【技术实现步骤摘要】
扫描式光刻胶涂布系统及方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种扫描式光刻胶涂布系统及方法。
技术介绍
目前，在光刻胶涂布工艺中，常见的光刻胶涂布方法是旋转涂胶法。如图1所示，通过光刻胶供给管路101在晶圆102中心位置处喷涂光刻胶103，晶圆102在真空吸盘104带动下高速旋转，通过旋转产生的离心力，使光刻胶103均匀铺开到晶圆102的表面。该方法对于光刻胶材质、晶圆洁净度及晶圆转速等涂胶工艺参数都有较高要求，涂胶工艺参数稍有偏差就极易导致光刻胶在晶圆面内出现中心薄、边缘厚，或者中心厚、边缘薄的情况，进而导致特征尺寸出现与之相应的差异分布，最终影响产品良率。如图2所示，是采用现有技术涂布的光刻胶在晶圆面内的厚度分布示意图，下端的灰度标尺代表了相应的光刻胶厚度，可以看出光刻胶在晶圆的中心和边缘区域的厚度有明显差异。而光刻胶厚度上的细微差异就有可能影响后续光刻工艺的品质。如图3所示，是采用现有技术所涂布的光刻胶进行光刻工艺后的晶圆面内特征尺寸分布示意图，图中每一网格代表光刻的一个曝光区域105，根据不同...
【技术保护点】
1.一种扫描式光刻胶涂布系统，其特征在于，包括：/n晶圆承载台，用于放置待涂布晶圆；/n多孔式光刻胶涂布头，包括涂布主体及至少两个喷嘴；其中，所述涂布主体为内部设有容纳腔的中空结构，所述喷嘴位于所述涂布主体的下方，与所述容纳腔相连通，且沿所述涂布主体的长度方向排布；及/n第一驱动装置，与所述多孔式光刻胶涂布头相连接，用于在光刻胶涂布过程中驱动所述多孔式光刻胶涂布头移动。/n
【技术特征摘要】
1.一种扫描式光刻胶涂布系统，其特征在于，包括：
晶圆承载台，用于放置待涂布晶圆；
多孔式光刻胶涂布头，包括涂布主体及至少两个喷嘴；其中，所述涂布主体为内部设有容纳腔的中空结构，所述喷嘴位于所述涂布主体的下方，与所述容纳腔相连通，且沿所述涂布主体的长度方向排布；及
第一驱动装置，与所述多孔式光刻胶涂布头相连接，用于在光刻胶涂布过程中驱动所述多孔式光刻胶涂布头移动。
2.根据权利要求1所述的扫描式光刻胶涂布系统，其特征在于，所述多孔式光刻胶涂布头在所述待涂布晶圆上方移动时，所述涂布主体的中心在所述待涂布晶圆表面的投影与所述待涂布晶圆圆心的连线与所述涂布主体的长度方向相垂直。
3.根据权利要求1所述的扫描式光刻胶涂布系统，其特征在于，所述喷嘴的排列方式为均匀间隔排列。
4.根据权利要求1所述的扫描式光刻胶涂布系统，其特征在于，所述喷嘴排布区域的长度与所述涂布主体的长度相同，所述涂布主体的长度介于150mm～450mm之间。
5.根据权利要求1所述的扫描式光刻胶涂布系统，其特征在于，所述喷嘴的孔径介于0.6mm～1.0mm之间。
6.根据权利要求1所述的扫描式光刻胶涂布系统，其特征在于，所述喷嘴数量介于10～14个之间。
7.根据权利要求1所述的扫描式光刻胶涂布系统，其特征在于，所述晶圆承载台包括真空吸盘，所述扫描式光刻胶涂布系统还包括真空吸附装置，所述真空吸附装置与所述真空吸盘相连接，用于将所述晶圆真空吸附于所述晶圆承载台的表面。
8.根据权利要求1所述的扫描式光刻胶涂布系统，其特征在于，所述扫描式光刻胶涂布系统还包括第二驱动装置，所述第二驱动装置与所述晶圆承载台相连接，用于驱动所述晶圆承载台旋转。
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴明锋，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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