一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备制造技术

本实用新型专利技术提供的一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备，静电吸盘组件包括：静电吸盘，用于安装待蚀刻的晶圆；接地挂环，接地挂环套设在静电吸盘的外侧；基座，静电吸盘和接地挂环设置在基座上；其中，接地挂环包括外壁，基座和静电吸盘暴露出外壁，外壁上形成有倾斜角，倾斜角将喷射到其上的等离子体的方向改变为斜下方，加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率。本实用新型专利技术通过倾斜角改变了喷射在其上的等离子体的方向，使得其方向朝下，以加快静电吸盘边缘处的气流下排速率，从而加快等离子体处理室中气体导出率，还减少了蚀刻时在静电吸盘边缘处以及接地环盖上沉积的残留物，从而降低残留物剥离对产品良率的影响。

An electrostatic sucker assembly and plasma etching equipment

【技术实现步骤摘要】
一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备
本技术涉及集成电路工艺装置，特别涉及一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备。
技术介绍
在超大规模集成电路(ULSI)制造工艺中，随着电路尺寸的不断缩小，开始通过增加淀积层数的方法，在垂直方向上进行拓展。这些增加的层在器件、电路中起着各种不同的作用，主要可作为栅电极、多层布线的层间绝缘膜、金属布线、电阻、表面钝化层等。对于小图形，其分辨率受晶圆表面的条件影响很大，随着特征图形尺寸减小到亚微米级，芯片制造工艺对低缺陷密度的要求越来越迫切，对蚀刻工艺的要求也越来越高，会影响到器件的电性能和机械性能，并进而影响到器件的成品率及产量。当需要对晶圆进行蚀刻工艺时，所述晶圆将首先被置于一反应腔室内的静电吸盘组件上，具体的，置于静电吸盘组件的静电吸盘上，然后通过喷头将蚀刻工艺所需的等离子体注入等离子体腔室中，并执行蚀刻工艺。请参考图1，其为现有的静电吸盘组件的结构示意图。如图1所示，静电吸盘组件包括基座10、静电吸盘20、静电吸盘保护环30、接地挂环(groundring)40和接地环盖50，所述静电吸盘20设置在基座10上，且所述静电吸盘20用于安装待蚀刻的晶圆，所述静电吸盘保护环30设置在静电吸盘20外侧，所述接地挂环40设置在所述静电吸盘保护环30外侧，且所述接地挂环40呈柱体环状，所述接地环盖50设置在所述接地线挂环40背向基座10的一侧上。在喷头将等离子体喷向晶圆时，受到接地挂环40的形状的影响，静电吸盘20边缘处的气流无法顺利排出，造成了静电吸盘20边缘处的气流下排速率较低，影响了晶圆边缘部位的蚀刻速率，同时，在蚀刻过程中，在静电吸盘20的边缘处以及接地环盖50上容易沉积残留物，该残留物产生的杂质可能从附着处剥落下来，最终可能落在晶圆上，特别是晶圆边缘部位上，在晶圆表面产生刻蚀缺陷，影响最终形成的半导体器件的电学性能，影响了半导体器件的良率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备，以提高静电吸盘边缘处的气流下排速率，并降低残留物剥离对产品良率的影响。为了解决上述问题，本技术提供了一种静电吸盘组件，包括：静电吸盘，用于安装待蚀刻的晶圆；接地挂环，所述接地挂环套设在所述静电吸盘的外侧；基座，所述静电吸盘和接地挂环设置在所述基座上；其中，所述接地挂环包括外壁，所述基座和静电吸盘暴露出所述外壁，所述外壁上形成有倾斜面，所述倾斜面将喷射到其上的等离子体的方向改变为斜下方，加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率。可选的，所述静电吸盘包括侧壁、上壁和下壁，所述静电吸盘的下壁朝向所述基座，所述静电吸盘的上壁安装待蚀刻的晶圆，所述静电吸盘的侧壁朝向所述接地挂环的套设方向。进一步的，所述接地挂环呈环状，所述接地挂环还包括内壁和下壁，所述接地挂环的下壁朝向所述基座，所述接地挂环的内壁朝向所述静电吸盘的侧壁。更进一步的，所述接地挂环的外壁至少包括所述倾斜面。更进一步的，所述接地挂环的外壁包括所述倾斜面。更进一步的，所述倾斜面包括平面倾斜面。可选的，还包括静电吸盘保护环，所述静电吸盘保护环套设在所述静电吸盘的外侧，且位于所述静电吸盘和接地挂环之间。可选的，还包括接地环盖，其覆盖所述接地挂环的外壁。另一方面，本技术还提供了一种等离子体蚀刻设备，包括上述所述的静电吸盘组件。可选的，还包括等离子体处理室、喷头和排气口，所述静电吸盘组件、喷头和排气口设置在所述等离子体处理室中，所述静电吸盘组件设置在所述喷头和排气口之间。由于采用了以上技术方案，本技术具有以下有益效果：本技术提供的一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备，所述静电吸盘组件包括：静电吸盘，用于安装待蚀刻的晶圆；接地挂环，所述接地挂环套设在所述静电吸盘的外侧；基座，所述静电吸盘和接地挂环设置在所述基座上；其中，所述接地挂环包括外壁，所述基座和静电吸盘暴露出所述外壁，所述外壁上形成有倾斜角，所述倾斜角将喷射到其上的等离子体的方向改变为斜下方，加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率。本技术通过倾斜角改变了喷射在其上的等离子体的方向，使得其方向朝下，以加快静电吸盘边缘处的气流下排速率，从而加快等离子体处理室中气体导出率，还减少了蚀刻时在静电吸盘边缘处以及接地环盖上沉积的残留物，从而降低残留物剥离对产品良率的影响。进一步的，所述接地挂环的外壁包括所述倾斜角的倾斜面，且所述倾斜面包括平面倾斜面，其进一步加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率，加快等离子体处理室中气体导出率，减少了蚀刻时在静电吸盘边缘处以及接地环盖上沉积的残留物，进而降低残留物剥离对产品良率的影响。附图说明图1为一种静电吸盘组件的结构示意图；图2为本技术的一实施例的静电吸盘组件的结构示意图；附图标记说明：附图1中：10-基座；20-静电吸盘；30-静电吸盘保护环；40-接地挂环；50-接地环盖；附图2中：100-基座；200-静电吸盘；300-静电吸盘保护环；400-接地挂环；500-接地环盖。具体实施方式如
技术介绍
中所提及，呈柱体环状的接地挂环40将喷射在其上的等离子体的方向为斜上方，与喷射到接地挂环40上的等离子体滞留在接地挂环40上方，而这部分等离子体无法与接地挂环40发生反应，气体无法消耗，使得此处沉积了较多的等离子体，这些等离子体影响了等离子体腔室中气流下排的速率，同时，这些气体加快了晶圆边缘处的蚀刻速率，影响了半导体器件的电学性能，影响了半导体器件的良率，另外，由于接地挂环40上方气流较慢，使得静电吸盘20边缘处以及接地环盖50上容易沉积残留物，这些残留物也影响了蚀刻工艺的正常进行，进一步影响了半导体器件的电学性能，影响了半导体器件的良率。基于上述分析，本技术提供了一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备，所述静电吸盘组件包括：静电吸盘，用于安装待蚀刻的晶圆；接地挂环，所述接地挂环套设在所述静电吸盘的外侧；基座，所述静电吸盘和接地挂环设置在所述基座上；其中，所述接地挂环包括外壁，所述基座和静电吸盘暴露出所述外壁，所述外壁上形成有倾斜角，所述倾斜角将喷射到其上的等离子体的方向改变为斜下方，加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率。本技术通过倾斜角改变了喷射在其上的等离子体的方向，使得其方向朝下，以加快静电吸盘边缘处的气流下排速率，从而加快等离子体处理室中气体导出率，还减少了蚀刻时在静电吸盘边缘处以及接地环盖上沉积的残留物，从而降低残留物剥离对产品良率的影响。进一步的，所述接地挂环的外壁包括所述倾斜角的倾斜面，且所述倾斜面包括平面倾斜面，进一步加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率，加快等离子体处理室中气体导出率，减少了蚀刻时在静电吸盘边缘处以及接地环盖上沉积的残留物，进而降低残留物剥离对产品良率的影响。以下将对本技术的一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备作进一步的详细描述。下面将参照附图对本实用新本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电吸盘组件，其设置在等离子体处理室，其特征在于，包括：/n静电吸盘，用于安装待蚀刻的晶圆；/n接地挂环，所述接地挂环套设在所述静电吸盘的外侧；/n基座，所述静电吸盘和接地挂环设置在所述基座上；/n其中，所述接地挂环包括外壁，所述基座和静电吸盘暴露出所述外壁，所述外壁上形成有倾斜角，所述倾斜角将喷射到其上的等离子体的方向改变为斜下方，加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率。/n

【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘组件，其设置在等离子体处理室，其特征在于，包括：
静电吸盘，用于安装待蚀刻的晶圆；
接地挂环，所述接地挂环套设在所述静电吸盘的外侧；
基座，所述静电吸盘和接地挂环设置在所述基座上；
其中，所述接地挂环包括外壁，所述基座和静电吸盘暴露出所述外壁，所述外壁上形成有倾斜角，所述倾斜角将喷射到其上的等离子体的方向改变为斜下方，加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率。


2.如权利要求1所述的静电吸盘组件，其特征在于，所述静电吸盘包括侧壁、上壁和下壁，所述静电吸盘的下壁朝向所述基座，所述静电吸盘的上壁上安装待蚀刻的晶圆，所述静电吸盘的侧壁朝向所述接地挂环的套设方向。


3.如权利要求2所述的静电吸盘组件，其特征在于，所述接地挂环呈环状，所述接地挂环还包括内壁和下壁，所述接地挂环的下壁朝向所述基座，所述接地挂环的内壁朝向所述静电吸盘的侧壁。


4.如权利要求3所述的静电吸盘组件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛荣华，朱进，刘家桦，叶日铨，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32