无卤素低介电树脂组合物，及使用该组合物制得的预浸渍片、金属箔积层板与印刷电路板制造技术

一种无卤素低介电树脂组合物，其包含：(A)聚苯醚树脂，其具有不饱和官能基；(B)交联剂，其具有不饱和官能基；以及(C)由下式(I)表示的含磷化合物，

Halogen free low dielectric resin composition and prepreg, metal foil laminate and printed circuit board made of the composition

【技术实现步骤摘要】
无卤素低介电树脂组合物，及使用该组合物制得的预浸渍片、金属箔积层板与印刷电路板
本专利技术关于一种无卤素低介电树脂组合物，特别是关于一种可提供具以下优点的无卤素电子材料的聚苯醚系树脂组合物：低介电常数(dielectricconstant，Dk)、低介电耗损因子(dissipationfactor，Df)、低热膨胀率及高尺寸稳定性。本专利技术无卤素低介电树脂组合物可与玻璃纤维构成复合材料或预浸渍片(prepreg)，或可进一步作为金属箔的接着剂，制备背胶铜箔(resin-coatedcopper，RCC)、金属箔积层板(metal-cladlaminate)、印刷电路板(printedcircuitboard，PCB)等。
技术介绍
近来，在电子通讯
中对于数据传输量的需求不断增加，使得电子产品的应用进入高频及高速传输领域，因此对于相关电子材料的介电性质的要求也不断提高。在信号传输高频化与高速化、电子组件小型化及电路板线路高密度化的趋势下，尤其要求电子材料的低介电性质，而现有电子材料的特性已经不能满足使用要求。另外，随着环保意识抬头，含卤素的阻燃剂逐渐被淘汰，取而代之的是无卤素阻燃剂，例如金属氢氧化物、含氮化合物、含磷化合物等。然而，在树脂组合物中使用现有的无卤素阻燃剂时，往往使得所制电子材料的介电特性变差，例如，所制电子材料往往因此具有较高的Dk值或Df值。若为了维持电子材料良好的介电特性而调整树脂组合物的配方，往往又导致电子材料的物理性质变差的问题，例如抗撕强度(peelingstrength)、尺寸安定性或耐热性可能会变差。因此，目前亟需一种具有较低的Dk值与Df值、同时也具有令人满意的物理性质的高频用无卤素电子材料。
技术实现思路
本专利技术所欲解决的问题在于，现有的无卤素电子材料无法同时具备令人满意的高频介电特性、耐热性及尺寸稳定性，使得所制得的金属箔积层板或印刷电路板尤其在高温老化测试方面难以满足需求。为此，本专利技术提供一种无卤素低介电树脂组合物，利用彼制得的电子材料可具有良好的高频介电特性(例如在10GHz下所测得的Dk值低于4.0且Df值低于0.006)及良好的耐高温特性，使得电子材料尤其可在高温老化测试方面满足需求。如以下专利技术目的说明，本专利技术解决问题的技术手段在于，在聚苯醚系树脂组合物中使用具有特定结构的含磷化合物。由本专利技术无卤素低介电树脂组合物(本文也称『本专利技术树脂组合物』)所制得的无卤素电子材料不仅具备良好的耐高温特性及尺寸稳定性，同时也具有较低的Dk值与Df值。因此，由本专利技术树脂组合物所制得的电子材料特别适合用于高频应用，且可满足先进通讯应用的高阶材料需求。所述高频应用的实例包括但不限于第五代行动通讯(5thgenerationmobilenetwork，通常被简称为5G)、进阶驾驶人辅助系统(advanceddriverassistancesystem，ADAS)及人工智能(artificialintelligence，AI)。本专利技术的一个目的在于提供一种无卤素低介电树脂组合物，其包含以下成分：(A)聚苯醚树脂，其具有不饱和官能基；(B)交联剂，其具有不饱和官能基；以及(C)由下式(I)表示的含磷化合物：于本专利技术的部分实施方案中，无卤素低介电树脂组合物还包含具有不饱和官能基的反应型磷化合物(reactivephosphoruscompound)。于本专利技术的部分实施方案中，由式(I)表示的含磷化合物(C)对反应型磷化合物的重量比为4:1至1:4。于本专利技术的部分实施方案中，反应型磷化合物为烯丙基环磷腈化合物(allylcyclophosphazenecompound)。于本专利技术的部分实施方案中，聚苯醚树脂(A)由下式(II)所表示：于式(II)中，R31、R32、R33、及R34各自独立为H、或经或未经取代的C1至C5烷基；A1与A2各自独立为X与Y各自独立为不存在、羰基(carbonylgroup)或具有烯基的基团；m与n各自独立为0至100的整数，条件为m与n不同时为0；以及Z为不存在、芳基(aryl)、-O-、其中R35与R36各自独立为H或C1至C12烷基。于本专利技术的部分实施方案中，交联剂(B)选自以下群组：多官能型烯丙基系化合物(polyfunctionalallyliccompounds)、多官能型丙烯酸酯(polyfunctionalacrylates)、多官能型丙烯酰胺(polyfunctionalacrylamides)、多官能型苯乙烯系化合物(polyfunctionalstyreniccompounds)、双马来酰亚胺化合物(bismaleimidecompounds)及前述的组合。于本专利技术的部分实施方案中，交联剂(B)选自以下群组：三烯丙基异氰尿酸酯(triallylisocyanurate，TAIC)、三烯丙基氰尿酸酯(triallylcyanurate，TAC)、前述的预聚物及前述的组合。于本专利技术的部分实施方案中，无卤素低介电树脂组合物还包含选自以下群组的添加型含磷阻燃剂：次磷酸盐(phosphinatesalt)、聚磷酸盐(polyphosphatesalt)、鏻盐(phosphoniumsalt)、磷酸酯(phosphateester)、磷腈(phosphazene)、亚磷酸酯(phosphiteester)、膦氧化物(phosphineoxide)及前述的组合。于本专利技术的部分实施方案中，无卤素低介电树脂组合物还包含选自以下群组的含乙烯基的弹性体：聚丁二烯(polybutadiene)、苯乙烯丁二烯共聚物(styrene-butadiene(SB)copolymer)、苯乙烯丁二烯苯乙烯嵌段共聚物(styrene-butadiene-styrene(SBS)di/tri-blockcopolymer)、聚异戊二烯(polyisoprene)、苯乙烯异戊二烯共聚物、苯乙烯异戊二烯苯乙烯嵌段共聚物(styrene-isoprene-styrene(SIS)blockcopolymer)、丙烯腈丁二烯共聚物、丙烯腈丁二烯苯乙烯嵌段共聚物及前述的组合。当无卤素低介电树脂组合物包括含乙烯基的弹性体时，交联剂(B)较佳为双马来酰亚胺化合物。于本专利技术的部分实施方案中，无卤素低介电树脂组合物还包含选自以下群组的填料：二氧化硅(例如球型二氧化硅、熔融态二氧化硅(fusedsilica)、非熔融态二氧化硅、多孔质二氧化硅、或中空二氧化硅)、氧化铝、氢氧化铝、氧化镁、氢氧化镁、碳酸钙、滑石、黏土、氮化铝、氮化硼、氮化硅、碳化铝硅、碳化硅、碳酸钠、碳酸镁、二氧化钛、氧化锌、氧化锆、石英、钻石粉、类钻石粉、石墨、石墨烯、钛酸钾、钛酸锶、钛酸钡、陶瓷纤维、钼酸锌、钼酸铵、硼酸锌、磷酸钙、煅烧高岭土、白岭土、云母、勃姆石、水滑石、奈米碳管、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)粉体、中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无卤素低介电树脂组合物，其特征在于，包含：/n(A)聚苯醚树脂，其具有不饱和官能基；/n(B)交联剂，其具有不饱和官能基；以及/n(C)由下式(I)表示的含磷化合物，/n

【技术特征摘要】
20180828 TW 1071300201.一种无卤素低介电树脂组合物，其特征在于，包含：
(A)聚苯醚树脂，其具有不饱和官能基；
(B)交联剂，其具有不饱和官能基；以及
(C)由下式(I)表示的含磷化合物，





2.如权利要求1所述的无卤素低介电树脂组合物，其特征在于，还包含具有不饱和官能基的反应型磷化合物。


3.如权利要求2所述的无卤素低介电树脂组合物，其特征在于，该由式(I)表示的含磷化合物(C)对该反应型磷化合物的重量比为4:1至1:4。


4.如权利要求2所述的无卤素低介电树脂组合物，其特征在于，该反应型磷化合物为烯丙基环磷腈化合物。


5.如权利要求1至4中任一项所述的无卤素低介电树脂组合物，其特征在于，该聚苯醚树脂(A)由下式(II)所表示：



于式(II)中，
R31、R32、R33、及R34各自独立为H、或经或未经取代的C1至C5烷基；
A1与A2各自独立为
X与Y各自独立为不存在、羰基或具有烯基的基团；
m与n各自独立为0至100的整数，条件为m与n不同时为0；以及
Z为不存在、芳基(aryl)、-O-、其中R35与R36各自独立为H或C1至C12烷基。


6.如权利要求1至4中任一项所述的无卤素低介电树脂组合物，其特征在于，该交联剂(B)选自以下群组：多官能型烯丙基系化合物、多官能型丙烯酸酯、多官能型丙烯酰胺、多官能型苯乙烯系化合物、双马来酰亚胺化合物及前述的组合。


7.如权利要求1所述的无卤素低介电树脂组合物，其特征在于，该交联剂(B)选自以下群组：三烯丙基异氰尿酸酯、三烯丙基氰尿酸酯、前述的预聚物及前述的组合。


8.如权利要求1至4中任一项所述的无卤素低介电树脂组合物，其特征在于，还包含选自以下群组的添加型含磷阻燃剂：次磷酸盐、聚磷酸盐、鏻盐、磷酸酯、磷腈、亚磷酸酯、膦氧化物及前述的组合。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘淑芬，洪金贤，陈孟晖，
申请(专利权)人：台燿科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71