种曝光装置,包括：写入光源、抑制光源、合束单元、空间光调制器、投影物镜及工件台，所述工件台上放置有涂有光刻胶的基底；所述写入光源发出写入光束，用于触发所述光刻胶的光聚合反应；所述抑制光源发出抑制光束，用于...
【技术保护点】
1.一种曝光装置，其特征在于，包括写入光源、抑制光源、合束单元、空间光调制器、投影物镜及工件台，所述工件台上放置有涂有光刻胶的基底；所述写入光源发出写入光束，用于触发所述光刻胶的光聚合反应；所述抑制光源发出抑制光束，用于抑制所述光刻胶的光聚合反应；所述合束单元将所述写入光束与所述抑制光束合束形成曝光光束；所述空间光调制器通过调制所述曝光光束以控制照射至所述基底上的曝光图形。/n
【技术特征摘要】
1.一种曝光装置，其特征在于，包括写入光源、抑制光源、合束单元、空间光调制器、投影物镜及工件台，所述工件台上放置有涂有光刻胶的基底；所述写入光源发出写入光束，用于触发所述光刻胶的光聚合反应；所述抑制光源发出抑制光束，用于抑制所述光刻胶的光聚合反应；所述合束单元将所述写入光束与所述抑制光束合束形成曝光光束；所述空间光调制器通过调制所述曝光光束以控制照射至所述基底上的曝光图形。
2.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述空间光调制器包括若干微反射镜，每个所述微反射镜均可偏转使经所述微反射镜的所述曝光光束入射至所述投影物镜或照射至所述投影物镜之外。
3.如权利要求1或2所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光装置还包括光分割单元，所述光分割单元包括第一分割器和第二分割器，所述第一分割器分割所述写入光束形成写入光束阵列，所述第二分割器分割所述抑制光束形成抑制光束阵列。
4.如权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，所述第一分割器和第二分割器均为微透镜阵列。
5.如权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，所述写入光束阵列中写入光束的数量、所述抑制光束阵列中抑制光束的数量均与经所述空间光调制器出射的曝光光束的数量相等。
6.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述抑制光源与所述合束单元之间设置有位相调制单元，所述位相调制单元用于将所述抑制光束的抑制光斑的形状调制为环形。
7.如权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光光束中的所述抑制光束围绕所述写入光束，且两光束共心设置。
8.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光装置还包括分束器和对准单元，所述曝光光束经过所述投影物镜后照射至所述基底，被所述基底反射后形成对准光束，所述对准光束经所述分束器后入射至所述对准单元；所述对准单元对接收的所述基底反射的对准光束成像，用于监测所述曝光光束照射至所述基底上的曝光光斑的形状以及所述曝光光束照射至所述基底上的焦面变化。
9.如权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，所述写入光源与所述第一分割器之间设置有第一扩束镜，所述抑制光源与所述第二分割器之间设有第二扩束镜。
10.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述合束单元与所述空间光调制器之间还设置有一全内反射棱镜。
11.一种曝光方法，采用如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：李玉龙，王帆，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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