一种沟槽IGBT及其制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体领域，具体公开了一种沟槽IGBT及其制作方法，包括半导体衬底和IGBT元胞，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元，两个所述真沟槽栅单元之间设置有至少两个假沟槽单元，两个所述假沟槽单元之间设置至少一个假沟槽栅单元，所述真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元连接栅极金属，所述假沟槽单元连接发射极金属。本发明专利技术可以通过在真沟槽栅单元之间增加假沟槽单元和/或假沟槽栅单元来降低饱和压降、优化抗短路能力。

A groove IGBT and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽IGBT及其制作方法
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种沟槽IGBT及其制作方法。
技术介绍
IGBT随着技术的升级，已经完成了诸多的更迭，如背面从厚片的PT型，过渡到薄片的NPT，再升级成最新的超薄片的FS场终止，可以大幅度的降低由于芯片厚度造成的器件热阻，正面从平面结构升级成沟槽型，再从普通型的双侧沟槽结构(图1所示)升级到注入增强型半侧沟道沟槽结构(图2所示)，可以有效降低饱和压降Vcesat和静态损耗，但随着沟槽结构特征尺寸缩小到3um(相邻沟槽间距离与沟槽本身宽度之和)以内，带来IGBT单位面积电流密度大幅上升，但是现有技术中的沟槽结构的饱和压降Vcesat、抗短路能力及开关特性不够优化。
技术实现思路
本专利技术为解决特征尺寸在3um以内的IGBT采用现有技术IGBT结构的性能参数不够优化的问题，提出一种沟槽IGBT。本专利技术采用的技术方案：本专利技术的一方面，一种沟槽IGBT，包括半导体衬底和IGBT元胞，所述半导体衬底为N型衬底，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽IGBT，包括半导体衬底和IGBT元胞，所述半导体衬底为N型衬底，其特征在于，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元，两个所述真沟槽栅单元之间设置有至少两个假沟槽单元，两个所述假沟槽单元之间设置至少一个假沟槽栅单元，所述真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元连接栅极金属，所述假沟槽单元连接发射极金属。/n

【技术特征摘要】
1.一种沟槽IGBT，包括半导体衬底和IGBT元胞，所述半导体衬底为N型衬底，其特征在于，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元，两个所述真沟槽栅单元之间设置有至少两个假沟槽单元，两个所述假沟槽单元之间设置至少一个假沟槽栅单元，所述真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元连接栅极金属，所述假沟槽单元连接发射极金属。


2.一种沟槽IGBT，包括半导体衬底和IGBT元胞，所述半导体衬底为N型衬底，其特征在于，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元，两个所述真沟槽栅单元之间设置有一个假沟槽栅单元，所述真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元连接栅极金属，所述发射极金属设置在真沟槽栅单元和所述假沟槽栅单元之间。


3.一种沟槽IGBT，包括半导体衬底和IGBT元胞，所述半导体衬底为N型衬底，其特征在于，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元，两个所述真沟槽栅单元之间设置有一个假沟槽单元，...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞义长，赵善麒，
申请(专利权)人：江苏宏微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32