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本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物，更具体而言，通过在蚀刻组合物中包含两种彼此不同的硅系化合物，相比于氧化硅膜能够选择性地蚀刻氮化硅膜，其蚀刻选择比显著，在用于蚀刻工序和半导体制造工序时，可以在抑制发生析出物且减少存在于周围的包含氧化硅膜的其...
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