一种延长制程等待时间的后制程方法技术

本发明专利技术涉及半导体生产领域，公开了一种延长制程等待时间的后制程方法，包括：提供晶圆传送盒，多个晶圆放置入晶圆传送盒中，晶圆传送盒设置有出气孔和进气孔；晶圆传送盒由输送设备传输连接至清洁设备，清洁设备内设置有抽气泵和氮气填充装置，当晶圆传送盒由传输状态至连接定位状态，抽气泵与出气孔连接，用于对晶圆传送盒内部进行抽气，并且氮气填充装置与进气孔连接，用于向盒体的内部填充氮气；打开连通晶圆传送盒的抽气泵对晶圆传送盒的内部进行抽气，以第一次降低晶圆传送盒内气体污染物的浓度；紧接在抽气步骤后，打开连通晶圆传送盒的氮气填充装置向晶圆传送盒的内部填充氮气，以第二次降低晶圆传送盒内气体污染物的浓度。

【技术实现步骤摘要】
一种延长制程等待时间的后制程方法
本专利技术涉及半导体生产领域，具体地涉及延长制程等待时间的后制程方法。
技术介绍
晶圆传送盒(FrontOpeningUnifiedPod)，简称FOUP，用于在晶圆制造过程中储存和输送晶圆。但是，进入晶圆传送盒内部的气体中的气体污染物会对存放在晶圆传送盒内部的晶圆造成损害。现有技术中通常采用填充氮气的方式来降低晶圆传送盒内气体污染物的浓度，抑制了气体污染物对晶圆的负面影响，从而可以延长晶圆传送盒内部的晶圆的制程等待时间。但是，一旦停止氮气填充则因晶圆传送盒侧壁气密性不佳，氮气产生泄露，且晶圆传送盒及晶圆表面仍会持续释放出空气污染物，进而影响氮气填充效果，因此并不能有效地延长晶圆传送盒内部的晶圆的制程等待时间。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术存在的不能有效地延长晶圆传送盒内部的晶圆的制程等待时间的问题，提供一种延长制程等待时间的后制程方法在晶圆传送盒的出气口连接一个抽气泵，并在填充氮气之前先对晶圆传送盒进行抽气，以将晶圆传送盒侧壁内孔隙内的气体污染物先抽离晶圆传送盒，然后再使用氮气填满孔隙位置，停止氮气填充后，气体污染物的逸散量大大减少，进而延长了晶圆传送盒内部的晶圆等待后制程的时间，同时也提高了生产派货的弹性度。为了实现上述目的，本专利技术的实施方式提供了一种延长制程等待时间的后制程方法，包括：提供晶圆传送盒，多个晶圆放置入所述晶圆传送盒中，所述晶圆传送盒设置有出气孔和进气孔；所述晶圆传送盒由单片式晶圆处理设备传输连接至清洁设备，所述清洁设备内设置有抽气泵和氮气填充装置，当所述晶圆传送盒由传输状态至连接定位状态，所述抽气泵与所述出气孔连接，用于对所述晶圆传送盒内部进行抽气，并且所述氮气填充装置与所述进气孔连接，用于向所述盒体的内部填充氮气；打开连通所述晶圆传送盒的所述抽气泵对所述晶圆传送盒的内部进行抽气，以第一次降低所述晶圆传送盒内气体污染物的浓度；紧接在所述抽气步骤后，打开连通所述晶圆传送盒的氮气填充装置向所述晶圆传送盒的内部填充氮气，以第二次降低所述晶圆传送盒内气体污染物的浓度，并恢复所述晶圆传送盒的内部压强，至少到达提供所述晶圆传送盒的阶段的内部压强优选地，所述出气孔和所述进气孔设置于所述晶圆传送盒的底部。优选地，所述晶圆传送盒中经单片式制程处理的所述晶圆具有的延长制程等待时间在大于等于20分钟，所述气体污染物的浓度小于5ppbv。优选地，所述抽气过程中达到第一时长后关闭所述抽气泵，所述第一时长的范围为2至5分钟。优选地，所述填充氮气过程中达到第二时长后关闭所述氮气填充装置，所述第二时长的范围为7至30分钟。通过上述技术方案，本专利技术的实施方式提供的延长制程等待时间的后制程方法在晶圆传送盒的出气口连接一个抽气泵，并在填充氮气之前先对晶圆传送盒进行抽气，以将晶圆传送盒侧壁内孔隙内的气体污染物先抽离晶圆传送盒，然后再使用氮气填满孔隙位置，停止氮气填充后，气体污染物的逸散量大大减少，进而延长了晶圆传送盒内部的晶圆等待后制程的时间，同时也提高了生产派货的弹性度。附图说明图1是晶圆在制程等待时间中产生缺陷的剖面图；图2是根据本专利技术的实施方式提供的一种延长制程等待时间的后制程方法的流程示意图；图3A至3D是根据本专利技术的实施方式提供的一种延长制程等待时间的后制程方法的各步骤的清洁设备和晶圆传送盒的剖视图；图4是根据本专利技术的实施方式提供的一种延长制程等待时间的后制程方法的晶圆传送盒内部的气体污染物的浓度变化曲线图。附图标记说明1晶圆传送盒2晶圆3输送设备4清洁设备5衬底6金属层7介电层8表面凹槽10出气孔11进气孔40抽气泵41氮气填充装置A1、A2单片式晶圆处理设备B气体污染物C氮气具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。图1示出了晶圆在制程等待时间中产生缺陷的剖面图。如图1所示，晶圆包括衬底5、金属层6、介电层7以及晶圆制程中在晶圆上加工出的表面凹槽8。晶圆在晶圆传送盒1中等待下一制程的时间段内，气体污染物、水、空气等物质易沉积在晶圆的表面凹槽8中，这些物质与晶圆表面发生化学反应(如氧化反应)，会造成晶圆表面出现如图1所示的黑色区域的缺陷，该缺陷会影响晶圆的结构和性能，降低了晶圆制造的成品良率。针对上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种延长制程等待时间的后制程方法。图2示出了根据本专利技术的实施方式提供的一种延长制程等待时间的后制程方法的流程示意图。如图2所示，该延长制程等待时间的后制程方法在单片式晶圆处理设备A1、A2之间设置有清洁设备4，晶圆传送盒1装载的多个晶圆2经过单片式晶圆处理设备A1的制程处理并再装载回晶圆传送盒1后，输送设备3将晶圆传送盒1传输连接至清洁设备4中以降低晶圆传送盒1内气体污染物的浓度，然后输送设备3再将晶圆传送盒1传输连接至单片式晶圆处理设备A2进行下一制程处理。本专利技术的实施方式提供的延长制程等待时间的后制程方法通过清洁设备4可以有效地降低晶圆传送盒1内气体污染物的浓度并维持更长的时间段，从而延长了晶圆2等待后制程的时间，同时也提高了生产派货的弹性度。图3A至3D示出了根据本专利技术的实施方式提供的一种延长制程等待时间的后制程方法的各步骤的清洁设备和晶圆传送盒的剖视图。如图3A至3C所示，在本专利技术的实施方式中，晶圆传送盒1可以设置有出气孔10和进气孔11。晶圆传送盒1借助输送设备3在单片式晶圆处理设备之间传输并连接至单片式晶圆处理设备。清洁设备4可以包括抽气泵40和氮气填充装置41，当晶圆传送盒由传输状态至与单片式晶圆处理设备连接定位状态时，抽气泵40可以与晶圆传送盒1的出气孔10连接，抽气泵40可以用于对晶圆传送盒1的内部进行抽气，并且氮气填充装置41可以与晶圆传送盒1的进气孔11连接，氮气填充装置41可以用于向晶圆传送盒1的内部填充氮气。如图3A所示，提供晶圆传送盒1，将多个晶圆2放置入晶圆传送盒1中，抽气泵40与晶圆传送盒1的出气孔10连接，氮气填充装置41与晶圆传送盒1的进气孔11连接。此时晶圆传送盒1的内部处于常压状态，晶圆传送盒1中的气体污染物B依附在晶圆传送盒1的侧壁以及晶圆2的表面。如图3B所示，打开连通晶圆传送盒1的抽气泵40对晶圆传送盒1的内部进行抽气，使得部分气体污染物B被抽出晶圆传送盒1的内部，以第一次降低晶圆传送盒1内气体污染物的浓度。此时，晶圆传送盒1的内部为负压状态，在晶圆传送盒1的气密性不足的情况下，可能会有少量空气进入到晶圆传送盒1的内部，在晶圆生产的无菌环境下，进入晶圆传送盒1的少量空气不会对晶圆2产生负面影响。如图3C所示，紧接在抽气步骤后，打开连通晶圆传送盒1的氮气填充装置41向晶圆传送盒1的内部填充氮气C，进一步使得部分气体污染物B被挤压出晶圆传送盒1的内部，以第二次降低晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种延长制程等待时间的后制程方法，其特征在于，包括：/n提供晶圆传送盒，多个晶圆放置入所述晶圆传送盒中，所述晶圆传送盒设置有出气孔和进气孔；所述晶圆传送盒由单片式晶圆处理设备传输连接至清洁设备，所述清洁设备内设置有抽气泵和氮气填充装置，当所述晶圆传送盒由传输状态至连接定位状态，所述抽气泵与所述出气孔连接，用于对所述晶圆传送盒内部进行抽气，并且所述氮气填充装置与所述进气孔连接，用于向所述盒体的内部填充氮气；/n打开连通所述晶圆传送盒的所述抽气泵对所述晶圆传送盒的内部进行抽气，以第一次降低所述晶圆传送盒内气体污染物的浓度；/n紧接在所述抽气步骤后，打开连通所述晶圆传送盒的氮气填充装置向所述晶圆传送盒的内部填充氮气，以第二次降低所述晶圆传送盒内气体污染物的浓度，并恢复所述晶圆传送盒的内部压强，至少到达提供所述晶圆传送盒的阶段的内部压强。/n

【技术特征摘要】
1.一种延长制程等待时间的后制程方法，其特征在于，包括：
提供晶圆传送盒，多个晶圆放置入所述晶圆传送盒中，所述晶圆传送盒设置有出气孔和进气孔；所述晶圆传送盒由单片式晶圆处理设备传输连接至清洁设备，所述清洁设备内设置有抽气泵和氮气填充装置，当所述晶圆传送盒由传输状态至连接定位状态，所述抽气泵与所述出气孔连接，用于对所述晶圆传送盒内部进行抽气，并且所述氮气填充装置与所述进气孔连接，用于向所述盒体的内部填充氮气；
打开连通所述晶圆传送盒的所述抽气泵对所述晶圆传送盒的内部进行抽气，以第一次降低所述晶圆传送盒内气体污染物的浓度；
紧接在所述抽气步骤后，打开连通所述晶圆传送盒的氮气填充装置向所述晶圆传送盒的内部填充氮气，以第二次降低所述晶圆传送盒内气体污染物的浓度，并恢复所述晶圆传送盒的内部压强，至少到达提供...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34