去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺技术

本发明专利技术提供了一种去胶设备，包括：腔体，位于所述腔体底部的顶针，以及位于所述腔体侧壁的光谱监控仪；所述顶针用于对晶圆进行升降作用，所述光谱监控仪用于监测所述顶针是否到达正确位置；本发明专利技术还提供了一种顶针监控方法，用于监测去胶工艺平台的顶针位置是否异常，包括：光谱监控仪接受晶圆表面的光谱信号；判断光谱信号是否异常；本发明专利技术还提供了一种去胶工艺，包括：判断所述顶针位置是否异常；如果没有异常，开始去胶。在本发明专利技术提供的去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺中，通过对晶圆表面光谱信号的监测来判断顶针的位置是否在合适的位置，使得去胶结果速率正常。

Degumming equipment, thimble monitoring method and degumming process

【技术实现步骤摘要】
去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺
本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺。
技术介绍
光刻胶去胶工艺的机台上，由于无静电吸附盘功能，从而无法知道顶针在哪个位置，是在晶圆下面还是边缘升降异常，导致晶圆在垂直位置上位置偏差时，无法及时有效侦测到此异常点，而顶针位置的异常，会导致晶圆无法与高温工站接触从而导致去胶速率异常。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺，通过对晶圆表面光谱信号的监测来判断顶针的位置是否在合适的位置，最终使得去胶结果速率正常。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种去胶设备，包括：腔体，位于所述腔体底部的顶针，以及位于所述腔体侧壁的光谱监控仪；所述顶针用于对晶圆进行升降作用，所述光谱监控仪用于监测所述顶针是否到达正确位置。可选的，在所述的去胶设备中，所述光谱监控仪位于所述腔体侧壁上。可选的，在所述的去胶设备中，所述顶针数量为多个，均匀分布在所述腔体的底部。本专利技术还提供了一种顶针监控方法，用于监测去胶工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种去胶设备，其特征在于，包括：腔体，位于所述腔体底部的顶针，以及位于所述腔体侧壁的光谱监控仪；所述顶针用于对晶圆进行升降作用，所述光谱监控仪用于监测所述顶针是否到达正确位置。/n

【技术特征摘要】
1.一种去胶设备，其特征在于，包括：腔体，位于所述腔体底部的顶针，以及位于所述腔体侧壁的光谱监控仪；所述顶针用于对晶圆进行升降作用，所述光谱监控仪用于监测所述顶针是否到达正确位置。


2.如权利要求1所述的去胶设备，其特征在于，所述光谱监控仪位于所述腔体侧壁上。


3.如权利要求1所述的去胶设备，其特征在于，所述顶针数量为多个，均匀分布在所述腔体的底部。


4.一种顶针监控方法，用于监测去胶工艺平台的顶针位置是否异常，其特征在于，包括：光谱监控仪接受晶圆表面的光谱信号；判断光谱信号是否异常。


5.如权利要求4所述的顶针监控方法，其特征在于，所述判断信号是否异常的方法包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：王骏杰，荆泉，李宇杰，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31