氮化硅膜蚀刻组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物，更具体而言，通过在蚀刻组合物中包含两种彼此不同的硅系化合物，相比于氧化硅膜能够选择性地蚀刻氮化硅膜，其蚀刻选择比显著，在用于蚀刻工序和半导体制造工序时，可以在抑制发生析出物且减少存在于周围的包含氧化硅膜的其他膜的异常生长方面提供卓越的效果。

Silicon nitride film etching composition

【技术实现步骤摘要】
氮化硅膜蚀刻组合物
本专利技术涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物，更具体而言，涉及通过在蚀刻组合物中包含两种彼此不同的硅系化合物，从而能够以与氧化硅膜相比更高选择比蚀刻氮化硅膜的氮化硅膜用蚀刻组合物和利用该蚀刻组合物的氮化硅膜的蚀刻方法、抑制氧化硅膜的异常生长的方法以及半导体器件的制造方法。
技术介绍
氧化硅膜(SiO2)和氮化硅膜(SiNx)是在半导体制造工序中使用的代表性的绝缘膜。其中，氮化硅膜在半导体器件中用作盖层、间隔物层或硬掩模层。氧化硅膜和氮化硅膜被单独使用，或者一层以上的氧化硅膜和一层以上的氮化硅膜交替层叠而被使用。氮化硅膜的蚀刻是在160℃左右的高温下利用高纯度的磷酸和去离子水的混合物来实现。但是，高纯度的磷酸存在相对于氧化硅膜的氮化硅膜的蚀刻选择比降低，难以应用于氮化硅膜和氧化硅膜的层叠结构的问题。此外，包含磷酸的氮化硅膜蚀刻组合物在高温下持续进行基于水分蒸发的浓缩，对氮化膜和氧化膜的蚀刻率造成影响，因此需要持续供给纯水(DeionizedWater)。但是存在如下问题：即使所供给的纯水的量发生微小变化也会在去除氮化硅膜时导致本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化硅膜蚀刻组合物，其包含磷酸、下述化学式1的第一硅系化合物、下述化学式2的第二硅系化合物和水，/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
20180625 KR 10-2018-00726891.一种氮化硅膜蚀刻组合物，其包含磷酸、下述化学式1的第一硅系化合物、下述化学式2的第二硅系化合物和水，
[化学式1]



[化学式2]



所述化学式1和所述化学式2中，
R1至R6各自独立地选自氢、卤素、羟基、(C1-C10)烷氧基、(C1-C10)烷基和(C2-C10)烯基；
R'为取代或非取代的氨基(C1-C10)烷基，所述烷基的–CH2-能够被–N(R11)-或-O-取代，所述R11为氢、(C1-C10)烷基或氨基(C1-C10)烷基；
R”选自取代或非取代的-L1-SO3H、-L2-OP(＝O)(OH)2、-L3-P(＝O)(OR12)(OR13)、-L4-OP(＝O)(OH)(R14)、-L5-P(＝O)(OR15)R16及其盐，所述L1至L5各自独立地为(C1-C10)亚烷基或(C3-C10)亚环烷基，所述R12至R16各自独立地为氢或(C1-C10)烷基；
所述取代包含选自卤素、羟基、氰基、硝基、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基、(C3-C10)环烷基、(C3-C10)杂环烷基、(C3-C12)杂芳基和(C6-C12)芳基中的一者以上，所述杂环烷基或杂芳基包含选自B、N、O、S、P(＝O)、Si和P中的一者以上。


2.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻组合物，其中，在所述化学式1和所述化学式2中，
所述R1至R6各自独立地选自卤素、羟基、(C1-C7)烷氧基、(C1-C7)烷基和(C2-C7)烯基，所述R1至R3中的至少一个取代基和所述R4至R6中的至少一个取代基为羟基或(C1-C7)烷氧基；
所述R'为-L11-(A-L12)a-NR21R22，所述L11和L12各自独立地为(C1-C7)亚烷基，所述R21和R22各自独立地为氢、(C1-C7)烷基或氨基(C1-C7)烷基，所述A为–N(R11)-或-O-，所述R11为氢、(C1-C7)烷基或氨基(C1-C7)烷基，所述a为0至6的整数，当所述a为2以上的整数时，各个结构单元能够彼此不同；
所述R”选自-L1-SO3H、-L2-OP(＝O)(OH)2、-L3-P(＝O)(OR12)(OR13)、-L4-OP(＝O)(OH)(R14)、-L5-P(＝O)(OR15)R16及其盐，所述L1至L5各自独立地为(C1-C7)亚烷基或(C3-C7)亚环烷基，所述R12至R16各自独立地为氢或(C1-C7)烷基。


3.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻组合物，其中，在所述化学式1和所述化学式2中，
所述R1至R6各自独立地为羟基或(C1-C7)烷氧基；
所述R'为-L11-NR21R22，所述L11为(C1-C7)亚烷基，所述R21和R22各自独立地为氢或(C1-C7)烷基；
所述R”选自-L1-SO3H、-L2-OP(＝O)(OH)2、-L3-P(＝O)(OR12)(OR13)、-L4-OP(＝O)(OH)(R14)、-L5-P(＝O)(OR15)R16及其盐，所述L1至L5各自独立地为(C1-C7)亚烷基或(C3-C7)亚环烷基，所述R12至R16各自独立地为氢或(C1-C7)烷基。


4.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻组合物，其中，在所述化学式1和所述化学式2中，
所述R1至R6各自独立地为羟基或(C1-C7)烷氧基；
所述R'为-L11-(N(R11)-L12)a-NR21R22，所述L11和L12各自独立地为(C1-C7)亚烷基，所述R21和R22各自独立...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东铉，朴贤宇，李斗元，曺长佑，李明镐，宋明根，
申请(专利权)人：易案爱富科技有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR