半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及程序制造方法及图纸

提供能够在衬底上形成均匀性良好的膜的技术。根据本发明专利技术的一实施方式，提供一种重复执行下述处理而处理衬底的技术，所述处理以供给原料气体的工序、至少排出所述原料气体的第一吹扫工序、供给反应气体的工序以及至少排出所述反应气体的第二吹扫工序为一个循环，在该一个循环执行期间使衬底静止，并且在一个循环执行后，根据预先确定的循环数算出用于使衬底旋转的规定角度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及程序
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及程序。
技术介绍
在作为衬底处理装置之一的立式装置(例如参照专利文献1)中，将搭载有多片(几十～一百几十片)衬底(晶片)的晶舟(衬底保持件)收容在处理室中，供给处理气体并且加热，将处理室的压力、温度设定为规定值，在衬底表面上进行成膜处理。日本特开2013-232624号公报(专利文献1)公开了一边使晶片旋转，一边在晶片上形成绝缘膜的工序(参照0069段至0077段)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-232624号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题专利技术的目的在于提供能够在衬底上形成均匀性良好的膜的技术。用于解决问题的手段根据本专利技术的一实施方式，提供一种重复执行处理来处理衬底的技术，所述处理以供给原料气体的工序、至少排出所述原料气体的第一吹扫工序、供给反应气体的工序以及至少排出所述反应气体的第二吹扫工序作为一个循环，在该一个循环的执行期间使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体器件的制造方法，重复执行下述处理而处理衬底，所述处理以供给原料气体的工序、至少排出所述原料气体的第一吹扫工序、供给反应气体的工序以及至少排出所述反应气体的第二吹扫工序作为一个循环，/n在所述一个循环的执行期间，使所述衬底静止，在所述一个循环结束后，根据预先确定的循环数算出用于使所述衬底旋转的规定角度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170925 JP 2017-1831831.半导体器件的制造方法，重复执行下述处理而处理衬底，所述处理以供给原料气体的工序、至少排出所述原料气体的第一吹扫工序、供给反应气体的工序以及至少排出所述反应气体的第二吹扫工序作为一个循环，
在所述一个循环的执行期间，使所述衬底静止，在所述一个循环结束后，根据预先确定的循环数算出用于使所述衬底旋转的规定角度。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
在所述一个循环的执行期间不使所述衬底旋转，每当所述一个循环结束时，使所述衬底旋转所述规定角度。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
使所述衬底旋转所述规定角度的动作在所述第二吹扫工序结束后且供给所述原料气体的工序开始前执行。


4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
在使所述衬底旋转所述规定角度期间，执行与所述第二吹扫工序同样的吹扫。


5.衬底处理装置，具有：
处理衬底的处理室；
使所述衬底旋转的旋转机构；
供给原料气体的原料气体供给系统；
供给反应气体的反应气体供给系统；
排出所述原料气体和所述反应气体的排气系统；以及
控制部，控制所述旋转机构、所述原料气体供给系统、所述反应气体供给系统及所述排气系统，重复执行将供给所述原料气体的工序、排出未反应的所述原料气体的第一吹扫工序、供给所述反应气体的工序及排出所述反应气体的第二吹扫工序作为一个循环的处理工序来处理所述衬底，所述控制部构成为：在所述一个循环的执行期间，不控制所述旋转机构并使所述衬底静止，并且在所述一个循环执行后，根据预先确定的循环数算出用于使所述衬底旋转的规定角度。


6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部构成为：在所述一个循环的执行期间，不利用所述旋转机构使所述衬底旋转，每当所述一个循环结束，控制所述旋转机构而使所述衬底旋转所述规定角度。


7.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部构成为：在使所述衬底旋转所...

【专利技术属性】
技术研发人员：上村大义，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP