光刻工艺监测方法技术

一种执行光刻工艺的方法包括提供测试图案。测试图案包括以第一间距布置的第一组线、以第一间距布置的第二组线，并且还包括在第一组线和第二组线之间的至少一条参考线。用辐射源曝光测试图案，以在衬底上形成测试图案结构，辐射源提供不对称的单极照射轮廓。然后测量测试图案结构，并且将测量的距离与光刻参数的偏移相关联。基于光刻参数的偏移来调整光刻工艺。本发明专利技术的实施例还涉及光刻工艺监测方法。

Monitoring method of photolithography process

【技术实现步骤摘要】
光刻工艺监测方法
本专利技术的实施例涉及光刻工艺监测方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。在IC演变过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。然而，这种按比例缩小也伴随着包含这些IC的器件的设计和制造的复杂性增加。制造业的平行进步使得越来越复杂的设计能够以精确和可靠的方式制造。例如，一些进步补偿了在光刻极限附近发生的光学效应和处理缺陷。在许多示例中，使用一组光刻掩模在半导体衬底上限定并形成IC部件。掩模具有由透射和/或反射区形成的图案。在光刻曝光期间，诸如紫外光的辐射在撞击衬底上的光刻胶涂层之前穿过掩模或从掩模反射。通过将图案曝光到光刻胶上来转移掩模，然后选择性地去除光刻胶以显示图案。然后衬底经历处理步骤，该处理步骤利用剩余光刻胶的形状以在衬底上产生电路部件。当处理步骤完成时，施加另一光刻胶并使用下一掩模曝光衬底。通过这种方式，部件是层状的以产生最终电路。当曝光设备用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种执行半导体器件的光刻工艺的方法，所述方法包括：/n提供具有多条线的测试图案，所述多条线以第一间距和第二间距布置；/n曝光所述测试图案以在半导体衬底上形成具有所述测试图案的测试结构；/n测量所述测试结构，其中，所述测量包括：/n确定所述多条线的第一线和所述多条线的第二线之间的距离，其中，所述多条线的至少第三线插入所述第一线和所述第二线；和/n将所述距离与光刻参数的偏移相关联；以及/n在另一半导体衬底上曝光电路图案之前调整所述光刻参数。/n

【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,198;20181220 US 16/227,9391.一种执行半导体器件的光刻工艺的方法，所述方法包括：
提供具有多条线的测试图案，所述多条线以第一间距和第二间距布置；
曝光所述测试图案以在半导体衬底上形成具有所述测试图案的测试结构；
测量所述测试结构，其中，所述测量包括：
确定所述多条线的第一线和所述多条线的第二线之间的距离，其中，所述多条线的至少第三线插入所述第一线和所述第二线；和
将所述距离与光刻参数的偏移相关联；以及
在另一半导体衬底上曝光电路图案之前调整所述光刻参数。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用扫描电子显微镜执行确定所述距离。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻参数是聚焦或剂量的一种。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三线以所述第二间距设置。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，测量所述测试结构还包括：
确定所述第三线和所述第一线之间的第二距离；以及
确定所述第三线和所述第二线之间的第三距离。


6.根据权利要求5所述的方法，还包括：
将所述第二距离和所述第三距离之间的差与另一光刻参数相关联。

【专利技术属性】
技术研发人员：李志杰，黄世钧，张世明，谢艮轩，严永松，刘如淦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71