【技术实现步骤摘要】
涂胶设备和涂胶方法
本专利技术实施例涉及涂胶技术,尤其涉及一种涂胶设备和涂胶方法。
技术介绍
在半导体工艺中,在晶圆板上涂胶、刻蚀电路是非常重要的工序。一般都需要刻蚀多层电路才能完成刻蚀操作,在刻蚀一层电路时,需要先在晶圆板上先涂覆光刻胶并盖上掩膜板进行曝光处理,然后再做刻蚀处理。因此,刻蚀每一层电路,都对应需要进行一次涂胶操作,现有技术中涂胶工艺是通过光刻胶分配器在晶圆板的圆心位置滴3-5ml的液态光刻胶,再由电机带动真空吸盘及晶圆板转动,通过离心力将圆心处的光刻胶平铺在晶圆表面。但是现有涂胶工艺中,晶圆板的转速不能太低,否则产生的离心力不足以将圆心处的光刻胶铺开,转速一般达到3000rpm左右,并且随着晶圆尺寸越大,转速要求也越快。晶圆板高速旋转时,约99%的光刻胶被甩出晶圆板表面,这些光刻胶因为被污染也不能回收再利用,导致大部分光刻胶被浪费,若叠加多次刻蚀操作,则光刻胶的成本浪费就更为明显。
技术实现思路
本专利技术提供一种涂胶设备和涂胶方法,以实现节约光刻胶的目的。第一方面,本专利技术实施 ...
【技术保护点】
1.一种涂胶设备,其特征在于,包括:/n可转动的真空吸盘,所述真空吸盘用于放置所述晶圆。/n喷淋头,位于所述真空吸盘的上方,所述喷淋头上设置有多个喷洒孔,所述多个喷洒孔用于向真空吸盘的方向喷洒光刻胶。/n
【技术特征摘要】
1.一种涂胶设备,其特征在于,包括:
可转动的真空吸盘,所述真空吸盘用于放置所述晶圆。
喷淋头,位于所述真空吸盘的上方,所述喷淋头上设置有多个喷洒孔,所述多个喷洒孔用于向真空吸盘的方向喷洒光刻胶。
2.根据权利要求1所述的涂胶设备,其特征在于,所述喷淋头还包括:
长度调节片,所述长度调节片用于调节所述多个喷洒孔的喷洒状态。
3.根据权利要求1所述的涂胶设备,其特征在于,所述涂胶设备还包括:
光刻胶容器,用于盛放光刻胶;
进液管,所述进液管一端伸入所述光刻胶容器内,所述进液管的另一端与所述喷淋头相连,用于将光刻胶输送至所述喷淋头。
4.根据权利要求1所述的涂胶设备,其特征在于,所述多个喷洒孔呈扇形或三角形分布,所述扇形的圆心角或所述三角形的顶角与所述真空吸盘的圆心对应。
5.根据权利要求1所述的涂胶设...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘召军,林大野,于海娇,莫炜静,
申请(专利权)人:深圳市思坦科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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