具斜角型反射杯LED陶瓷基板的制法制造技术

本发明专利技术公开一种具斜角型反射杯ＬＥＤ陶瓷基板的制法，包含取用至少一由低温共烧陶瓷制成的生坯，具一反射杯的坯孔，在其未烧结前，使用一机械钻头加工坯孔，以形成一具斜角型反射杯的上层陶瓷生坯，且将上层陶瓷生坯与至少一已布置电路的下层陶瓷生坯，相互堆迭及压合成一预迭陶瓷生坯，并对预迭陶瓷生坯进行烧结，以制成ＬＥＤ陶瓷基板。本发明专利技术的方法在陶瓷生坯未烧结前，以机械加工方式在陶瓷生坯上成型斜角型反射杯，以掌握反射杯斜角的成型精确度，且易于控制斜角型反射杯的制程稳定性与精密度，进而提升加工斜角型反射杯的品质，以克服先前技术中，在产制多个ＬＥＤ陶瓷基板时，造成多个斜角型反射杯的倾斜角度不一致的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED陶瓷基板的制法，具体涉及一种陶瓷基板上容置LED晶 体的斜角型反射杯的制程方法。
技术介绍
发光二极体(Light Emitting Diode， LED)元件，是一种半导体材料制成的 发光元件，可作为指示灯和显示板等，并能够应用在照明上，具有省电、效率高、 反应快、寿命长、耐震及环保(无铅、汞等有害物)等传统光源无法比拟的优点。并且目前发光二极体元件已朝向高功率发展；因此，现在一般使用高反射率 与高散热的低温共烧陶瓷(Low-temperature Co-fired Ceramic, LTCC)来作为 封装发光二极体用的基板，其封装程序是先以低温共烧陶瓷技术产制一陶瓷基板 4b (如图1所示)，并将一 LED晶体41b设于陶瓷基板4b的一垂直型反射杯12b 内，并打金线将LED晶体41b与陶瓷基板4b做电气连结，随后在反射杯12b内填 充封胶，再烘干形成透镜51b，用于保护LED晶体41b，使LED晶体41b在电源驱 动时，能自反射杯12b内发出光线，并通过透镜51b投射到外界。然而，上述传统用来封装发光二极体的陶瓷基板的缺点在于，LED晶体41b 发出的光线的投射范围，会受到垂直型反射杯12b的对外开放角度的限制；因此， 该LED晶体41b发出的光线仅能以垂直方向对外投射(如图l所示)，使LED晶体 的光线投射范围无法增加的问题。为了克服上述问题，现有较为先进的技术中，已有一种将反射杯制成斜角型 的方法，由斜角型反射杯来增加LED晶体光线的投射范围，该斜角型反射杯的制 法如下，将预制有垂直型胚孔的一陶瓷生胚放入一真空袋中，并对真空袋进行抽 真空，使垂直型胚孔于抽真空期间，受气压压迫而形成斜角型反射杯；但缺点在 于，胚孔成型斜角的精确度无法掌握，导致生产多个LED陶瓷基板时，会造成每 个斜角型反射杯的倾斜角度不一致的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具斜角型反射杯LED陶瓷基板的制法。 为达上述目的，本专利技术具体的内容为 一种具斜角型反射杯LED陶瓷基板的制法，包含 取用至少一由低温共烧陶瓷制成的生胚，具一反射杯的胚 L，在其未烧结前，使用一机械钻头加工所述胚孔，以形成一具斜角型反射杯的上层陶瓷生胚；将所述上层陶瓷生胚，与至少一己布置电路的下层陶瓷生胚，相互堆迭及压 合成一预迭陶瓷生胚；对所述预迭陶瓷生胚进行烧结，以制成LED陶瓷基板。其中胚孔以机械冲孔或雷射钻孔加工而成。其中电路由导电银胶布置而成。其中下层陶瓷生胚取用至少一由低温共烧陶瓷制成的生胚，在未烧结前，使 用雷射钻孔加工出多个通孔，各通孔内各自填充导电银胶，并在生胚顶部及底部 环周各自印刷导电银胶，各自与通孔内的导电银胶相粘合而形成电路，并在生胚 顶部中央印刷用来接合一 LED晶体的导电银胶。其中烧结温度介于90(TC至IOO(TC之间。依据上述可知，本专利技术的方法在陶瓷生胚未烧结前，以机械加工方式在陶瓷 生胚上成型斜角型反射杯，以掌握反射杯斜角的成型精确度，且易于控制斜角型 反射杯的制程稳定性与精密度，进而提升加工斜角型反射杯的品质，以克服先前 技术中，在产制多个LED陶瓷基板时，造成多个斜角型反射杯的倾斜角度不一致 的问题。附图说明图1:为传统的LED陶瓷基板的剖示图。 图2:为本专利技术的LED陶瓷基板的剖示图。图3:为本专利技术以机械冲孔方式于陶瓷生胚顶部加工胚孔的示意图。 图4:为本专利技术以雷射钻孔方式于陶瓷生胚顶部加工胚孔的示意图。 图5:为本专利技术以机械钻头加工胚孔成斜角型反射杯的示意图。 图6:为本专利技术以雷射钻孔方式于陶瓷生胚顶部加工多个通孔的示意图。 图7:为本专利技术于陶瓷生胚顶部及各通孔内布置导电银胶的示意图。 图8:为本专利技术于陶瓷生胚底部及各通孔内布置导电银胶的示意图。图9:为本专利技术将上层与下层陶瓷生胚相互堆迭的示意图。图10:为本专利技术将上层与下层陶瓷生胚相互压合成预迭陶瓷生胚的示意图。 图ll:为本专利技术方法的流程图。具体实施例方式以下就本专利技术具斜角型反射杯LED陶瓷基板的制法的过程和内容，配合附图 以较佳实施例详细说明如下请参阅图2所示，为本专利技术具斜角型反射杯LED陶瓷基板的剖示图，并配合 图3至图11说明本专利技术具斜角型反射杯LED陶瓷基板的制法，其中包含取用至少一由低温共烧陶瓷制成的生胚1，以机械冲孔(如图3所示)或雷 射钻孔(如图4所示)的方式，在陶瓷生胚1顶部加工成型一反射杯的胚孔11 (配 合图ll所示)，在本实施上分别制作二只具胚孔11、 lla的陶瓷生胚l、 la，并 将二陶瓷生胚1及la相互堆迭(如图5所示)，致使二胚孔11与lla相连通；于所述二具有胚孔11、 lla且相互堆迭的陶瓷生胚1与la未烧结前，使用一 机械钻头6加工所述胚孔11及lla (如图5所示)，以形成一具有斜角型反射杯 12的上层陶瓷生胚10 (如图9及图11所示)。同时取用至少一由低温共烧陶瓷制 成的生胚2，在未烧结前，使用雷射钻孔方式在陶瓷生胚2顶部加工出多个通孔 21 (如图6及图11所示)，在本实施上分别制作二只具多个通孔21、 21a的陶瓷 生胚2、 2a，且各通孔21、 21a内各自填充导电银胶3 (如图7及图8所示)，并 于一陶瓷生胚2顶部环周各自印刷导电银胶31，并在另一陶瓷生胚2a底部环周 各自印刷导电银胶33，且导电银胶31与通孔21内的导电银胶3相粘合，导电银 胶33与通孔21a内的导电银胶3相粘合，同时陶瓷生胚2顶部中央印刷有用来接 合LED晶体的导电银胶32 (配合图2及图7所示)，并将二陶瓷生胚2及2a相互 堆迭(如图9所示)，致使多个通孔21、 21a及其孔内的导电银胶3相连通，以构 成一电路30 (如图2、图10及图11所示)，进而形成一下层陶瓷生胚20。将所述上层陶瓷生胚10 (如图9所示)，与所述已布置电路30的下层陶瓷生 胚20，相互堆迭及压合成一预迭陶瓷生胚40 (如图IO及图ll所示)，且陶瓷生 胚2顶部中央的导电银胶32及环周的部分导电银胶31裸露在斜角型反射杯12 内。对所述预迭陶瓷生胚40以介于90(TC至IOO(TC之间的高温进行烧结，制成一 LED陶瓷基板4a (如图2及图11所示)。此外，由于上述陶瓷生胚l、 la、 2、 2a在未烧结前的硬度较低；因此，上述对陶瓷生胚l、 la、 2、 2a进行的机械冲孔、机械钻孔、雷射钻孔、填充及印刷导 电银胶等加工程序，均需在陶瓷生胚l、 la、 2、 2a未烧结前实施。由上所述，将一 LED晶体41设于陶瓷基板4a的斜角型反射杯12内(如图2 所示)，与导电银胶32相接合，并使用至少二金属导线42、 43连接于LED晶体 41与斜角型反射杯12内的导电银胶31之间，使LED晶体41与电路30相连通而 形成一导电回路(配合图11所示)；同时，使用透光材料5 (封胶)封装斜角型 反射杯12，并烘干透光材料5，以形成一透镜51，制成一发光二极体元件4，且 该透光材料5在本实施例上为树脂。可由电路30接通电源，促使LED晶体41自 斜角型反射杯12内发出光线，以大于垂直角的角度通过镜面51而投射至外界(如 图2所示)，进而增加LED晶体41的光线投射范围，并进一步提升发光二极体元 件4的发光效率。依据上述可知，本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具斜角型反射杯ＬＥＤ陶瓷基板的制法，包含：　取用至少一由低温共烧陶瓷制成的生胚，具一反射杯的胚孔，在其未烧结前，使用一机械钻头加工所述胚孔，以形成一具斜角型反射杯的上层陶瓷生胚；　将所述上层陶瓷生胚，与至少一已布置电路的下层陶瓷生胚，相互堆迭及压合成一预迭陶瓷生胚；　对所述预迭陶瓷生胚进行烧结，以制成ＬＥＤ陶瓷基板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾前志，吴孝忠，
申请(专利权)人：上海钊辉科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]