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本发明属于半导体器件制备技术领域，一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，氮化镓基发光二极管外延片从下到上依次为蓝宝石衬底、AlN缓冲层、3D生长过程中插入5～20个周期Al...
该专利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淮安澳洋顺昌光电技术有限公司授权不得商用。

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