一种低阻高功率厚膜贴片电阻制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低阻高功率厚膜贴片电阻，包括基体；基体的背面和正面分别设有背电极和正电极；背电极包括相对设置的第一背电极层和第二背电极层；正电极包括相对设置的第一正电极层和第二正电极层；第一正电极层和第二正电极层之间通过第一阻体层连接；第一阻体层上印刷有第二阻体层；第二阻体层上顺次覆盖有第一保护层、第二保护层和第三保护层，第一阻体层、第二阻体层和第一保护层上对应的位置处设有镭切线；正电极与背电极相连之间通过侧电极导通。本实用新型专利技术中的阻体层采用第一阻体层+第二阻体层，保护层采用第一保护层+第二保护层+第三保护层，更有利于降低产品阻值、提升产品的功率，制作成本，可靠性高、负荷能力强。

A low resistance and high power thick film patch resistor

【技术实现步骤摘要】
一种低阻高功率厚膜贴片电阻
本技术属于电子器件
，具体涉及一种低阻高功率厚膜贴片电阻。
技术介绍
随着科技的进步，时代的发展及人们对各类电子产品的要求不断提升，性能可靠及工艺稳定的贴片电阻也应电子产品的特殊需求呈现多样化的发展趋势，其中市场对低阻高功率厚膜贴片电阻的需求也不断发展，尤其是市场对毫欧姆级的厚膜贴片电阻的需求，促使电阻生产厂家能够研制出一种阻值最低可达10mΩ，功率可达2W，可广泛应用于电源、硬盘驱动器、便携式音频、电力供应马达等产品当中的低阻高功率厚膜贴片电阻。普通厚膜贴片电阻阻值一般都在欧姆级以上，很难达到毫欧姆级别，一种低阻高功率厚膜贴片电阻较普通厚膜贴片电阻具有更低的阻值，完全可以满足市场对毫欧姆级别阻值的需求，且质量完全符合电子工业规范标准，具有更低的阻值、更高的功率，且重量轻、适合回流焊与波峰焊、电性能稳定、可靠性高、装配成本低、并与自动装贴设备匹配、机械强度高、符合环保要求等优点，其市场需求量及应用前景极其广阔，同时可以提升企业在同业中的竞争力，为企业带来丰厚的经济效益。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提出一种低阻高功率厚膜贴片电阻，具有较低的制作成本，阻值低(可达10mΩ)、功率高(可达2W)，可靠性高、负荷能力强，同时也满足了客户应用端对低阻高功率厚膜贴片电阻的应用需求。为了实现上述技术目的，达到上述技术效果，本技术通过以下技术方案实现：一种低阻高功率厚膜贴片电阻，包括：基体；背电极，设于所述基体的背面，其包括相对设置的第一背电极层和第二背电极层；正电极，设于所述基体的正面，其包括相对设置的第一正电极层和第二正电极层；第一阻体层，设于所述基体的正面，其两端分别与所述第一正电极层和第二正电极层相连；第二阻体层，印刷在所述第一阻体层上表面上；顺次覆盖的第一保护层、第二保护层和第三保护层，所述第一保护层覆盖在所述第二阻体层上；镭切线，设于所述第一阻体层、第二阻体层和第一保护层上对应的位置处；侧电极，分别与所述正电极与背电极相连，使得背电极与正电极导通。作为本技术的进一步改进，所述第一保护层为玻璃保护层；所述第二保护层和第三保护层完全重叠，二者均为树脂保护层。作为本技术的进一步改进，所述低阻高功率厚膜贴片电阻的阻值为10mΩ，功率为2W。作为本技术的进一步改进，所述侧电极包括第一侧电极层和第二侧电极层，所述第一侧电极层和第二侧电极层分别设于基体的两侧，且分为连接所述第一背电极层和第一正电极层，以及第二背电极层和第二正电极层，使得背电极与正电极导通。作为本技术的进一步改进，所述背电极、正电极和侧电极的外侧顺次镀有镍层和锡层。作为本技术的进一步改进，所述镍层的厚度为8～15μm；作为本技术的进一步改进，所述锡层的厚度为6～15μm。作为本技术的进一步改进，所述基体为陶瓷基体。作为本技术的进一步改进，所述第二保护层的上表面设置有字码层。作为本技术的进一步改进，所述正电极、背电极和侧电极均为银电极。与现有技术相比，本技术的有益效果：本技术的低阻高功率厚膜贴片电阻，通过对阻体层采用两层结构设计方式(第一阻体层+第二阻体层)，保护层采用三层结构设计方式(第一保护层+第二保护层+第三保护层)，更有利于降低产品阻值，提升产品功率，能够使产品具有更低的阻值(可达10mΩ)，更高的功率(可达2W)，具有较低的制作成本，可靠性高、负荷能力强，同时也满足了客户应用端对低阻高功率厚膜贴片电阻的应用需求，可广泛应用于电源、硬盘驱动器、便携式音频、电力供应马达等产品当中。附图说明为了使本专利技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中：图1为本技术一种实施例的低阻高功率厚膜贴片电阻的结构示意图；其中：01-基体；02-背电极；03-正电极；04-第一阻体层；05-第二阻体层；06-第一保护层；07-镭切线；08-第二保护层；09-第三保护层；10-字码层；11-侧电极；12-镍层；13-锡层。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术的保护范围。下面结合附图对本技术的应用原理作详细的描述。实施例1如图1所示，本实施例中提供了一种低阻高功率厚膜贴片电阻，包括：基体01、背电极02、正电极03、第一阻体层04、第二阻体层05、第一保护层06、第二保护层08、第三保护层09、镭切线07和侧电极11；在本技术的一种具体实施例中，所述基体01采用的是氧化铝陶瓷基体01；所述背电极02设于所述基体01的背面，其包括相对设置的第一背电极层和第二背电极层；所述正电极03设于所述基体01的正面，其包括相对设置的第一正电极层和第二正电极层；所述第一阻体层04设于所述基体01的正面，其两端分别与所述第一正电极层和第二正电极层相连；所述第二阻体层05印刷在所述第一阻体层04上表面上，这种设计可有效降低产品阻值和提升产品功率；所述第一保护层06、第二保护层08和第三保护层09顺次覆盖，且所述第一保护层06覆盖在所述第二阻体层05上；在本实施例的一种具体实施方式中，所述第一保护层06为玻璃保护层；所述第二保护层08和第三保护层09完全重叠，二者均为树脂保护层，利用第三保护层09完全覆盖住第二保护层08，对第一阻体层04和第二阻体层05起到进一步保护及更好的散热功能，从而更有利于产品功率的提升；所述镭切线07设于所述第一阻体层04、第二阻体层05和第一保护层06上对应的位置处，这种设计可有效保护第一阻体层04、第二阻体层05和镭切线07，及更有利于散热，且能够基于特殊的激光镭射调整方式以达到规定的阻值及精度，以及更好的降低激光镭射切割对电阻阻体的损伤；所述侧电极11分别与所述正电极03与背电极02相连，使得背电极02与正电极03导通；在本实施例的一种具体实施方式中，所述侧电极11包括第一侧电极层和第二侧电极层，所述第一侧电极层和第二侧电极层分别设于基体01的两侧，且分为连接所述第一背电极层和第一正电极层，以及第二背电极层和第二正电极层，使得背电极02与正电极03导通；作为优选方案，所述正电极03、背电极02和侧电极11均为银电极。所述背电极02、正电极03和侧电极11的外侧顺次镀有镍层12和锡层13；在本实施例的一种具体实施方式中，所述镍层13的厚度为8～15μm；所述锡层13的厚度为6～15μm。基于上述设计，本技术中的所述低阻高功率厚膜贴片电阻的阻值为10mΩ，功率为2W。实施例2本实施例与实施例2的区别在于：所述第二保护层08本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低阻高功率厚膜贴片电阻，其特征在于，包括：/n基体；/n背电极，设于所述基体的背面，其包括相对设置的第一背电极层和第二背电极层；/n正电极，设于所述基体的正面，其包括相对设置的第一正电极层和第二正电极层；/n第一阻体层，设于所述基体的正面，其两端分别与所述第一正电极层和第二正电极层相连；/n第二阻体层，印刷在所述第一阻体层上表面上；/n顺次覆盖的第一保护层、第二保护层和第三保护层，所述第一保护层覆盖在所述第二阻体层上；/n镭切线，设于所述第一阻体层、第二阻体层和第一保护层上对应的位置处；/n侧电极，分别与所述正电极与背电极相连，使得背电极与正电极导通。/n

【技术特征摘要】
1.一种低阻高功率厚膜贴片电阻，其特征在于，包括：
基体；
背电极，设于所述基体的背面，其包括相对设置的第一背电极层和第二背电极层；
正电极，设于所述基体的正面，其包括相对设置的第一正电极层和第二正电极层；
第一阻体层，设于所述基体的正面，其两端分别与所述第一正电极层和第二正电极层相连；
第二阻体层，印刷在所述第一阻体层上表面上；
顺次覆盖的第一保护层、第二保护层和第三保护层，所述第一保护层覆盖在所述第二阻体层上；
镭切线，设于所述第一阻体层、第二阻体层和第一保护层上对应的位置处；
侧电极，分别与所述正电极与背电极相连，使得背电极与正电极导通。


2.根据权利要求1所述的一种低阻高功率厚膜贴片电阻，其特征在于：所述第一保护层为玻璃保护层；所述第二保护层和第三保护层完全重叠，二者均为树脂保护层。


3.根据权利要求1所述的一种低阻高功率厚膜贴片电阻，其特征在于：所述低阻高功率厚膜贴片电阻的阻值为10mΩ，功率为2W。


4.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄正信，刘复强，顾明德，
申请(专利权)人：丽智电子昆山有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32