一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体器件制备技术领域，一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，氮化镓基发光二极管外延片从下到上依次为蓝宝石衬底、AlN缓冲层、3D生长过程中插入5～20个周期Al

A gallium nitride based LED epitaxial wafer and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法
本专利技术属于发光二极管制备
，涉及一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法。
技术介绍
近年来，基于蓝宝石衬底的GaN基LED成功实现了大规模生产和商业化。随着LED市场的饱和化，LED厂家之间的竞争也越来越激烈，LED下游厂家之间的价格战愈演愈烈，同时LED上游产品的性能要求也逐渐变高，亮度、抗静电性能、工作电压等参数指标要求越来越严格。由于蓝宝石衬底与GaN之间存在较大的晶格失配和热失配，LED外延层内存在较大的应力，进而外延层中存在大量的位错，这些位错延伸到发光层中会严重影响芯片的亮度。为了减少位错线延伸到发光层，通常在nGaN长完后生长数十纳米厚度的体结构AlGaN层，起到阻挡位错和电流扩展的作用。但由于GaN与AlN存在较大的晶格失配，在GaN与AlGaN界面处会存在较大的应力，影响了AlGaN层对位错的屏蔽作用。
技术实现思路
一般的专利是在2DGaN层或者nGaN层结束之后，生长体结构AlGaN层，起到电流阻挡的作用，本专利技术则是通过在溅射AlN衬底和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述的氮化镓基发光二极管外延片从下到上的次序：在蓝宝石衬底上依次为AlN层、3D本征GaN层、超晶格应力释放层、3D本征GaN层、2D本征GaN层、n型GaN层、nsls应力释放层、MQW层和p-GaN层；/n所述的超晶格应力释放层是在3D本征GaN层中插入的低压高温生长Al

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述的氮化镓基发光二极管外延片从下到上的次序：在蓝宝石衬底上依次为AlN层、3D本征GaN层、超晶格应力释放层、3D本征GaN层、2D本征GaN层、n型GaN层、nsls应力释放层、MQW层和p-GaN层；
所述的超晶格应力释放层是在3D本征GaN层中插入的低压高温生长AlxGa(1-x)N/AlN/GaN层，其厚度为100-300nm，AlxGa(1-x)N/AlN/GaN周期数为5～20；AlxGa(1-x)N/AlN/GaN层中AlxGa(1-x)N层的厚度为2～5nm，AlxGa(1-x)N/AlN/GaN层中AlN层的厚度为2～4nm，AlxGa(1-x)N/AlN/GaN层中GaN层的厚度5～8nm；
所述的AlxGa(1-x)N/AlN/GaN层的AlxGa(1-x)NAl组分x的值为0.05～0.1或0.1～0.2。


2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕腾飞，芦玲，祝光辉，刘坚，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32