抗蚀剂垫层组合物和使用所述组合物形成图案的方法技术

本发明专利技术公开一种抗蚀剂垫层组合物和使用抗蚀剂垫层组合物形成图案的方法，所述组合物包含：聚合物，包含由化学式1‑1表示的第一部分和由化学式1‑2表示的第二部分中的至少一者；热酸产生剂，包含由酸衍生的阴离子和衍生自pKa大于或等于7的碱的阳离子构成的盐；以及溶剂：化学式1‑1到化学式1‑2的定义与具体实施方式中所描述的定义相同。[化学式1‑1]

An anticorrosive cushion composition and a method for forming a pattern using the composition

【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂垫层组合物和使用所述组合物形成图案的方法相关申请的交叉引用本申请主张2018年9月6日在韩国知识产权局(KoreanIntellectualPropertyOffice)提交的韩国专利申请第10-2018-0106678号的优先权和权益，所述申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及一种抗蚀剂垫层组合物和使用所述组合物形成图案的方法。尤其，本专利技术涉及形成于半导体衬底与光刻胶层之间的光刻胶垫层组合物，和使用底涂层形成光刻胶图案的方法。
技术介绍
最近，半导体行业已发展到具有几纳米大小到几十纳米大小的图案的超精细技术。这种超精细技术主要需要有效的光刻技术。光刻技术包含：在半导体衬底(例如硅晶片)上涂布光刻胶层；使所述光刻胶层曝光且显影以形成薄层；辐照激活的辐射(例如紫外线(UV))，同时安置具有装置图案的掩模图案；使所得物显影以获得光刻胶图案；以及使用所述光刻胶图案作为保护层蚀刻衬底以形成与在衬底表面上的图案对应的精细图案。由于需要制造超精细图案的技术，使用具有短波长的激活辐射，例如i-线(波长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗蚀剂垫层组合物，包括/n聚合物，包括由化学式1-1表示的第一部分和由化学式1-2表示的第二部分中的至少一者；/n热酸产生剂，包括由酸衍生的阴离子和衍生自具有大于或等于7的pKa的碱的阳离子构成的盐；以及/n溶剂：/n[化学式1-1]/n

【技术特征摘要】
20180906 KR 10-2018-01066781.一种抗蚀剂垫层组合物，包括
聚合物，包括由化学式1-1表示的第一部分和由化学式1-2表示的第二部分中的至少一者；
热酸产生剂，包括由酸衍生的阴离子和衍生自具有大于或等于7的pKa的碱的阳离子构成的盐；以及
溶剂：
[化学式1-1]



[化学式1-2]



其中，在化学式1-1到化学式1-2中，
a和f各自独立地为0到3的整数，
当a为0时，R1为选自氢、经至少一个羟基取代的C1到C30烷基以及经至少一个羟基取代的C1到C30杂烷基中的一者，
当a为1到3的整数时，R1为羟基且R0为经取代或未经取代的C1到C30亚烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烷基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚杂芳基、经取代或未经取代的C1到C30亚烯基、经取代或未经取代的C1到C30亚炔基、酯基、醚基、硫醚基，或其组合，
R2到R6各自独立地为经取代或未经取代的C1到C30亚烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烷基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚杂芳基、经取代或未经取代的C1到C30亚烯基、经取代或未经取代的C1到C30亚炔基、酯基、醚基、硫醚基，或其组合，
b、c、d以及e各自独立地为0到3的整数；以及
*为键联点。


2.根据权利要求1所述的抗蚀剂垫层组合物，其中所述阴离子为非芳香族阴离子。


3.根据权利要求2所述的抗蚀剂垫层组合物，其中所述阴离子由化学式2表示：
[化学式2]



其中，在化学式2中，
R11到R15各自独立地选自氢、氘、卤素、经取代或未经取代的C1到C30烷基以及经取代或未经取代的C1到C30杂烷基，其限制条件为R11到R13中的至少一者为卤素，以及
n为范围介于0到10的整数。


4.根据权利要求3所述的抗蚀剂垫层组合物，其中在化学式2中，R11到R15中的至少一者为氟基。


5.根据权利要求1所述的抗蚀剂垫层组合物，其中所述阳离子由化学式3表示：
[化学式3]



其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：白载烈，裵信孝，崔有廷，权纯亨，朴贤，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR