一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液制造技术

本发明专利技术属于化学制剂技术领域，涉及一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液，配方包括10～20wt％二甲基亚砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氢氧化铵，0.1～1wt％硫脲类缓蚀剂和0.1～2wt％聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂，5～15wt％N‑甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液具有较快的剥离速度，对金属的腐蚀率低，而且使用寿命长。

A photoresist stripper for laminated wafer

【技术实现步骤摘要】
一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液
本专利技术涉及化学制剂
，特别涉及一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液。
技术介绍
随着半导体制造技术以及立体封装技术的不断发展，电子器件和电子产品对多功能化和微型化的要求越来越高。在这种小型化趋势的推动下，要求芯片的封装尺寸不断减小。3D叠层粉妆技术的封装体积小，立体空间大，引线距离短，信号传输快，所以能够更好地实现封装的微型化。晶圆叠层是3D叠层封装的一种形式。叠层晶圆在制造的过程中会对最外层的晶圆表面进行显影蚀刻，当中会用到光刻胶剥离液。以往的光刻胶剥离液对金属的腐蚀较大，可能进入叠层内部造成线路减薄，药液残留，影响产品的质量。因此有必要开发一种不会对叠层晶圆产生过腐蚀的光刻胶剥离液。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液，既具有较高的光刻胶剥离效率，又不会对晶圆内层有很大的腐蚀。本专利技术通过如下技术方案实现上述目的：一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液，配方包括10～20wt％二甲基亚砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液，其特征在于：配方包括10～20wt％二甲基亚砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氢氧化铵，0.1～1wt％硫脲类缓蚀剂和0.1～2wt％聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂，5～15wt％N-甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液，其特征在于：配方包括10～20wt％二甲基亚砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氢氧化铵，0.1～1wt％硫脲类缓蚀剂和0.1～2wt％聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂，5～15wt％N-甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。


2.关于权利要求1所述的用于叠层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王润杰，卢洪庆，严増源，
申请(专利权)人：苏州博洋化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32