一种新型单面发光LED的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种新型单面发光LED的制造方法，按照以下步骤实现：步骤S1：将LED芯片安装在基板上完成共晶半成品材料的制备、配备好白胶；步骤S2：通过层压白胶工艺或涂覆白胶工艺，将白胶粘贴或是涂覆在共晶半成品上，完成芯片四个侧面的出光遮挡；步骤S3：通过研磨制程，使白胶与LED芯片高度齐平，漏出LED芯片的正面，以达到实现单面出光的目的；步骤S4：在LED芯片的正面贴PIG/PIS；增加扩散层或是Lens；步骤S5：通过切割等方式将材料分割成单颗LED。可有效避免传统点胶方式，提升产能白胶胶面平整，产品出光一致性好。PIG/PIS上不会出现爬白胶的情况，能有效提升产品良率。有效滤掉芯片侧面杂光，利于二次光学配光。

A new manufacturing method of single side LED

【技术实现步骤摘要】
一种新型单面发光LED的制造方法
本专利技术涉及LED封装
，特别是一种新型单面发光LED的制造方法。
技术介绍
现有单面发光LED器件多采用先在芯片正面贴PIG或PIS，然后在芯片四个侧边点白胶，以达到遮挡侧面出光、从而实现单面发光的目的。但此种制造方法，存在以下缺点：点白胶效率较低，胶量不易控制，白胶胶面不平整，PIG/PIS上容易出现爬白胶的情况。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术的目的是提供一种新型单面发光LED的制造方法，实现白胶涂抹均匀，胶面平整。本专利技术实施例中采用以下方案实现：提供一种新型单面发光LED的制造方法，按照以下步骤实现：步骤S1：将LED芯片安装在基板上完成共晶半成品材料的制备，并配备好白胶；步骤S2：通过层压白胶工艺或涂覆白胶工艺，将白胶粘贴或是涂覆在共晶半成品上，完成LED芯片四个侧面的出光遮挡；步骤S3：通过研磨制程，使白胶与LED芯片高度齐平，漏出LED芯片的正面，以达到实现单面出光的目的；步骤S4：在LED芯片的正面贴PIG/PIS；增加扩散层或是Lens；步骤S5：通过切割等方式将材料分割成单颗LED。本专利技术一实施例中，所述步骤S1中的白胶为钛白粉、胶水与溶剂制成。本专利技术一实施例中，所述步骤S2中所述层压白胶工艺：使用刮膜机将配备好的白胶制成白胶胶膜，将白胶胶膜烤干，贴在共晶半成品上；涂覆白胶工艺：使用刮膜机直接将配备好的白胶涂覆在共晶半成品上，并烤干。<br>本专利技术一实施例中，所述步骤S2中，需要控制白胶的厚度高于共晶半成平成品的芯片高度10～20um，既能保证研磨的芯片。本专利技术一实施例中，所述步骤S4中，在LED芯片的正面贴PIG/PIS，该工艺过程在制作白光的LED时需要，其他颜色的不需要该工艺过程。本专利技术的有益效果：本专利技术提供一种新型单面发光LED的制造方法，可有效避免传统点胶方式，提升产能白胶胶面平整，产品出光一致性好。PIG/PIS上不会出现爬白胶的情况，能有效提升产品良率。有效滤掉芯片侧面杂光，利于二次光学配光。附图说明图1是一种新型单面发光LED的制造方法流程图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步说明。请参阅图1至，本专利技术提供一种新型单面发光LED的制造方法，按照以下步骤实现：步骤S1：将LED芯片2安装在基板1上完成共晶半成品材料的制备，并配备好白胶3，白胶为钛白粉等+胶水+溶剂配置而成；步骤S2：通过层压白胶3工艺或涂覆白胶3工艺，将白胶3粘贴或是涂覆在共晶半成品上，完成LED芯片2四个侧面的出光遮挡；步骤S3：通过研磨制程，使白胶3与LED芯片2高度齐平，漏出LED芯片2的正面，以达到实现单面出光的目的；步骤S4：在LED芯片2的正面贴PIG/PIS4；增加扩散或是Lens；步骤S5：通过切割等方式将材料分割成单颗LED，方便应用于灯具上。本专利技术一实施例中，所述步骤S1中的白胶3为钛白粉、胶水与溶剂制成。本专利技术一实施例中，所述步骤S2中所述层压白胶3工艺：使用刮膜机将配备好的白胶3制成白胶胶膜，将白胶胶膜烤干，贴在共晶半成品上；涂覆白胶3工艺：使用刮膜机直接将配备好的白胶3涂覆在共晶半成品上，并烤干，刮膜机为现有设备这里不进行详细介绍。本专利技术一实施例中，所述步骤S2中，需要控制白胶3的厚度高于共晶半成平成品的LED芯片2高度10～20um，在保证能够实现出光遮挡的同时，后续研磨制程能够较快的完成，保证生产效率。本专利技术一实施例中，所述步骤S4中，在LED芯片2的正面贴PIG/PIS4，该工艺过程在制作白光的LED时需要，其他颜色的不需要该工艺过程。本专利技术具有以下工作原理：现在一整面上涂抹上白胶，降低了点胶的难度，更好的控制点胶量，涂抹均匀，通过研磨可将胶面磨平，产品的平面度好，实现出光均匀，从而实现产品的出光一致性好，有白胶均匀包括LED芯片的四周，有效避免了LED芯片四周漏光的情况。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，不能理解为对本申请的限制，凡依本专利技术申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本专利技术的涵盖范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型单面发光LED的制造方法，其特征在于：按照以下步骤实现：/n步骤S1：将LED芯片安装在基板上完成共晶半成品材料的制备，并配备好白胶；/n步骤S2：通过层压白胶工艺或涂覆白胶工艺，将白胶粘贴或是涂覆在共晶半成品上，完成LED芯片四个侧面的出光遮挡；/n步骤S3：通过研磨制程，使白胶与LED芯片高度齐平，漏出LED芯片的正面，以达到实现单面出光的目的；/n步骤S4：在LED芯片的正面贴PIG/PIS；增加扩散层或是Lens；/n步骤S5：通过切割等方式将材料分割成单颗LED。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型单面发光LED的制造方法，其特征在于：按照以下步骤实现：
步骤S1：将LED芯片安装在基板上完成共晶半成品材料的制备，并配备好白胶；
步骤S2：通过层压白胶工艺或涂覆白胶工艺，将白胶粘贴或是涂覆在共晶半成品上，完成LED芯片四个侧面的出光遮挡；
步骤S3：通过研磨制程，使白胶与LED芯片高度齐平，漏出LED芯片的正面，以达到实现单面出光的目的；
步骤S4：在LED芯片的正面贴PIG/PIS；增加扩散层或是Lens；
步骤S5：通过切割等方式将材料分割成单颗LED。


2.根据权利要求1所述的一种新型单面发光LED的制造方法，其特征在于：所述步骤S1中的白胶为钛白粉、胶水与溶剂制成。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈三奇，张智鸿，陈锦庆，袁瑞鸿，杨皓宇，林紘洋，李昇哲，
申请(专利权)人：福建天电光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35