一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻，包括基体，基体的背面和正面分别设有背电极和正电极，背电极包括相对设置且均沿着基体的长度方向延伸的第一背电极层和第二背电极层，二者的长度与基体的长度相等；正电极包括相对设置且沿着基体的长度方向延伸的第一正电极层和第二正电极层，二者的长度与基体的长度相等；第一正电极层和第二正电极层通过阻体层相连，阻体层上覆盖有玻璃保护层和树脂保护层；阻体层和玻璃保护层上对应的位置处设有镭切线；正电极与背电极通过侧电极相连导通。本实用新型专利技术通过对正电极和背电极均采用宽电极结构设计，相比于传统的正电极和背电极面积分别增加至少2倍，能够加大产品的散热面积，使产品的功率得到提升。

A thick film resistor with wide electrode structure

【技术实现步骤摘要】
一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻
本技术属于电子器件
，具体涉及一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻。
技术介绍
随着科技的进步，时代的发展及人们对各类电子产品的要求不断提升，性能可靠及工艺稳定的厚膜晶片电阻也应电子产品的特殊需求呈现多样化的发展趋势，也给厚膜晶片电阻带来了新的发展机遇，特别是客户应用端对厚膜晶片电阻的散热性、耐电流及功率指标有更高的要求。目前，如图1(a)和图1(b)所示，由于现行业中普通的厚膜晶片电阻的正电极和背电极的面积过小，因此，散热性较差，耐电流较低，且产品的功率很难再得到提升，无法满足人们对散热性更好，耐电流更强及功率更高的厚膜晶片电阻的需求，促使电阻器生产厂家研制出一种比现有市场上的厚膜晶片电阻的散热性更好，耐电流更强，同时又可将其使用功率得到有效提升的厚膜晶片电阻，以便解决上述的问题。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提出一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻，可有效增加产品的散热面积，从而可有效提升产品的功率特性，且较低的制作成本。为了实现上述技术目的，达到上述技术效果，本技术通过以下技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻，其特征在于，包括：/n基体；/n背电极，设于所述基体的背面，其包括相对设置的第一背电极层和第二背电极层，所述第一背电极层和第二背电极层均沿着基体的长度方向延伸，且二者的长度与基体的长度相等；/n正电极，设于所述基体的正面，其包括相对设置的第一正电极层和第二正电极层，所述第一正电极层和第二正电极层均沿着基体的长度方向延伸，且二者的长度与基体的长度相等；/n阻体层，设于所述基体的正面，其两端分别与所述第一正电极层和第二正电极层相连；/n玻璃保护层，覆盖在所述阻体层上；/n镭切线，设于所述阻体层和玻璃保护层上对应的位置处；/n树脂保护层，覆盖在所述玻璃保护层上；...

【技术特征摘要】
1.一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻，其特征在于，包括：
基体；
背电极，设于所述基体的背面，其包括相对设置的第一背电极层和第二背电极层，所述第一背电极层和第二背电极层均沿着基体的长度方向延伸，且二者的长度与基体的长度相等；
正电极，设于所述基体的正面，其包括相对设置的第一正电极层和第二正电极层，所述第一正电极层和第二正电极层均沿着基体的长度方向延伸，且二者的长度与基体的长度相等；
阻体层，设于所述基体的正面，其两端分别与所述第一正电极层和第二正电极层相连；
玻璃保护层，覆盖在所述阻体层上；
镭切线，设于所述阻体层和玻璃保护层上对应的位置处；
树脂保护层，覆盖在所述玻璃保护层上；
侧电极，分别与所述正电极与背电极相连，使得背电极与正电极导通。


2.根据权利要求1所述的一种具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄正信，刘复强，顾明德，
申请(专利权)人：丽智电子昆山有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32