高压倒装LED光源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压倒装LED光源，其包括导热基板和高压倒装LED芯片，所述芯片的第一表面具有电极，第二表面为出光面，所述第一表面与第二表面相背对设置，所述导热基板表面形成有至少一凸台，其中至少一所述芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与一所述凸台的顶端面连接。所述芯片包括电极区与发光区，所述电极区与发光区间隔设置。本实用新型专利技术的高压倒装LED光源中，所述芯片可以与基板无缝结合，且可避免出现连接胶溢流到导电电极处的问题，从而既可保障电学连接的有效性，亦可增强LED倒装芯片的散热均匀性，同时采用的LED芯片为单片集成大功率高压倒装LED芯片，具有稳定性好、抗失效率高、面积利用率高等特点。

High voltage inverted LED light source

【技术实现步骤摘要】
高压倒装LED光源
本技术涉及一种LED的封装结构，具体涉及一种高压倒装LED光源，属于半导体

技术介绍
与正装芯片相比，倒装芯片具有更低的热阻，更好的取光，无需金线，更好的集成性和制作更加简单等优点。目前，由于技术水平的限制，为了保证芯片的良率，产业化水平的倒装LED芯片一般具有功率小、面积小和集成度低的特点，这种特点在很大程度上限制了倒装LED的应用，使得倒装LED市场上出现空白。要填补这块空白，扩大倒装LED的应用范围，亟需获得能够用于产业化的大功率高压集成倒装LED芯片。然而，目前大功率高压集成倒装芯片在封装时面临多个技术难题，例如：绝缘连接胶溢出影响电极导电的问题；以及，芯片发光区与基板之间的导热绝缘问题。但业界一直未能探索出有效的解决办法。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种高压倒装LED光源，以克服现有技术中的不足。为实现前述专利技术目的，本技术采用的技术方案包括：本技术实施例提供了一种高压倒装LED光源，包括导热基板和高压倒装LED芯片，所述LED芯片的第一表面具有电极，第二表面为出光面，所述第一表面与第二表面相背对设置，所述导热基板表面形成有至少一凸台，其中至少一所述LED芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与一所述凸台的顶端面连接。在一些较为优选的实施方式中，所述高压倒装LED芯片为单片集成大功率高压倒装LED芯片，所述LED芯片包括电极区与发光区，所述电极区与发光区间隔设置，所述发光区包括多个能独立发光的单胞，所述多个单胞串联和/或并联设置，所述多个单胞与电极区电连接。在一些较为优选的实施方式中，所述发光区与电极区之间的间距满足如下条件：在将所述LED芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与所述凸台的顶端面连接的过程中，无导热绝缘连接胶溢流到电极区表面。与现有技术相比，本技术至少具有如下有益效果：提供的高压倒装LED光源中，LED倒装芯片可以与基板无缝结合，且可避免出现连接胶溢流到导电电极处的问题，从而既可保障电学连接的有效性，亦可增强LED倒装芯片的散热均匀性。同时，其中采用的倒装LED芯片为单片集成大功率高压倒装LED芯片，其具有稳定性好、抗失效率高等特点，其中电极区与发光区的特殊位置设计可以有效地提高芯片的面积利用率，将发光区域面积最大化，以及还可保证封装时导热绝缘层材料不溢到电极表面，并保证焊锡不溢到发光区造成短路。附图说明图1是现有的一种倒装LED光源的结构示意图。图2是现有的一种倒装LED光源的示意图。图3是本技术第一实施例中一种高压倒装LED光源的示意图。图4是本技术第一实施例中一种高压倒装LED芯片的结构示意图。图5是本技术第二实施例中一种高压倒装LED光源的示意图。图6是本技术第三实施例中一种高压倒装LED光源的示意图。图7是本技术第四实施例中一种高压倒装LED光源的示意图。图8是本技术第五实施例中一种高压倒装LED光源的示意图。图9是本技术一实施例中一种高压倒装LED芯片的结构示意图。图10是本技术另一实施例中一种高压倒装LED芯片的结构示意图。图11是本技术又一实施例中一种高压倒装LED芯片的结构示意图。具体实施方式为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。又及，需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括至少一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。本技术实施例的一个方面提供了一种高压倒装LED光源，其包括导热基板和高压倒装LED芯片，所述LED芯片的第一表面具有电极，第二表面为出光面，所述第一表面与第二表面相背对设置，所述导热基板表面形成有至少一凸台，其中至少一所述LED芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与一所述凸台的顶端面连接。进一步的，所述凸台的顶端面上还覆盖有导热绝缘层，所述LED芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与所述导热绝缘层连接。其中，所述导热绝缘层由导热绝缘材料形成。并且，所述导热绝缘层是由外部转移而来，或者，所述导热绝缘层至少是一体形成在所述凸台的顶端面上。进一步的，所述导热基板的材质包括导电导热金属材料，所述导电导热金属材料包括铜或铝等，且不限于此。进一步的，所述导热绝缘层是通过对所述导热基板表面进行化学处理而形成的致密导热绝缘钝化层。进一步的，所述导热基板整体或者所述凸台由导热绝缘材料形成。进一步的，所述导热绝缘材料包括氧化物、氮化物、碳化物中的任意一者，且不限于此。例如，所述氧化物包括氧化铝或氧化铜等，所述氮化物包括氮化铝、氮化硅或氮化铍等，所述碳化物包括碳化硅等，但均不限于此。进一步的，所述高压倒装LED芯片为单片集成大功率高压倒装LED芯片，所述LED芯片包括电极区与发光区，所述电极区与发光区间隔设置，所述发光区包括多个能独立发光的单胞，所述多个单胞串联和/或并联设置，所述多个单胞与电极区电连接。进一步的，所述LED芯片内还分布有气体存储空间，所述气体存储空间包括形成于单胞之间的槽状结构。进一步的，所述LED芯片具有一组以上电极区，每一组电极区包括对称设置的两个电极区，所述电极区为三角形结构或直线型结构。优选的，所述LED芯片具有一组电极区，所述的一组电极区为对称设置的两个三角形电极区。进一步的，所述LED芯片的电极区上结合有硬质导电材料(例如金属片、金属线等且不限于此)，所述硬质导电材料通过银浆或电学焊接材料与所述基板上的导电线路电连接。进一步的，所述发光区与电极区之间的间距满足如下条件：在将所述LED芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与所述凸台的顶端面连接的过程中，无导热绝缘连接胶溢流到电极区表面。以下将结合若干实施例及附图对本技术的技术方案作进一步的解释说明。请参阅图3示出了本技术第一个实施例中的一种高压倒装LED光源，其包括导热基板1(如下也简称“基板”)和高压倒装LED芯片2(如下也简称“芯片”或“LED芯片”)，所述LED芯片的第一表面201具有电极，第二表面202为出光面，所述第一表面与第二表面相背对设置，所述导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压倒装LED光源，其特征在于包括导热基板和高压倒装LED芯片，所述LED芯片的第一表面具有电极，第二表面为出光面，所述第一表面与第二表面相背对设置，所述导热基板表面形成有至少一凸台，其中至少一所述LED芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与一所述凸台的顶端面连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种高压倒装LED光源，其特征在于包括导热基板和高压倒装LED芯片，所述LED芯片的第一表面具有电极，第二表面为出光面，所述第一表面与第二表面相背对设置，所述导热基板表面形成有至少一凸台，其中至少一所述LED芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与一所述凸台的顶端面连接。


2.根据权利要求1所述的高压倒装LED光源，其特征在于：所述凸台的顶端面上还覆盖有导热绝缘层，所述LED芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与所述导热绝缘层连接；其中，所述导热绝缘层由导热绝缘材料形成，并且，所述导热绝缘层是由外部转移而来，或者，所述导热绝缘层至少是一体形成在所述凸台的顶端面上。


3.根据权利要求2所述的高压倒装LED光源，其特征在于：所述导热基板的材质包括导电导热金属材料，所述导电导热金属材料包括铜或铝。


4.根据权利要求2所述的高压倒装LED光源，其特征在于：所述导热绝缘层是通过对所述导热基板表面进行化学处理而形成的致密导热绝缘钝化层。


5.根据权利要求1所述的高压倒装LED光源，其特征在于：所述导热基板整体或者所述凸台由导热绝缘材料形成。


6.根据权利要求2或5所述的高压倒装LED光源，其特征在于：所述导热绝缘材料包括氧化物、氮化物、碳化物中的任意一者；所述氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐文婷，蔡勇，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：新型
国别省市：江苏;32