【技术实现步骤摘要】
一种便于导向的薄膜生长设备
本专利技术涉及薄膜生长设备
，具体为一种便于导向的薄膜生长设备。
技术介绍
金属有机化合物化学气相沉淀设备，是制备发光二极管半导体激光器和大功率电子器件的关键设备，尤其在制备GaN基LED方面具有广泛的应用前景和市场需求，现有技术中，大多数GaN基LED的薄膜生长都是利用MOCVD设备在蓝宝石衬底上生长一层氮化镓或氮化铝缓冲层，然后再在缓冲层上生长掺杂MgA1、In等元素的InGaN/AIGaN异质结，来构成P-N结发光层，采用MOCVD设备生长薄膜时，需要向反应腔室内通入携带气体以及各种源材料，其中，源材料包括金属有机物(MO)和气体源，这二者是参与化学反应且在生成物中含有该源材料成分的材料，携带气体包括氮气、氢气及惰性气体等，这些携带气体只是携带源材料进入反应室中，本身并不参加化学反应。目前的薄膜生长设备虽然种类和数量非常多，但现有的薄膜生长设备仍存在了一定的问题，对薄膜生长设备的使用带来一定的不便。现有的薄膜生长设备在使用时，反应气体大都直接注入薄膜生长室内，使反应气体...
【技术保护点】
1.一种便于导向的薄膜生长设备，包括下壳（1）、单向阀（9）和基板（19），其特征在于：所述下壳（1）的顶部设置有上壳（2），所述下壳（1）与上壳（2）之间开设有生长室（3），所述下壳（1）靠近生长室（3）的底部固定有支架（4），其中，/n所述支架（4）的顶部安装有托盘（5），所述上壳（2）靠近生长室（3）的顶部安装有布气架（6），所述布气架（6）的内部开设有布气槽（7），所述布气架（6）靠近托盘（5）的一侧连接有导流管（8），所述导流管（8）与布气槽（7）相连通；/n所述单向阀（9）安装在导流管（8）的内部，所述布气架（6）通过固定架（10）与上壳（2）固定连接，所述布气...
【技术特征摘要】
1.一种便于导向的薄膜生长设备，包括下壳（1）、单向阀（9）和基板（19），其特征在于：所述下壳（1）的顶部设置有上壳（2），所述下壳（1）与上壳（2）之间开设有生长室（3），所述下壳（1）靠近生长室（3）的底部固定有支架（4），其中，
所述支架（4）的顶部安装有托盘（5），所述上壳（2）靠近生长室（3）的顶部安装有布气架（6），所述布气架（6）的内部开设有布气槽（7），所述布气架（6）靠近托盘（5）的一侧连接有导流管（8），所述导流管（8）与布气槽（7）相连通；
所述单向阀（9）安装在导流管（8）的内部，所述布气架（6）通过固定架（10）与上壳（2）固定连接，所述布气架（6）的顶端中部连接有进气管（11），所述进气管（11）与布气槽（7）相连通，所述支架（4）的中部贯穿有第一进气槽（12），所述托盘（5）的中部贯穿有第二进气槽（13），所述支架（4）靠近托盘（5）的两侧开设有导向槽（14）；
所述托盘（5）靠近导向槽（14）的一侧固定有导向杆（15），所述托盘（5）的顶部开设有基板槽（16），所述基板槽（16）与第二进气槽（13）相连通，所述基板槽（16）靠近第二进气槽（13）的顶部安装有导流板（17），所述托盘（5）靠近导流板（17）的外侧固定有支杆（18），所述基板（19）放置在基板槽（16）的内部。
2.根据权利要求1所述的一种便于导向的薄膜生长设备，其特征在于：所述导流管（8）的底部高度大于托盘（5）的顶部高度，且导流管（8）位于托盘（5）的正上方，并且导流管（8）的数量与托盘（5）的数量相等。
3.根据权利要求2所述的一种便于导向的薄膜生长设备，其特征在于：所述单向阀（9）包括进气口（901）、密封塞槽（902）、导杆槽（903）、出气口（904）、导杆（905）、密封塞（906）和弹簧（907），所述单向阀（9）远离生长室（3）的一侧开设有进气口（901），所述单向阀（9）的中部开设有密封塞槽（902），所述单向阀（9）远离进气口（901）的一侧开设有导杆槽（903），所述单向阀（9）靠近导杆槽（903）的外侧开设有出气口（904），所述导杆槽（903）的内部设置有导杆（905），所述导杆（905）的顶部固定有密封塞（906），所述密封塞（906）到导杆...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓明强，
申请(专利权)人：深圳市安达工业设计有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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