半导体制程制造技术

本公开提供一种半导体制程，其包括提供光阻溶液，光阻溶液中含有具有第一体积的第一溶剂和具有第二体积的第二溶剂，其中第一溶剂不同于第二溶剂，且第一体积小于第二体积。涂布光阻溶液于基板上以形成薄膜，其中涂布过程将蒸发一部分第一溶剂和一部分第二溶剂，使得第一溶剂的剩余部分大于第二溶剂的剩余部分。烘烤薄膜，并于烘烤薄膜后，将薄膜进行曝光以形成已曝光薄膜，以及将已曝光薄膜进行显影。

Semiconductor process

【技术实现步骤摘要】
半导体制程
本公开涉及一种可应用于光微影(photolithography)的阻剂溶液以及其应用。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)产业历经了指数性成长。IC材料和设计上的技术改良已产生许多IC世代，而每一世代比起前一世代又具有更小以及更复杂的电路。然而，此些改良或进展亦会增加处理与制造IC的复杂度，为了使这些改良或进展得以实现，于IC处理与制造领域中亦需要相似的发展。例如，微影制程(lithographyprocesses)被广泛应用于集成电路(IC)制造中，其中各种光阻图案(resistpatterns)被转移到工作元件(workpiece)上以形成IC元件。在许多情况下，于工作元件上所形成的光阻层(以及最终的光阻图案)的品质，将直接影响最终IC元件的优劣。光阻层(后方有时亦称为阻剂层)的品质可能受到用以形成光阻图案的光阻溶液中的各种成分分布的影响。虽然现有的光微影技术已大致符合需求，但并非在所有方面皆完全令人满意。举例而言，促进光阻层曝光的功能单元(functionalunit)的非均匀分布可能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制程，包括；/n提供一光阻溶液，其中该光阻溶液包含一具有第一体积的第一溶剂、以及一具有第二体积的第二溶剂；其中该第一溶剂不同于该第二溶剂，且该第一体积小于该第二体积；/n分散该光阻溶液于一基板上以形成一薄膜，其中该分散步骤蒸发一部分的该第一溶剂以及一部分的该第二溶剂，使该第一溶剂的剩余部分大于该第二溶剂的剩余部分；/n烘烤该薄膜；/n在烘烤该薄膜后，将该薄膜进行曝光，形成一已曝光薄膜；以及/n将该已曝光薄膜进行显影。/n

【技术特征摘要】
20180813 US 16/102,4291.一种半导体制程，包括；
提供一光阻溶液，其中该光阻溶液包含一具有第一体积的第一溶剂、以及一具有第二体积的第二溶剂；其中该第一溶剂不同于该第二溶剂，且该第一体积小于该第二体积...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏煜中，罗冠昕，郑雅如，张庆裕，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71