化学机械研磨混合液及研磨方法技术

提供一种化学机械研磨方法，包括：安装半导体晶圆于所述研磨头，所述半导体晶圆的表面形成一膜层；将由第一供液器提供的化学机械研磨液和由第二供液器提供的螯合剂混合形成混合液，所述化学机械研磨液具有大于7的pH值并使得在化学研磨制程中所述混合液维持在碱性；以及将所述混合液导出到所述平台上的研磨垫，由所述研磨头带动所述半导体晶圆在所述研磨垫上进行研磨。本发明专利技术的研磨液方法将碱性研磨液与中包含螯合剂即用即混，在碱性条件下，螯合剂与研磨液中的金属螯合，从而切断研磨颗粒之间的连接，降低研磨颗粒的聚集，从而降低对晶圆的损伤，采用本发明专利技术的研磨方法晶圆表面单位面积内0.12微米的刮痕的数量可以少于4000。

Chemical mechanical grinding mixture and grinding method

【技术实现步骤摘要】
化学机械研磨混合液及研磨方法
本专利技术属于化学机械研磨
，具体的涉及一种化学机械研磨混合液及化学机械研磨方法。
技术介绍
晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(Lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高，化学机械研磨(CMP)的作用越来越重要。CMP是利用化学作用和机械作用将晶圆不平整的表面研磨成平坦的表面，并且可以实现全局的平坦化。化学机械研磨中，研磨液的性能直接影响抛光后表面的质量。研磨液一般由超细固体粒子研磨颗粒(如纳米级的SiO2、Al2O3粒子等)、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等组成，研磨颗粒提供研磨作用。如何减小晶圆化学机械研磨后晶圆表面的刮痕率，一直都是本领域技术人员要解决的技术问题。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种能够减少晶圆表面刮痕的化学机械研磨液，和研磨方法。本专利技术一方面提供一种化学机械研磨方法，包括：提供一化学机械研磨装置，所述化学机械研磨装置包括用于安装研磨垫的平台、用于固定晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：/n提供一化学机械研磨装置，所述化学机械研磨装置包括用于安装研磨垫的平台、用于固定晶圆进行研磨且在所述平台上活动的研磨头、用于供给化学机械研磨液的第一供液器、用于供给螯合剂的第二供液器以及用于混合液的第三供液器，其中所述第三供液器具有混合槽，所述第一供液器的供液口和所述第二供液器的供液口连接至所述混合槽，所述第三供液器的供液口对准在所述平台上；/n安装半导体晶圆于所述研磨头，所述半导体晶圆的表面形成一膜层；/n进行化学机械研磨制程中预先混合的步骤，将由所述第一供液器提供的化学机械研磨液和由所述第二供液器提供的螯合剂混合形成在所述混合槽中的混合液，所述...

【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：
提供一化学机械研磨装置，所述化学机械研磨装置包括用于安装研磨垫的平台、用于固定晶圆进行研磨且在所述平台上活动的研磨头、用于供给化学机械研磨液的第一供液器、用于供给螯合剂的第二供液器以及用于混合液的第三供液器，其中所述第三供液器具有混合槽，所述第一供液器的供液口和所述第二供液器的供液口连接至所述混合槽，所述第三供液器的供液口对准在所述平台上；
安装半导体晶圆于所述研磨头，所述半导体晶圆的表面形成一膜层；
进行化学机械研磨制程中预先混合的步骤，将由所述第一供液器提供的化学机械研磨液和由所述第二供液器提供的螯合剂混合形成在所述混合槽中的混合液，所述化学研磨液包括研磨颗粒和水，所述化学机械研磨液具有大于7的pH值并使得在化学研磨制程中所述混合液维持在碱性；以及
进行化学机械研磨以平坦化所述膜层的步骤，由所述第三供液器提供的所述混合液导出到所述平台上的研磨垫，由所述研磨头带动所述半导体晶圆在所述研磨垫上进行研磨。


2.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述混合槽位于所述平台上并与所述第三供液器的供液口整合连接为液体混合涂料器。


3.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述螯合剂占所述混合液总重量的0.09％-0.12％。

【专利技术属性】
技术研发人员：席涛，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34