一种气体喷淋头组件及其等离子体处理设备制造技术

本发明专利技术公开了一种气体喷淋头组件，包括：安装基座、导热垫、接地环和气体喷淋头；所述接地环与安装基座之间设置导热垫，且三个部件固定在一起；气体喷淋头与安装基座之间设置导热垫，且三个部件固定在一起；其特征在于：所述导热垫包括：依次层叠设置的第一Teflon材料层、第一导热层、导热支撑层、第二导热层以及第二Teflon材料层；以及采用气体喷淋头组件的等离子处理设备。

【技术实现步骤摘要】
一种气体喷淋头组件及其等离子体处理设备
本专利技术涉及半导体设备领域，具体涉及一种气体喷淋头组件及其等离子体处理设备。
技术介绍
在一些半导体工艺期间，通过衬底处理设备来处理衬底或晶圆。例如，衬底处理设备用于通过包括蚀刻、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强原子层沉积(PEALD)、脉冲沉积层(PDL)、等离子体增强脉冲沉积层(PEPDL)、抗蚀剂去除的技术处理衬底，诸如半导体、玻璃或聚合物衬底。在电感耦合型等离子体（inductivecoupledplasma,ICP）或者电容耦合型等离子体（Capacitivecoupledplasma,CCP）的刻蚀腔室中对晶圆或衬底进行等离子体刻蚀处理时，处理气体被允许通过设置在上述腔室内的喷淋头进入上述腔室内，并且对腔室施加射频(RF)的振动电能以将气体激发成等离子体。该气体与暴露于等离子体的衬底或晶圆的表面反应以在晶圆上形成源自处理气体的组分的膜或清洁该衬底或晶圆。现有技术中，气体喷淋头采用单晶硅或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气体喷淋头组件，包括：安装基座、导热垫、接地环和气体喷淋头；所述接地环与安装基座之间设置导热垫，且三个部件固定在一起；气体喷淋头与安装基座之间设置导热垫，且三个部件固定在一起；其特征在于：所述导热垫包括：依次层叠设置的第一Teflon材料层、第一导热层、导热支撑层、第二导热层以及第二Teflon材料层。/n

【技术特征摘要】
1.一种气体喷淋头组件，包括：安装基座、导热垫、接地环和气体喷淋头；所述接地环与安装基座之间设置导热垫，且三个部件固定在一起；气体喷淋头与安装基座之间设置导热垫，且三个部件固定在一起；其特征在于：所述导热垫包括：依次层叠设置的第一Teflon材料层、第一导热层、导热支撑层、第二导热层以及第二Teflon材料层。


2.如权利要求1所述的一种气体喷淋头组件，其特征在于：所述导热支撑层由硬质材料构成。


3.如权利要求2所述的一种气体喷淋头组件，其特征在于：所述硬质材料包括金、银、铝或不锈钢的一种或两种以上。


4.如权利要求1所述的一种气体喷淋头组件，其特征在于：所述第一和第二导热层包括石墨或导热硅胶的一种。


5.如权利要求1所述的一种气体喷淋头组件，其特征在于：所述第一和第二导热层包括石墨和导热硅胶的混合物。


6.如权利要求1所述的一种气体喷淋头组件，其特征在于：所述第一和第二Teflon材料层，第一和第二导热层以及导热支撑层的侧面设置有第三Teflon材料层。


7.如权利要求1所述的一种气体喷淋头组件，其特征在于：所述第一Teflon材料层，包括PTFE、FEP、PFA或ETFE的一种或两种以上的混合物。


8.如权利要求1所述的一种气体喷淋头组件，其特征在于：所述第二Teflon材料层，包括PTFE、FEP、PFA或ETFE的一种或两种以上。


9.如权利要求5所述的一种气体喷淋头组件，其特征在于：所述第三Teflon材料层，包括PTFE、FEP、PFA或ETFE的一种或两种以上。


10.如权利要求1所述的一种气...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金全，徐朝阳，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31