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本发明涉及半导体领域，具体公开了一种沟槽IGBT及其制作方法，包括半导体衬底和IGBT元胞，所述IGBT元胞为对称结构，所述IGBT元胞包括两个真沟槽栅单元，两个所述真沟槽栅单元之间设置有至少两个假沟槽单元，两个所述假沟槽单元之间设置至少一...
该专利属于江苏宏微科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏宏微科技股份有限公司授权不得商用。

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