稀释剂组合物、基板处理方法及半导体元件制造方法技术

本发明专利技术涉及一种稀释剂组合物、利用该组合物的基板处理方法及利用该方法的半导体元件制造方法，更详细而言，涉及一种适用于光刻胶减量涂覆、边缘光刻胶去除工艺等，能够减少光刻胶使用量，且能够去除晶片边缘或背面的多余的光刻胶的稀释剂组合物、利用该组合物的基板的处理方法及利用该方法的半导体元件的制造方法。

Diluent composition, substrate treatment method and semiconductor component manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
稀释剂组合物、基板处理方法及半导体元件制造方法
本专利技术涉及一种稀释剂组合物、利用该组合物的基板处理方法及利用该方法的半导体元件制造方法。更详细而言，涉及一种稀释剂组合物，其适用于光刻胶减量涂覆(ReduceResistCoating，RRC)、边缘光刻胶去除(EdgeBeadRemoved，EBR)工艺等，以能够减少光刻胶使用量，并且能够去除晶片边缘或背面的多余的光刻胶。
技术介绍
在半导体制造工艺中，通过旋涂法将包含光敏物质及溶剂的光刻胶均匀地涂覆到基板上形成的导电金属膜或氧化膜等后，经过曝光、显影、蚀刻及剥离工艺来制造微电路图案。此时，曝光工艺是通过利用紫外线区域的短波长光将所需图案精细地曝光到涂膜上的方式来实现的，其对外部或内部污染物质非常敏感。因此，在涂覆工艺中涂覆到基板的边缘或背面的多余的残留光刻胶等污染物在后续的曝光工艺中成为致命的污染源，因此必需去除。另外，在基板表面涂覆光刻胶之前，可以先涂覆稀释剂来增强光刻胶的表面粘附性，但将具有高极性的树脂用作用于实现微图案的KrF、ArF的光刻胶组成物的情况下，通过现有的稀释剂无法均匀扩散地涂覆光刻胶，会导致在基板边缘发生不良显影等各种问题。因此，有必要研究能够解决这些问题的稀释剂组合物。现有技术文献专利文献1：韩国公开专利第2007-0074901号专利文献2：韩国公开专利第2007-0069891号
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，提供一种能够有效去除涂覆到基板的边缘或背面的多余的光刻胶的稀释剂组合物。另外，本专利技术的另一目的在于，提供一种即使使用少量的用于实现图案的光刻胶也能够均匀地涂覆到基板的整个面上且能够大量节约所述光刻胶使用量的稀释剂组合物。另外，本专利技术的另一目的在于，提供一种对于多种光刻胶及下部反射防止膜(BARC)具有优秀的溶解性，能够显著提高光刻胶减量涂覆(ReduceResistCoating，RRC)及边缘光刻胶去除(EdgeBeadRemoved，EBR)特性的稀释剂组合物。另外，本专利技术的另一目的在于，提供一种在基板涂覆光刻胶之前利用本专利技术的稀释剂组合物处理基板的方法。另外，本专利技术的另一目的在于，提供一种利用所述稀释剂组合物极大地提高半导体制造收率的半导体元件制造方法。另外，本专利技术的另一目的在于，提供一种利用本专利技术的稀释剂组合物去除基板的光刻胶的方法。为了实现如上所述的目的，本专利技术的一实施方式提供一种包含C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯、丙二醇C1-C10烷基醚及丙二醇C1-C10烷基醚乙酸酯的稀释剂组合物。本专利技术一实施例的稀释剂组合物相对于稀释剂组合物总重量，可包含20至45重量％的C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯、5至55重量％的丙二醇C1-C10烷基醚及20至60重量％的丙二醇C1-C10烷基醚乙酸酯。在本专利技术一实施例的稀释剂组合物中，所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯可以是选自由甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸甲酯、甲氧基丙酸乙酯及乙氧基丙酸乙酯所组成的组中的任一种或两种以上的混合物。在本专利技术一实施例的稀释剂组合物中，所述丙二醇C1-C10烷基醚可以选自由丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚及丙二醇丁醚所组成的组中的任一种以上。在本专利技术一实施例的稀释剂组合物中，所述丙二醇C1-C10烷基醚乙酸酯可以选自由丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇乙醚乙酸酯、丙二醇丙醚乙酸酯、丙二醇异丙醚乙酸酯及丙二醇丁醚乙酸酯所组成的组中的任一种以上。本专利技术一实施例的稀释剂组合物还可包含选自C1-C10烷基羟基异丁酸酯及表面活性剂中的任一种以上。在本专利技术一实施例的稀释剂组合物中，所述C1-C10烷基羟基异丁酸酯可以选自由2-羟基异丁酸甲酯、2-羟基异丁酸乙酯、2-羟基异丁酸丙酯、2-羟基异丁酸异丙酯、2-羟基异丁酸丁酯及2-羟基异丁酸叔丁酯所组成的组中的任一种以上。另外，本专利技术的另一实施方式涉及一种利用所述稀释剂组合物处理基板的基板处理方法。本专利技术一实施例的基板处理方法可以是去除涂覆在基板的边缘部或背面部的多余的光刻胶的方法。另外，本专利技术的另一实施方式涉及一种利用稀释剂组合物去除基板的光刻胶的方法，其中，所述稀释剂组合物包含C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯、丙二醇C1-C10烷基醚及丙二醇C1-C10烷基醚乙酸酯。优选地，本专利技术一实施例的组合物相对于稀释剂组合物总重量，可以包含20至45重量％的C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯、5至55重量％的丙二醇C1-C10烷基醚及20至60重量％的丙二醇C1-C10烷基醚乙酸酯。优选地，本专利技术一实施例的C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯可以是选自由甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸甲酯、甲氧基丙酸乙酯及乙氧基丙酸乙酯所组成的组中的任一种或两种以上的混合物，丙二醇C1-C10烷基醚可以选自由丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚及丙二醇丁醚所组成的组中的任一种以上，丙二醇C1-C10烷基醚乙酸酯可以选自由丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇乙醚乙酸酯、丙二醇丙醚乙酸酯、丙二醇异丙醚乙酸酯及丙二醇丁醚乙酸酯所组成的组中的任一种以上。本专利技术一实施例的组合物还可包含选自C1-C10烷基羟基异丁酸酯和表面活性剂中的任一种以上。优选地，本专利技术一实施例的C1-C10烷基羟基异丁酸酯可以选自由2-羟基异丁酸甲酯、2-羟基异丁酸乙酯、2-羟基异丁酸丙酯、2-羟基异丁酸异丙酯、2-羟基异丁酸丁酯及2-羟基异丁酸叔丁酯所组成的组中。优选地，本专利技术一实施例的光刻胶可以为涂覆在基板的边缘部或背面部的多余的光刻胶。另外，本专利技术的另一实施方式涉及一种利用所述稀释剂组合物的半导体元件的制造方法。本专利技术一实施例的半导体元件的制造方法可以包括在基板上涂覆稀释剂组合物之后在其上喷射并旋涂光刻胶的步骤。具体而言，本专利技术一实施例的半导体元件的制造方法可以包括在涂覆有稀释剂组合物的基板上涂覆光刻胶的步骤，其中，所述稀释剂组合物包含C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯、丙二醇C1-C10烷基醚及丙二醇C1-C10烷基醚乙酸酯。优选地，本专利技术的半导体元件的制造方法的一实施例的组合物相对于稀释剂组合物总重量，可以包含20至45重量％的C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯、5至55重量％的丙二醇C1-C10烷基醚及20至60重量％的丙二醇C1-C10烷基醚乙酸酯。本专利技术一实施例的C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯可以是选自由甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸甲酯、甲氧基丙酸乙酯及乙氧基丙酸乙酯所组成的组中的任一种或两种以上的混合物，丙二醇C1-C10烷基醚可以选自由丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚及丙二醇丁醚所组成的组中的任一种以上，丙二醇C1-C10烷基醚乙酸酯可以选自由丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇乙醚乙酸酯、丙二醇丙醚乙酸酯、丙二醇异丙醚乙酸酯及丙二醇丁醚乙酸酯所组成的组中的任一种以上。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种稀释剂组合物，其中，包含C

【技术特征摘要】
20180831 KR 10-2018-01033331.一种稀释剂组合物，其中，包含C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯、丙二醇C1-C10烷基醚及丙二醇C1-C10烷基醚乙酸酯。


2.根据权利要求1所述的稀释剂组合物，其中，
所述组合物相对于稀释剂组合物总重量，包含20至45重量％的C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯、5至55重量％的丙二醇C1-C10烷基醚及20至60重量％的丙二醇C1-C10烷基醚乙酸酯。


3.根据权利要求1所述的稀释剂组合物，其中，
所述C1-C10烷基C1-C10烷氧基丙酸酯是选自由甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸甲酯、甲氧基丙酸乙酯及乙氧基丙酸乙酯所组成的组中的任一种或两种以上的混合物。


4.根据权利要求1所述的稀释剂组合物，其中，
所述丙二醇C1-C10烷基醚选自由丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丙醚及丙二醇丁醚所组成的组中的任一种以上。


5.根据权利要求1所述的稀释剂组合物，其中，
所述丙二醇C1-C10烷基醚乙酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：李斗元，李相大，李明镐，宋明根，
申请(专利权)人：易案爱富科技有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR