像素电极结构及液晶显示面板制造技术

本发明专利技术提供了一种像素电极结构及液晶显示面板，该像素电极结构包括：主干电极，位于像素电极中心，将像素电极划分为至少两个液晶配向区，主干电极为之字形条状电极；枝干电极，位于各液晶配向区内，相互平行且与主干电极连接；狭缝，相邻两个枝干电极之间形成的空隙。该像素电极结构通过将主干电极设置为之字形条状电极，使得主干电极对应的液晶盒空间形成交界电场，交界电场更有利于液晶分子的准直和收敛，在保证暗纹稳定性的同时，使得暗纹区的宽度更为收敛，提高了显示面板的穿透率；另一方面，之字形条状电极的设置方式，使得在保证暗纹稳定性的同时，主干电极的宽度减小，从而进一步降低主干电极区域的暗区宽度，提高显示面板的穿透率。

Pixel electrode structure and LCD panel

【技术实现步骤摘要】
像素电极结构及液晶显示面板
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种像素电极结构及液晶显示面板。
技术介绍
现有LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示面板)的像素电极结构一般为多畴设计。如图1所示，图1为现有像素电极结构的平面示意图，像素电极10包括位于像素电极中心、十字交叉的主干电极101和主干电极102，与主干电极连接的枝干电极103，以及枝干电极103之间的狭缝104，主干电极101和主干电极102均为直线型，枝干电极103以主干电极为轴对称设置。如图8(a)所示，图8(a)为现有像素电极结构的仿真模拟图，由于液晶分子是连续体，多畴设计在改善视角的同时，也会在主干电极处存在天生暗纹。为了HVA(UltravioletVerticalAlignment，紫外光垂直配向)制程中，主干电极暗纹的稳定性考虑，一般将主干电极的宽度设置为4～8um。主干电极暗纹区的宽度达到3～6um，不利于显示面板的穿透率。因此，现有LCD显示面板存在穿透率低的问题，需要解决。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素电极结构及液晶显示面板，以缓解现有LCD显示面板穿透率低的问题。为解决以上问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种像素电极结构，其包括：主干电极，位于像素电极中心，将像素电极划分为至少两个液晶配向区，所述主干电极为之字形条状电极；枝干电极，位于各液晶配向区内，相互平行且与所述主干电极连接；狭缝，相邻两个所述枝干电极之间形成的空隙。在本专利技术提供的像素电极结构中，所述主干电极的宽度为2～6um。在本专利技术提供的像素电极结构中，所述主干电极由若干主干电极分段相互连接形成，相邻的两个所述主干电极分段之间的夹角为60°～120°。在本专利技术提供的像素电极结构中，所述枝干电极和与之相连的所述主干电极分段的夹角，与两个相邻所述主干电极分段之间的夹角相同。在本专利技术提供的像素电极结构中，相邻的两个所述主干电极分段之间的夹角为90°。在本专利技术提供的像素电极结构中，所述主干电极分段的长度均相同。在本专利技术提供的像素电极结构中，每一个所述主干电极分段对应于一个狭缝。在本专利技术提供的像素电极结构中，每一个所述主干电极分段对应于两个狭缝垂直。在本专利技术提供的像素电极结构中，每一个所述主干电极分段对应于三个狭缝垂直。同时，本专利技术提供一种液晶显示面板，其包括如上任一所述的像素电极结构。本专利技术提供了一种像素电极结构及液晶显示面板，该像素电极结构包括：主干电极，位于像素电极中心，将像素电极划分为至少两个液晶配向区，主干电极为之字形条状电极；枝干电极，位于各液晶配向区内，相互平行且与主干电极连接；狭缝，相邻两个枝干电极之间形成的空隙。该像素电极结构通过将主干电极设置为之字形条状电极，使得主干电极对应的液晶盒空间形成交界电场，交界电场更有利于液晶分子的准直和收敛，在保证暗纹稳定性的同时，使得暗纹区的宽度更为收敛，提高了显示面板的穿透率；另一方面，之字形条状电极的设置方式，使得在保证暗纹稳定性的同时，主干电极的宽度减小，从而进一步降低主干电极区域的暗区宽度，提高显示面板的穿透率。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为现有像素电极结构的平面示意图。图2为本专利技术实施例提供的第一种像素电极结构的平面示意图。图3为图2的局部放大示意图。图4为本专利技术实施例提供的第二种像素电极结构的平面示意图。图5为图4的局部放大示意图。图6为本专利技术实施例提供的第三种像素电极结构的平面示意图。图7为图6的局部放大示意图。图8(a)为现有像素电极结构的仿真模拟图。图8(b)为本专利技术实施例提供的第一种像素电极结构的仿真模拟图。图8(c)为本专利技术实施例提供的第二种像素电极结构的仿真模拟图。图8(d)为本专利技术实施例提供的第三种像素电极结构的仿真模拟图。具体实施方式下面将结合本专利技术的具体实施方案，对本专利技术实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本专利技术一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本专利技术中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本专利技术保护范围。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。针对现有LCD显示面板存在穿透率低的问题，本专利技术提供一种像素电极结构可以缓解这个问题。在一种实施例中，如图2至图7所示，图2至图7为本专利技术实施例提供像素电极结构的平面示意图，本专利技术实施例提供的像素电极结构包括：主干电极，位于像素电极中心，将像素电极划分为至少两个液晶配向区，主干电极为之字形条状电极；枝干电极，位于各液晶配向区内，相互平行且与主干电极连接；狭缝，相邻两个枝干电极之间形成的空隙。本实施例提供一种像素电极结构，该像素电极结构通过将主干电极设置为之字形条状电极，使得主干电极对应的液晶盒空间形成交界电场，交界电场更有利于液晶分子的准直和收敛，在保证暗纹稳定性的同时，使得暗纹区宽度或影响范围更为收敛，提高显示面板的穿透率；另一方面，之字形条状电极的设置方式，使得在保证暗纹稳定性的同时，主干电极的宽度减小，从而进一步降低主电极区域的暗区宽度，提高显示面板的穿透率。下面将以具体的实施例对本专利技术提供的像素电极结构做具体说明。在一种实施例中，如图2所示，图2为本专利技术实施例提供的像素电极结构的第一种实施例的平面示意图。像素电极结构包括横向的第一主干电极201和纵向的第二主干电极202，第一主干电极201和第二主干电极202位于像素电极的中心，交叉形成十字构造，并将像素电极划分为四个大小相等的液晶配向区。在各个液晶配向区内设置有若干条枝干电极203，枝干电极203的一端与主干电极相连，另一端朝远离该主干电极的方向延伸；在同一液晶配向区内，各枝干电极203相互平行，相邻两个枝干电极之间构成狭缝204。第一主干电极201的宽度、第二主干电极202的宽度可以采取均匀设置方式，也可以采取非均匀设置方式；第一主干电极201的宽度和第二主干电极202的宽度可以设置的相同，也可以设置的不同。优选的，如图2所示，第一主干电极201的宽度、第二主干电极202的宽度均采取均匀设置方式，且第一主干电极201的宽度和第二主干电极202的宽度相同。...

【技术保护点】
1.一种像素电极结构，其特征在于，包括：/n主干电极，位于像素电极中心，将像素电极划分为至少两个液晶配向区，所述主干电极为之字形条状电极；/n枝干电极，位于各液晶配向区内，相互平行且与所述主干电极连接；/n狭缝，相邻两个所述枝干电极之间形成的空隙。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素电极结构，其特征在于，包括：
主干电极，位于像素电极中心，将像素电极划分为至少两个液晶配向区，所述主干电极为之字形条状电极；
枝干电极，位于各液晶配向区内，相互平行且与所述主干电极连接；
狭缝，相邻两个所述枝干电极之间形成的空隙。


2.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述主干电极的宽度为2～6um。


3.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述主干电极由若干主干电极分段相互连接形成，相邻的两个所述主干电极分段之间的夹角为60°～120°。


4.如权利要求3所述的像素电极结构，其特征在于，所述枝干电极和与之相连的所述主干电极分段的夹角，与两个相邻所述主干电极分...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹武，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44